摘要
通过讨论强流离子注入过程中晶片电荷积累所引起的一系列问题，分析了ＬＣ－１１型强流离子注入机防晶片电荷积累的有效性。
fter discussing the problems affected by wafer charging in high current ion implantation,the effectivity on preventing wafer from charging in LC 11 high current ion implanter is analyzed.
出处
《微细加工技术》
EI
1998年第2期14-17,共4页
Microfabrication Technology
