摘要
用Ar+ 束溅射沉积技术实现了CdTe薄膜的低温沉积生长。用X射线光电子能谱 (XPS)分析技术对溅射沉积CdTe薄膜以及CdTe体晶中的Cd元素、Te元素化学环境进行了对比实验研究。实验表明 :溅射沉积CdTe薄膜具有很好的组份均匀性 ,未探测到有元素 (Cd、Te)沉积存在。
The CdTe film was grown by using the low temperature ion beam sputtering technique. The Cd and Te elements in the sputtering CdTe film sample were studied and compared with those in the CdTe bulk using X ray photoelectron spectroscopy (XPS) technique. It is proved that the constituent elements in the sputtering CdTe film are homogeneous. No element deposition (Cd, Te) is detceted.
出处
《红外技术》
CSCD
北大核心
2001年第1期8-10,14,共4页
Infrared Technology
基金
国家航天高技术青年科学基金!(批准号 :863 2 .0 0 .4)
高等学校重点实验室访问学者基金
江苏省教委自然科学基金!(批准号 :98KJB430
