摘要
采用磁控溅射设备，当衬底温度为500℃时，在Si（100）基片上磁控溅射生长Ge／Si多层膜样品，使用Raman和低角X射线技术对样品进行检测和研究。在红光波段对样品的光致发光进行了研究，结果表明在红光波段发光峰位来源于薄膜的非晶结构及其薄膜所产生的缺陷；发光峰的强度和峰形受Ge子层和Si子层厚度的影响。
A series of films and Ge/Si multilayer structures were fabricated by magnetron sputtering technique on silicon（100） substrates at temperatures of -500℃. The Ge/Si multilayer structures were characterized by Raman spectroscopy, low angle X-ray diffraction and Photoluminescence （PL） spectra. The PL band in the spectral range of the red-band（1.58-2.22eV） is attributed to exciton recombination inside of amorphous structures and defects in the Ge/Si multilayer structures. The intensity and shape of peaks are connected with the thick of Ge layer and Si layer.
出处
《功能材料》
EI
CAS
CSCD
北大核心
2007年第A01期95-97,共3页
Journal of Functional Materials
基金
基金项目：国家自然科学基金资助项目（60567001）
