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PtSi／Si整流接触的研究被引量：1

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摘要本文对影响ＰｔＳｉ／Ｓｉ整流特性的接触进行了详细研究，并试制成功ＰｔＳｉ／Ｐ－Ｓｉ和ＰｔＳｉ／ｎ－Ｓｉ两种用途不同的肖特基势垒二极管。

作者李国正

机构地区西安交通大学电子工程系

出处《半导体杂志》 1995年第3期16-18,共3页

关键词 SBD 硅化铂硅制作整流接触

分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学]

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半导体杂志

1995年第3期

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