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Al诱导a-Si:H薄膜的晶化 被引量：9
1
作者 祁菁 金晶 +1 位作者 胡海龙 贺德衍 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期57-60,共4页
采用等离子体化学气相沉积方法在镀Al玻璃及单晶Si衬底上制备了氢化非晶硅 (a Si:H)薄膜 ,研究了样品在不同的热处理过程中Al对其晶化过程的影响。X射线衍射测量发现 ,由于Al的存在使a Si:H的晶化温度大幅度降低 ,并得到了有强烈 (111)... 采用等离子体化学气相沉积方法在镀Al玻璃及单晶Si衬底上制备了氢化非晶硅 (a Si:H)薄膜 ,研究了样品在不同的热处理过程中Al对其晶化过程的影响。X射线衍射测量发现 ,由于Al的存在使a Si:H的晶化温度大幅度降低 ,并得到了有强烈 (111)结晶取向的多晶Si薄膜。X射线光电子能谱分析表明 ,热处理过程中Al向Si薄膜表面的扩散降低了Si的成核温度。 展开更多
关键词 a-si:h薄膜 SI衬底 非晶硅 幅度 等离子体化学气相沉积 晶化 单晶 结晶取向 热处理过程 成核
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掺铒a-Si∶H,O薄膜1.54μm光致发光和微结构 被引量：6
2
作者 陈维德 梁建军 王永谦 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第10期988-992,共5页
采用等离子化学气相淀积方法 ,改变 Si H4 和 N2 O的流量比制备含有不同氧浓度的 a- Si∶ H,O薄膜 .用离子注入方法掺入铒 ,经 30 0— 935℃快速热退火 ,在波长 1 .54μm处观察到很强的室温光致发光 .氧的加入可以大大提高铒离子的发光... 采用等离子化学气相淀积方法 ,改变 Si H4 和 N2 O的流量比制备含有不同氧浓度的 a- Si∶ H,O薄膜 .用离子注入方法掺入铒 ,经 30 0— 935℃快速热退火 ,在波长 1 .54μm处观察到很强的室温光致发光 .氧的加入可以大大提高铒离子的发光强度 ,并且发光强度随氧含量的变化有一个类似于高斯曲线的分布关系 ,不是单调地随氧含量的增加而增强 .研究了掺铒 a- Si∶ H,O薄膜和微结构 ,讨论了发光强度与薄膜微结构的关系 . 展开更多
关键词 掺铒 a-si:h O薄膜 光致发光 微结构 半导体
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用椭偏法研究掺磷a-Si∶H薄膜的光学特性 被引量：5
3
作者 匡跃军 李伟 +4 位作者 廖乃镘 蒋亚东 宋震 黄清海 祁康成 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第6期829-832,共4页
用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法制备了磷掺杂氢化非晶硅（a—Si：H）薄膜。分别以50°和70°为入射角，测试了样品在300-1000nm波长的椭偏光谱，得到了其膜厚和光学常数谱（折射率和消光系数随波长变化谱），并应用T... 用等离子体增强化学气相沉积（PECVD）方法制备了磷掺杂氢化非晶硅（a—Si：H）薄膜。分别以50°和70°为入射角，测试了样品在300-1000nm波长的椭偏光谱，得到了其膜厚和光学常数谱（折射率和消光系数随波长变化谱），并应用Tauc作图法推算出了薄膜的光学带隙。 展开更多
关键词 椭偏法 掺磷a-si:h薄膜 光学常数
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Al/a-Si∶H复合薄膜的电导性能 被引量：4
4
作者 王瑞春 杜丕一 +1 位作者 翁文剑 韩高荣 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1067-1072,共6页
采用真空热蒸发与PECVD方法 ,在经特殊设计的“单反应室双沉积”设备中沉积了Al/a Si∶H复合薄膜 ,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射、Raman及X射线光电子谱等方法对复合薄膜在不同Al层厚度和不同温度退火后的晶化及电导行为进行了研究 ... 采用真空热蒸发与PECVD方法 ,在经特殊设计的“单反应室双沉积”设备中沉积了Al/a Si∶H复合薄膜 ,并利用扫描电子显微镜、X射线衍射、Raman及X射线光电子谱等方法对复合薄膜在不同Al层厚度和不同温度退火后的晶化及电导行为进行了研究 .结果表明 ,Al/a Si∶H复合薄膜在不高于 2 5 0℃的退火条件下即开始出现硅的晶体相 .退火温度越高 ,Al层越厚 ,形成多晶硅的量越多 .Al/a Si∶H复合薄膜的电导率受Al原子在a Si∶H中掺杂效应的影响 ,比纯a Si∶H薄膜的大 .随着硅晶体相在复合薄膜中的生成 ,复合薄膜的电导率受晶相比控制 ,晶相比增加 ,电导率增大 . 展开更多
关键词 Al/a-si:h复合薄膜 Al诱导晶化 多晶硅 晶相比 电导率
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a-Si∶H/Al/a-Si∶H三层复合膜的低温晶化研究 被引量：2
5
作者 王瑞春 杜丕一 +4 位作者 沈鸽 翁文剑 韩高荣 赵高凌 张溪文 《真空科学与技术》 CSCD 北大核心 2002年第3期234-238,共5页
采用真空热蒸发与PECVD方法 ,在特殊设计的“单反应室双沉积法”薄膜沉积设备中沉积a Si∶H/Al/a Si∶H三层复合薄膜 ,并利用XRD ,XPS及SEM等方法对薄膜在不同温度退火后的晶化行为进行了研究。结果表明 ,随着热处理过程的进行 ,金属Al... 采用真空热蒸发与PECVD方法 ,在特殊设计的“单反应室双沉积法”薄膜沉积设备中沉积a Si∶H/Al/a Si∶H三层复合薄膜 ,并利用XRD ,XPS及SEM等方法对薄膜在不同温度退火后的晶化行为进行了研究。结果表明 ,随着热处理过程的进行 ,金属Al逐步向表面扩散 ,在金属Al锈导下a Si∶H层出现晶化的温度不高于 2 5 0℃。在Al层厚度低于 2 2nm时 ,a Si∶H向晶态硅转变的量随着Al层厚度的增加而增加 ,而当Al层厚度大于 2 2nm后 ,a 展开更多
关键词 a-si:h/Al/a-si:h三层复合膜 低温晶化 多晶硅 铝诱导 真空热蒸发 半导体薄膜 PECVD
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μc-Si:H/a-Si:H多层膜的制备及性质 被引量：1
6
作者 郑家贵 冯良桓 +4 位作者 蔡伟 黄天荃 蔡亚平 罗昭和 周心明 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第1期54-61,共8页
我们通过切换耦合电极的方法制备了μc-si:H/a-Si:H多层膜.这种多层膜的电导率呈各向异性,暗电导温度关系曲线可近似地看成由两条直线组成.随着 μc-Si:H亚层厚度的减小,喇曼谱中晶态峰降低,暗电导温度曲线的弯折点移向高温段.我们用纯... 我们通过切换耦合电极的方法制备了μc-si:H/a-Si:H多层膜.这种多层膜的电导率呈各向异性,暗电导温度关系曲线可近似地看成由两条直线组成.随着 μc-Si:H亚层厚度的减小,喇曼谱中晶态峰降低,暗电导温度曲线的弯折点移向高温段.我们用纯电阻模型和单量子阱模型进行了讨论. 展开更多
关键词 非晶硅 半导体 多层膜 制造 a-si:h
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μc-Si∶H/a-Si∶H多层膜的周期性结构和量子尺寸效应 被引量：1
7
作者 徐明 王洪涛 +5 位作者 冯良桓 周心明 蔡亚平 冯技文 徐宁 麦振洪 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第4期435-439,共5页
利用射频辉光放电法 ,通过周期性交替切换两种耦合电极的方式 ,制备了 μc- Si∶ H/a- Si∶ H多层膜 .低角度X射线衍射 (L AXRD)测试表明 ,这种多层膜具有良好的周期性结构 .观察了上述多层膜的光学性质及电导率与温度的关系 ,发现其吸... 利用射频辉光放电法 ,通过周期性交替切换两种耦合电极的方式 ,制备了 μc- Si∶ H/a- Si∶ H多层膜 .低角度X射线衍射 (L AXRD)测试表明 ,这种多层膜具有良好的周期性结构 .观察了上述多层膜的光学性质及电导率与温度的关系 ,发现其吸收边随着 a- Si∶ H层的减薄而蓝移 ,低温下的电导激活能 Ea 随着 a- Si∶ H层的减薄而减小 . 展开更多
关键词 射频辉光放电法 周期性结构 μc-Si:h/a-si:h多层膜 量子尺寸效应 半导体
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a-Si:H薄膜的表面光电压谱和光电化学特性研究 被引量：2
8
作者 崔毅 王宝辉 张力 《光谱实验室》 CAS CSCD 2002年第5期620-622,共3页
采用表面光电压谱和光电化学方法 ,对不同掺杂类型的氢化非晶硅 (a- Si:H)薄膜的光伏响应和光电化学特性进行了研究 ,测定了 a- Si:H薄膜的能带结构 ,为 a-
关键词 a-si:h薄膜 氢化非晶硅 表面光电压谱 光电化学 半导体材料
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a-Si:H薄膜太阳电池的改性研究进展 被引量：2
9
作者 周冬兰 甘志凯 +1 位作者 廖丹 程彩虹 《电源技术》 CAS CSCD 北大核心 2018年第5期744-746,共3页
a-Si:H薄膜太阳电池由于成本低,适于大规模工业化生产而成为现阶段研究的热点,然而其转换效率低于晶体硅太阳电池。介绍了a-Si:H薄膜太阳电池的结构及原理,总结了目前国内外a-Si:H薄膜太阳电池的改性研究进展,并对未来发展前景进行了展望。
关键词 a-si:h薄膜太阳电池 材料 结构
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a-Si∶HTFT的寄生效应 被引量：1
10
作者 宋跃 邹雪城 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第4期391-395,共5页
a- Si∶ H TFT的栅源几何交迭会引起几何寄生电容 ,实验研究表明它并不能完全表征 TFT的寄生效应 ,研究发现由栅极和源极形成的电场的电力线交迭也会导致物理寄生效应且这种效应始终存在 .从 L CD的结构、材料、制备工艺等普遍性出发 ,... a- Si∶ H TFT的栅源几何交迭会引起几何寄生电容 ,实验研究表明它并不能完全表征 TFT的寄生效应 ,研究发现由栅极和源极形成的电场的电力线交迭也会导致物理寄生效应且这种效应始终存在 .从 L CD的结构、材料、制备工艺等普遍性出发 ,依据交迭电力线建立了物理寄生效应模型并对其进行了详细的分析和计算 ,实验结果表明该方法是有效可行的 ,从而使 L CD寄生效应有了一个较完美的理论表征和分析计算方法 . 展开更多
关键词 a-si:h TFT 寄生效应 电力线 物理寄生电容 补偿电容 液晶显示器
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a-Si∶H薄膜的再结晶技术发展概述 被引量：5
11
作者 冯团辉 卢景霄 +3 位作者 张宇翔 郜小勇 王海燕 靳锐敏 《能源工程》 2004年第6期20-23,共4页
论述了非晶硅薄膜的主要再结晶技术,包括传统的炉子退火、金属诱导晶化、微波诱导晶化、快速热退火和激光晶化。着重指出了各种晶化技术已取得的研究成果、优缺点、有待进一步研究的内容及其在多晶硅薄膜太阳电池工业生产中的应用前景。
关键词 再结晶 激光晶化 炉子 金属 快速热退火 a-si:h薄膜 非晶硅薄膜 研究成果
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a-Si:H薄膜太阳电池最佳i层厚度的分析与计算 被引量：1
12
作者 周炳卿 《内蒙古师范大学学报（自然科学汉文版）》 CAS 2003年第1期21-24,共4页
用自洽法计算了p i n型a-Si:H薄膜太阳电池中p i和i n两个分立势垒区中的电荷密度分布ρ(x)、电场分布ε(x)和耗尽层厚度XD.减少i层厚度使两个分立势垒区部分重叠,用电场叠加原理计算耗尽层中的电场分布,在此基础上,根据光生载流子的全... 用自洽法计算了p i n型a-Si:H薄膜太阳电池中p i和i n两个分立势垒区中的电荷密度分布ρ(x)、电场分布ε(x)和耗尽层厚度XD.减少i层厚度使两个分立势垒区部分重叠,用电场叠加原理计算耗尽层中的电场分布,在此基础上,根据光生载流子的全收集条件Lpmin=μpτpεmin,计算出a-Si:H薄膜太阳电池的最佳i层厚度Xb. 展开更多
关键词 a-si:h薄膜太阳电池 最佳i层厚度 p-i-n型太阳电池 自洽法 电荷密度分布 电场分布 耗尽层厚度
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Si/a-Si:H异质结微波双极型晶体管实验研究
13
作者 王因生 盛文伟 +3 位作者 汪建元 张晓明 熊承堃 朱恩均 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第6期475-478,共4页
本文首次报道采用重掺杂的氢化非晶硅(n^+a-Si∶H)作发射极的硅微波双极型晶体管的制备和特性.该器件内基区方块电阻2kΩ/□,基区宽度0.1μm,共发射极最大电流增益21(V_(cB)=6V,I_c=15mA),发射极Gummel数G_B值已达1.4×10^(14)Scm^(... 本文首次报道采用重掺杂的氢化非晶硅(n^+a-Si∶H)作发射极的硅微波双极型晶体管的制备和特性.该器件内基区方块电阻2kΩ/□,基区宽度0.1μm,共发射极最大电流增益21(V_(cB)=6V,I_c=15mA),发射极Gummel数G_B值已达1.4×10^(14)Scm^(-4).由S参数测得电流增益截止频率f_s=5.5GHz,最大振荡频率f_(max)=7.5GHz.在迄今有关Si/a-Si HBT的报道中,这是首次报道可工作于微波领域里的非晶硅发射极异质结晶体管. 展开更多
关键词 Si/a-si:h 微波 双极晶体管
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a-Si∶H的XPS研究
14
作者 李刚 袁骏 +1 位作者 汪雷 樊瑞新 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第4期363-367,共5页
采用XPS技术和相应的化学位移理论及谱峰拟合方法研究了a-Si∶H薄膜。本文报道了含氧a～si∶H中可能出现和存在的不同化学构态,深度分布和不同衬底材料导致的不同界面特性和表面特性。
关键词 a-si:h 薄膜 XPS
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渐变组分a-Si∶H/a-SiC∶H膜内部电场的研究
15
作者 马瑾 韩圣浩 陆大荣 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1991年第2期219-223,共5页
本文报导了渐变组分 a-Si∶H/a-SiC∶H 膜的制备,研究了渐变膜的电学、光学特性,用 EHT 方法对 a-Si∶H 和 a-SiC∶H 的能态密度进行了计算。提出该渐变膜是一种连续变带隙材料,其内部存在自建电场,并从实验上确定了自建电场的方向。
关键词 a-si:h a-siC:h 薄膜 渐变膜
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沉积条件和内应力对a-Si:H膜光致发光谱的影响
16
作者 王万录 高锦英 廖克俊 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1991年第5期31-33,共3页
实验研究表明,a-Si:H薄膜的光致发光谱随沉积条件,内应力的变化十分敏感。当射频功率、偏压及内应力增大时,发光峰值能量向低能方向移动,半宽带展宽,并且发光强度略有下降。文中对这些实验结果进行了解释。
关键词 a-si:h膜 沉积 内应力 发光谱
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a-Si∶H及其多层膜光致发光某些性质的研究
17
作者 王万录 高锦英 廖克俊 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1992年第1期75-78,共4页
本文研究了 a-Si∶H 及 a-Si∶H/a-SiN_x∶H 多层膜光致发光的某些性质。实验研究表明,a-Si∶H 及其多层膜的光致发光峰值能量强烈地依赖于沉积偏压、a-Si∶H 层厚度和内应力,并对这些结果进行了讨论。
关键词 a-si:h 光致发光 薄膜
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a-Si:H带尾态的光致变化
18
作者 孔光临 毛自力 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第6期478-482,共5页
为阐明a-Si∶H的光致变化效应的物理机构,作者用光电流相移法研究了光照前后.a-Si∶H导带尾态的变化情况;同时用等光电导法测量了光吸收Urbach尾,从而确定了价带尾的光致变化情况.实验结果表明:光照以后,导带尾态和价带尾态都增加了.作... 为阐明a-Si∶H的光致变化效应的物理机构,作者用光电流相移法研究了光照前后.a-Si∶H导带尾态的变化情况;同时用等光电导法测量了光吸收Urbach尾,从而确定了价带尾的光致变化情况.实验结果表明:光照以后,导带尾态和价带尾态都增加了.作者认为:在集团氢存在的地方,与光照引起的Si-H键断裂相伴随的Si-Si弱键的增加是带尾态增加的原因. 展开更多
关键词 a-si:h 光致变化
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一种新型的ITO/TiSi_2双层前电极a-Si:H太阳电池
19
作者 吴萍 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第1期29-30,35,共3页
如何提高a-Si：H太阳电池的转换效率和稳定性一直是人们最关心的问题。本实验采用一种新型的Glass／ITO／TiSi2／pin／Al双层前电极a－Si：H太阳电池，通过老化处理后发现，这种新型电池较之常规电池主要参数均改善，电池的稳定性明显... 如何提高a-Si：H太阳电池的转换效率和稳定性一直是人们最关心的问题。本实验采用一种新型的Glass／ITO／TiSi2／pin／Al双层前电极a－Si：H太阳电池，通过老化处理后发现，这种新型电池较之常规电池主要参数均改善，电池的稳定性明显提高。 展开更多
关键词 ITO/TiSi2电极 太阳电池 稳定性 a-si:h 前电极
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M/a-Si : H/SnO_2 结构双势垒的验证
20
作者 张治国 《太阳能学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期80-85,共6页
给出了Ｍ／ａ－Ｓｉ∶Ｈ／ＳｎＯ２结构的平衡态能带图，用光电压法和Ｃ－Ｖ特性法对该结构的双势垒进行了实验验证。给出了背结的接触电势差，同时发现这种结构用作光电器件时小势垒的影响可以忽略。其中Ｃ－Ｖ特性及其判别法尚未见报导。
关键词 非晶硅 双势垒 M/a-si:h/SnO2 光电器件
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