内场限环结构横向MOS晶体管的优化分析

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摘要讨论了内场限环结构对ＬＤＭＯＳＴ耐压的影响，采用直接积分的方法推导出内场限环表面掺杂浓度的精确优化公式。同时，分析了内场限环ＬＤＭＯＳＴ的优化结构的耐压。

作者唐本奇高玉民罗晋生

机构地区西安交通大学

出处《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 1997年第3期155-158,共4页 Microelectronics

基金国家自然科学基金

关键词 LDMOST 高压集成电路 MOS晶体管

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微电子学

1997年第3期

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