蒸发与离子束溅射沉积Ni／Si膜的XRD和XPS研究
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1刘秀蓉,周鸿仁,恽正中.镍膜热敏电阻的研究[J].电子科技大学学报,1990,19(5):513-518. 被引量：2
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2王营,贺红波,赵元安,单永光,李大伟,魏朝阳.Single- and multi-shot laser-induced damages of Ta_2O_5/SiO_2 dielectric mirrors at 1064 nm[J].Chinese Optics Letters,2011,9(2):83-86.
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3于庆先,孙四通,张敬祎,高秀敏,黄富育,李烈英.微波等离子体法沉积镍膜的研究[J].微电子学,2010,40(4):604-606. 被引量：1
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4孔令德,方辉,魏虹,刘礼,周润生,铁筱滢,杨文运,姬荣斌.原位氧化硅钝化层对氧化钒薄膜光电特性的影响[J].红外技术,2015,37(4):319-322. 被引量：1
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5陈廷益,李文芳,杜军.Ni^(2+)对6063铝合金Ti无铬钝化膜着色及其性能[J].功能材料,2010,41(A02):260-263. 被引量：6
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6周咏东,李言谨,吴小山,徐国森,方家熊,汤定元.CdTe钝化介质膜的溅射沉积及其X射线光电子能谱研究[J].红外技术,2001,23(1):8-10.
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7周东祥,张道礼,龚树萍,东振中.化学镀镍电极厚度对陶瓷PTCR元件性能的影响[J].压电与声光,1999,21(3):194-196. 被引量：1
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8曾凡光,李昕,刘卫华,乔淑珍,麻华丽,张锐,夏连胜,谌怡,刘星光,张篁.化学镀镍层对直接生长碳纳米管薄膜强流脉冲发射稳定性的影响[J].科学通报,2011,56(17):1392-1395. 被引量：2
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9罗南林,杨春晖,刘百勇.横向固相外延生长及其影响因素的研究[J].半导体技术,1998,23(5):51-53. 被引量：1
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10崔志明,陈朝阳,巴维真,蔡志军,丛秀云.高补偿单晶硅NTCR镀Ni电极欧姆接触的研究[J].电子元件与材料,2006,25(3):53-55.
