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Au/(Si/SiO_2)/p型Si结构的可见电致发光研究 被引量：2
1
作者 马书懿 王印月 刘雪芹 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 2000年第4期354-356,共3页
Si SiO2 薄膜采用射频磁控溅射技术制备 ,当正向偏压大于 5V时即可观测到来自不同Si层厚度的Au (Si SiO2 ) p Si结构在室温下的可见电致发光 ,其发光谱峰位均位于 6 6 0nm处 ,测得的各种偏压下的发光峰位不随正向偏压的升高而移动。实... Si SiO2 薄膜采用射频磁控溅射技术制备 ,当正向偏压大于 5V时即可观测到来自不同Si层厚度的Au (Si SiO2 ) p Si结构在室温下的可见电致发光 ,其发光谱峰位均位于 6 6 0nm处 ,测得的各种偏压下的发光峰位不随正向偏压的升高而移动。实验结果表明光发射主要来自于SiO2 层中的发光中心上的复合发光。 展开更多
关键词 si/sio2薄膜 电致发光 发光中心 复合发光
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电子从不同晶向Si隧穿快速热氮化SiO_2膜的电流增强及模型解释 被引量：1
2
作者 冯文修 陈蒲生 +1 位作者 田浦延 刘剑 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第11期1411-1415,共5页
用卤素钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) 10 nm Si O2 膜 ,制备了〈10 0〉和〈111〉晶向 Si衬底上的 Si- Si Ox Ny-Al电容结构 .研究了电子从〈10 0〉和〈111〉不同晶向 N型硅积累层到 RTN后 Si O2 膜 (或原始 Si O2 膜 )的漏电流和高场 ... 用卤素钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) 10 nm Si O2 膜 ,制备了〈10 0〉和〈111〉晶向 Si衬底上的 Si- Si Ox Ny-Al电容结构 .研究了电子从〈10 0〉和〈111〉不同晶向 N型硅积累层到 RTN后 Si O2 膜 (或原始 Si O2 膜 )的漏电流和高场 F- N隧穿电流 .研究结果表明 :经 RTN Si O2 膜比原始 Si O2 膜从低场到隧穿电场范围都明显地看到电导增强现象 .比较 RTN后两种不同晶向样品 ,低场漏电流没有多大的差别而在高场从〈10 0〉晶向比从〈111〉晶向 Si隧穿Si Ox Ny 膜的 F- N电流却明显增加 。 展开更多
关键词 电子隧穿 快速热氮化 晶向硅 薄膜 二氧化碳 模型解释
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Si_3N_4和Si_3N_4/SiO_2驻极体薄膜的化学表面修正 被引量：3
3
作者 张晓青 夏钟福 潘永刚 《同济大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第5期564-567,共4页
采用补偿法对六甲基二硅胺烷 (hexamethyedisilane ,HMDS)和二氯二甲基硅烷 (dichlorodimethsiliane ,DCDMS)化学表面修正恒压电晕充电硅基氮化硅 (Si3N4)薄膜驻极体及氮化硅 /二氧化硅 (Si3N4/SiO2 )薄膜驻极体的电荷储存稳定性进行了... 采用补偿法对六甲基二硅胺烷 (hexamethyedisilane ,HMDS)和二氯二甲基硅烷 (dichlorodimethsiliane ,DCDMS)化学表面修正恒压电晕充电硅基氮化硅 (Si3N4)薄膜驻极体及氮化硅 /二氧化硅 (Si3N4/SiO2 )薄膜驻极体的电荷储存稳定性进行了比较性的研究 .实验结果表明 ,经过化学表面修正后 ,驻极体薄膜在高湿环境中的电荷储存稳定性显著提高 ;在低于 2 0 0℃时 ,HMDS和DCDMS化学表面修正的效果相当 ;DCDMS化学表面处理具有较高的耐热性 . 展开更多
关键词 化学表面修正 驻极体薄膜 电荷储存稳定性
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Ge-SiO_2与Si-SiO_2薄膜中颗粒形成的对比研究
4
作者 成珏飞 吴雪梅 诸葛兰剑 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期245-248,共4页
以Ge SiO2 和Si SiO2 复合靶作为溅射靶 ,分别采用射频磁控溅射技术和双离子束溅射技术制得了Ge SiO2 和Si SiO2 薄膜。然后分别在N2 气氛中经过 6 0 0℃— 10 0 0℃的不同温度的退火。通过X射线衍射 (XRD) ,透射电子显微镜 (TEM) ,光... 以Ge SiO2 和Si SiO2 复合靶作为溅射靶 ,分别采用射频磁控溅射技术和双离子束溅射技术制得了Ge SiO2 和Si SiO2 薄膜。然后分别在N2 气氛中经过 6 0 0℃— 10 0 0℃的不同温度的退火。通过X射线衍射 (XRD) ,透射电子显微镜 (TEM) ,光电子能谱 (XPS)分析等测试手段 ,将两种薄膜进行了比较。在Ge SiO2 样品中 ,随退火温度的升高 ,会发生GeOx 的热分解或者与Si发生化学反应 ,引起部分氧原子逸出和Ge原子的扩散和聚集 ,从而形成纳米Ge的晶粒。在Si SiO2 薄膜样品中 ,由于Si的成核长大速率较低 ,因而颗粒长大的速率较慢 ,薄膜内不易形成Si颗粒。只有经 10 0 0℃高温退火后样品中才有少量单质Si颗粒形成。 展开更多
关键词 sio2薄膜 射频磁控溅射技术 光电子能谱 氧原子 双离子束溅射 颗粒 溅射靶 速率 高温退火 退火温度
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电子从〈100〉和〈111〉晶向硅隧穿超薄快速热氮化SiO_2 膜(英文)
5
作者 冯文修 田浦延 +1 位作者 陈蒲生 刘剑 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期13-17,共5页
用卤素 -钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) ,在〈10 0〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了Si_SiOxNy_Al电容 ,并测量了由低场到F_N隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy 膜的电流传输特性 .测量结果说明 ,两种不同晶向的低场漏电流没... 用卤素 -钨灯作辐射热源快速热氮化 (RTN) ,在〈10 0〉和〈111〉晶向Si衬底上制备了Si_SiOxNy_Al电容 ,并测量了由低场到F_N隧穿电场范围的电子从N型Si积累层到超薄SiOxNy 膜的电流传输特性 .测量结果说明 ,两种不同晶向的低场漏电流没有多大区别 ,而在高场范围对〈10 0〉晶向电容结构的F_N隧穿电流要比〈111〉晶向电容结构的F_N隧穿电流显著增加 。 展开更多
关键词 电子隧穿 快速热氮化 晶向硅 超薄二氧化硅膜 遂穿电流 电流传输特性
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Si/Ti原子比对TiO_2-SiO_2复合薄膜亲水性能与摩擦磨损性能的影响
6
作者 王晓宏 赵青南 +3 位作者 常潇 陆文涛 董玉红 赵杰 《人工晶体学报》 EI CAS 北大核心 2019年第4期579-586,共8页
采用直流(DC)反应磁控溅射法在玻璃上制备了不同Si/Ti原子比的TiO_2-SiO_2复合薄膜。使用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外可见分光光度计、CA-XP150型接触角仪、UMT-2型多功能微摩擦仪,研... 采用直流(DC)反应磁控溅射法在玻璃上制备了不同Si/Ti原子比的TiO_2-SiO_2复合薄膜。使用X射线衍射仪(XRD)、场发射扫描电子显微镜(SEM)、X射线光电子能谱仪(XPS)、紫外可见分光光度计、CA-XP150型接触角仪、UMT-2型多功能微摩擦仪,研究了不同Si/Ti原子比的TiO_2-SiO_2复合薄膜微观结构、表面形貌、亲水性能和摩擦磨损性能。结果表明,所制备的纯TiO_2薄膜具有锐钛矿结构,其平均晶粒尺寸为11 nm,TiO_2-SiO_2复合薄膜呈现非晶结构,其粒子尺寸相对减小;随着Si/Ti原子比的增大,薄膜在可见光区的平均透过率从76. 6%增加到84. 3%。当复合薄膜中Si/Ti原子比为1∶2时,薄膜的摩擦系数为0. 11,薄膜具有最佳的亲水性能;在紫外光照射2 h后水接触角降到3. 0°;在黑暗中放置30 h后水接触角略增加到7. 7°。 展开更多
关键词 TiO2-sio2复合薄膜 si/Ti比 亲水性能 摩擦性能 直流磁控溅射
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镓杂质R_S效应的研究与分析 被引量：1
7
作者 孙瑛 刘志军 刘秀喜 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第1期104-108,共5页
在确定的开管扩镓装置中 ,以氢气作为镓源 Ga2 O3的反应和输运气体 ,凭借准确地控制扩散条件 ,控制 Ga在Si O2 / Si系统中扩散 ,可获得良好的杂质 RS效应 .根据 Ga在 Si和 Si O2 中的扩散行为 ,研究和分析了镓在裸 Si系和 Si O2 / Si系... 在确定的开管扩镓装置中 ,以氢气作为镓源 Ga2 O3的反应和输运气体 ,凭借准确地控制扩散条件 ,控制 Ga在Si O2 / Si系统中扩散 ,可获得良好的杂质 RS效应 .根据 Ga在 Si和 Si O2 中的扩散行为 ,研究和分析了镓在裸 Si系和 Si O2 / Si系扩散所产生的杂质 RS效应机理 ,及其热氧化、氧化膜质量和厚度对 展开更多
关键词 杂质Rs效应 裸si系 sio2/si系 氧化膜
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富硅二氧化硅薄膜的蓝色荧光特性研究 被引量：1
8
作者 肖淑娟 《上海海运学院学报》 北大核心 2003年第1期60-62,共3页
用射频磁控溅射法制备了富硅二氧化硅薄膜。红外 (IR)透射光谱表明退火过程中发生2SiOx→xSiO2 +(2 -x)Si化学反应。SiO2 与纳米晶硅 (nc -Si)界面上与氧有关的缺陷 (NBOHC)是蓝光发射 (2 .8eV)的主要原因。用纯二氧化硅靶制备的样品有 ... 用射频磁控溅射法制备了富硅二氧化硅薄膜。红外 (IR)透射光谱表明退火过程中发生2SiOx→xSiO2 +(2 -x)Si化学反应。SiO2 与纳米晶硅 (nc -Si)界面上与氧有关的缺陷 (NBOHC)是蓝光发射 (2 .8eV)的主要原因。用纯二氧化硅靶制备的样品有 1.8eV的发光 ,可能与硅缺陷有关。 展开更多
关键词 富硅二氧化硅薄膜 蓝光发射 非桥键氧空穴中心
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光化学汽相淀积技术在薄膜备制中的应用
9
作者 尹敏 赵鹏 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期16-19,共4页
介绍了光化学汽相淀积法的原理以及用ＰＶＤ－１０００设备淀积薄膜的规律、特点等，并且给出了所淀积的ＳｉＯ２膜、Ｓｉ３Ｎ４膜和ＺｎＳ膜的基本特性。
关键词 半导体材料 CVD 薄膜技术
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硅基光电子材料的研究 被引量：1
10
作者 任尚坤 杜远东 《周口师范高等专科学校学报》 2001年第5期43-45,共3页
综述了硅基发光材料的研究新进展 ,分别以发光多孔硅、多孔碳化硅、纳米硅薄膜和发光硅基超晶格为例 ,分析讨论了其制备。
关键词 硅基材料 发光材料 多孔硅 纳米硅薄膜 硅-二氧化硅超晶格
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