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PtSi红外焦平面列阵研究的新进展被引量：1

New Progress in the Development of Pt Si Infrared Focal Plane Arrays

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摘要评述了ＰｔＳｉ消特基势垒红外焦平面列阵的研究进展。近年来，国外采用一些新的器件结构，制成了高性能的大型凝视ＰｔＳｉ红外焦平面列阵。

作者杨亚生

机构地区重庆光电技术研究所

出处《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 1996年第4期264-267,共4页 Laser & Infrared

关键词焦平面列阵硅化铂红外光学器件

分类号 TN214 [电子电信—物理电子学]

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1丁孙安,许振嘉.硅化物形成条件对Pt硅化物/硅势垒的影响[J].红外与毫米波学报,1993,12(5):392-396. 被引量：1
2刘爽,宁永功,杨忠孝,陈艾,熊平,杨家德.离子注入降低PtSi肖特基二极管的势垒高度[J].Journal of Semiconductors,2000,21(10):1024-1027. 被引量：4
3叶志镇,黄靖云.新颖的硅基光电材料[J].材料导报,2001,15(1):11-13. 被引量：3

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1李雪,殷景华.PtSi/p-Si异质薄膜研究的新进展[J].半导体情报,2001,38(5):22-27. 被引量：1

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1杨亚生.硅化铂红外焦平面列阵及其发展[J].电子瞭望,1992(3):15-18.
2凌裕农.32×64元硅化铂肖特基势垒红外焦平面列阵的物理设计[J].高速摄影与光子学,1990,19(4):337-342.
3王培林,盛文斌,杨晶琦,徐达鸣.纳米级PtSi/Si(111)膜成形工艺与连续性研究[J].Journal of Semiconductors,1998,19(6):468-471. 被引量：4
4杨亚生.硅化铂肖特基势垒红外焦平面列阵及其发展[J].应用光学,1993,14(2):39-43.
5赵广福.光学和传感器的防护技术[J].红外技术,1997,19(5):5-8. 被引量：2
6Ewin.,WS,顾聚兴.电视兼容硅化铂传感器的设计研究（上）[J].红外,1993(11):18-21.
7Ewing,WS,顾聚兴.电视兼容硅化铂传感器的设计研究（下）[J].红外,1993(12):33-36.
8K.Hyde,高国龙.红外焦平面列阵光学接口技术(下)[J].红外,1997(6):33-37.
9程开富.硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件焦平面阵列的噪声分析[J].红外与激光技术,1991,20(6):14-17.
10程开富.硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi—SBIRCCD)的暗电流密度分析[J].红外与激光技术,1990,19(4):29-34.

激光与红外

1996年第4期

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