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a-Si:H薄膜的表面光电压谱和光电化学特性研究 被引量：2

Surface Photovoltaic Spectrometry and Photoelectrochemical Properties of Hydrogenated Amorphous Silicon Films
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摘要 采用表面光电压谱和光电化学方法 ,对不同掺杂类型的氢化非晶硅 (a- Si:H)薄膜的光伏响应和光电化学特性进行了研究 ,测定了 a- Si:H薄膜的能带结构 ,为 a- Photovoltaic and photoelectrochemical properties of hydrogenated amorphous silicon(a Si:H) films were investigated by surface photovoltaic spectrometry and PEC method.The results show that the photovoltage spectra(SPS) of three type a Si:H films are difference,which highly depend on the doping conditions.Based on the spectra,the valence band and conduction band of intrinsic a Si:H film were calculated.
作者 崔毅 王宝辉 张力
机构地区 内蒙古民族大学化学系 大庆石油学院化学化工学院
出处 《光谱实验室》 CAS CSCD 2002年第5期620-622,共3页 Chinese Journal of Spectroscopy Laboratory
基金 内蒙古民族大学科研项目
关键词 A-SI:H薄膜 氢化非晶硅 表面光电压谱 光电化学 半导体材料 Hydrogenated Amorphous Silicon,Surface Photovoltaic Spectrometry,Photoele ctrochemistry.
分类号 TN304.12 [电子电信—物理电子学] O48 [理学—固体物理]
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参考文献3

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引证文献2

二级引证文献6

光谱实验室
2002年 第5期

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