期刊文献+

沉积在Pt电极上的铁电PZT薄膜特性 被引量:1

在线阅读 下载PDF
导出
摘要 研究了射频磁控溅射沉积在Pt电极上的Pb(Zr0.53Ti0.47)O3薄膜特性。经过不同温度退火处理后得到了钙钛矿结构的PZT薄膜。在对其结构的形成和变化进行研究的基础上,探讨了薄膜PZT相的形成机理。其电性能的测试表明,这种铁电PZT(53/47)薄膜具有较好的铁电性能和疲劳特性。在600℃下PZT薄膜的剩余极化强度Pr为24.8μC/cm2,矫顽场强度Ec为70kV/cm。210kV/cm的电场下,疲劳循环直到4×108次时,最大极化强度仍有20.6μC/cm2,降低了约34%,其剩余极化强度保持为10μC/cm2左右。
出处 《真空科学与技术》 CSCD 1996年第3期212-216,共5页 Vacuum Science and Technology
  • 相关文献

参考文献4

二级参考文献9

  • 1刘建设,曾亦可,李兴教.铁电材料电性能测量仪[J].华中理工大学学报,1993,21(5):29-32. 被引量:3
  • 2卢德新,黄龙波.铁电薄膜的制备与铁电薄膜存贮器[J].薄膜科学与技术,1994,7(2):93-102. 被引量:1
  • 3卢德新,华中理工大学学报,1994年,22卷,3期,93页
  • 4Li X,Appl Phys Lett,1993年,63卷,2345页
  • 5Li X J,Appl Phys Lett,1993年,63卷,2345页
  • 6卢德新,华中理工大学学报,1994年,22卷,91页
  • 7Li Xingjiao,Appl Phys Lett,1993年,63卷,2345页
  • 8Peng C H,Appl Phys Lett,1992年,61卷,16页
  • 9金原粲,薄膜,1988年

共引文献12

同被引文献19

  • 1卢德新,李佐宜,刘建设,黄龙波,梁俊文.铁电薄膜底电极对薄膜结构与电性能的影响[J].物理学报,1994,43(12):1932-1937. 被引量:6
  • 2屈新萍,丁爱丽,罗维根,仇萍荪,陈先同.Pt/Ti电极的扩散行为及其对铁电薄膜的影响[J].无机材料学报,1996,11(3):499-504. 被引量:7
  • 3D J Taylor,J Gecrse, P K Larsen. Fatigue of organometallic chemical vapor deposited PbZrx Ti1 -xO3 thin films with Ru/RuO2 and Pt/Pt electrodes [ J ]. Thin Solid Films, 1995,263:221 -230.
  • 4H Kurogi, Y Yamagata, K Ebihara, et al. Preparation of PZT thin films on YBCO electrodes by KrF excimer laser ablation technique[ J ]. Surface and Coatings Technology, 1998,100- 101:424- 427.
  • 5Zhitang Song,Chenglu L in. Microstructure and electrical properties of PbZr0.48Ti0.52O3 ferroelectric films on different Pt bottom electrodes[J]. Applied Surface Science,2002,158:21 -27.
  • 6Kondo Ichihara, Yoneyama Takae. Formation of high adhesive and pure Pt layers on TiO2 [ J ]. J Vac Sci Technol, 1992, A10 (6) :3456 - 3459.
  • 7T Itoh, C Lee, J Chu, et al. Independent parallel scanning force microscopy using Pb ( Zr, Ti) O3 microcantilever array [ A ]. Proceedings of IEEE Micro Electro Mechanical Systems[ C ]. Nagoya (Japan) :Institute of Electrical and Electronics Engineers, 1997.78- 82.
  • 8M Takeshi, K Minoru, H Toshiro. An ultrasonic micromotor using a bending cylindrical transducer based on PZT thin film [ J ]. Sensors and Actuators, 1995, A 50:75 - 80.
  • 9K Kunz, P Enoksson, G Stemme. Highly sensitive triaxial silicon accelerometer with integrated PZT thin film detectors[ J]. Sensors and Actuators,2001 ,A 92:156 - 160.
  • 10P Muralt. PZT thin films for microsensors and actuators: Where do we stand? [ J ]. IEEE Transactions on Ultrasonics, Ferroelectrics, and Frequency Control ,2000 ,47 :903 - 915.

引证文献1

二级引证文献7

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部