摘要
我们使用射频-直流辉光放电系统制备了非晶碳氢膜（a-C:H）,所用的衬底为半导体级抛光后的硅、锗单晶片,锗片纯度在9个9以上,硅片为N型,电阻率10～20Ω·cm为研究淀积源对膜层结构的影响,我们除使用气态源乙炔（C<sub>2</sub>H<sub>2</sub>）外,还使用了液态源戌烷(C<sub>5</sub>H<sub>12</sub>)。所用淀积参数为:高频频率10MHz,高频功率密度1.4～2.8W/cm<sup>2</sup>（未能精确测量）,直流偏压0～600V,气体流量0.3～0.61/min,反应室内压强0.01～1托,衬底温度:室温～300℃。
出处
《西北大学学报（自然科学版）》
CAS
CSCD
1989年第3期10-10,18,共2页
Journal of Northwest University（Natural Science Edition）
基金
陕西省科委基金FE-85307
第三世界科学院(TWAS)基金№87-24支持。
