摘要
主要讨论高功率微波(HPM)和电磁脉冲(EMP)对半导体分立器件和集成电路的辐射损伤机理。在此基础上提出有关对策,以便提高器件抗 HPM 和 EMP 的能力。
HPM and EMP radiation damage mechanism on semiconductor devices are discussed.The countermeasure for improving the radiation hardiness ability on micro- electronic devices are presented.
出处
《半导体情报》
1997年第1期9-16,共8页
Semiconductor Information
