多孔硅形成的实验研究与理论分析

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摘要本文在很宽的导电范围内对多孔硅（ＰＳ）的形成与性质作了系统研究提供了四种不同掺杂的ＳｉＨＦ腐蚀系统的电流一电压特性。对实验结果进行了理论分析。

作者沈桂芬黄和鸾高博静刘岩郭兴家

出处《辽宁大学学报（自然科学版）》 CAS 1994年第2期94-96,共3页 Journal of Liaoning University：Natural Sciences Edition

关键词多孔硅半导体材料实验理论分析

参考文献1

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辽宁大学学报（自然科学版）

1994年第2期

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