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磁场直拉硅单晶生长技术的研究现状与发展
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摘要
现在是我国光伏产业重新洗牌的时期,对于直拉单晶硅设备而言,如何扩大规模和降低成本是在行业中提高竞争力的关键,研究发现在磁场环境下拉制单晶硅可以有效提高单晶硅的质量。
作者
张鸣剑
李润源
付宗义
机构地区
北京京仪世纪自动化设备有限公司
出处
《新材料产业》
2009年第6期72-75,共4页
Advanced Materials Industry
关键词
单晶生长技术
直拉硅
太阳能电池
半导体材料
磁场
大直径
生产工艺
集成电路
分类号
O782 [理学—晶体学]
O613.72 [理学—无机化学]
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徐岳生,刘彩池,王海云,张维连,杨庆新,李养贤,任丙彦,刘福贵.
磁场直拉硅单晶生长[J]
.中国科学(E辑),2004,34(5):481-492.
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张果虎,吴志强,方锋,秦福,常青,周旗钢,屠海令.
300mm硅单晶的生长技术[J]
.Journal of Semiconductors,2001,22(3):383-386.
被引量:13
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徐岳生,李养贤,刘彩池,王海云,郝秋艳.
砷化镓单晶的等效微重力生长[J]
.功能材料与器件学报,2000,6(4):309-311.
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陈万春.
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陈熙,薛明伦.
外加磁场对熔融半导体CZ法拉晶过程中流动场影响的数值计算[J]
.力学学报,1990,22(1):74-78.
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韩玉杰,孙同年.
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.半导体情报,1989(1):25-30.
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胡文瑞.
微重力科学和应用[J]
.物理,1989,18(1):11-14.
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周士仁,纪彦蜀,孔庆茂,高元恺,王守雨,韩长林,傅择国.MCZ 技术的研究[J]半导体学报,1987(01).
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胡文瑞.
微重力科学和应用[J]
.物理,1989,18(1):11-14.
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陈万春.
空间微重力晶体生长研究[J]
.硅酸盐学报,1995,23(4):420-429.
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韩玉杰,孙同年.
磁场拉晶技术简介[J]
.半导体情报,1989(1):25-30.
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程景柏.CZ硅大直径缩颈生长及其抗拉性能研究.2000年全国半导体材料学术会议[M].,..
5
张政,传热与流体流动的数值计算,1984年
6
Wang Wankui,Microgravity Quarterly,1993年,3卷,2/4期,229页
7
Zhong Xingru,Microgravity Quarterly,1993年,3卷,2/4期,115页
8
陈万春,Microgravity Quarterly,1993年,3卷,2/4期,125页
9
Long M M,Int J Microgra Res Appl,1994年,7卷,29页
10
Da Daoan,Microgravity Quarterly,1993年,3卷,2/4期,89页
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刘佳,童大振.
“天宫课堂”中实验现象的物理学解读[J]
.湖南中学物理,2022(8):66-69.
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宇慧平,隋允康,安国平.
大直径单晶硅垂直磁场下的数值模拟[J]
.北京工业大学学报,2006,32(S1):68-73.
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宇慧平,隋允康,张峰翊,常新安.
勾形磁场下直径300mm CZ Si熔体中氧浓度分布的数值模拟[J]
.Journal of Semiconductors,2005,26(3):517-523.
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安涛,高勇,马剑平,李守智,李留臣.
单晶炉勾形磁场的优化设计与分析[J]
.人工晶体学报,2005,34(2):292-296.
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张雯.
磁场直拉硅原理的微观解释[J]
.人工晶体学报,2005,34(3):525-530.
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张雯,刘彩池,王海云.
导电流体在水平磁场中的粘度[J]
.Journal of Semiconductors,2005,26(9):1768-1772.
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陈万春.
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.硅酸盐通报,2005,24(5):130-135.
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张雯,徐岳生.
垂直磁场条件下锗熔体粘度的测量[J]
.材料导报,2005,19(F05):236-238.
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储瑞耕.
“出东西”论[J]
.采写编,2006(2):25-25.
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石义情,张雯,王海云,刘彩池,徐岳生.
高温熔体粘度仪在半导体熔体研究中应用[J]
.现代仪器,2006,12(3):34-35.
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曹振骏.
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.科技开发动态,1995(1):43-43.
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