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MBE生长GaAlAs/GaAs量子阱激光器材料的光谱和结构特性研究 被引量：1
1
作者 李梅 宋晓伟 +2 位作者 王晓华 张宝顺 李学千 《兵工学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2001年第3期355-358,共4页
本文用低温光致荧光 (PL )谱及 X射线双晶衍射方法对 MBE方法生长的 Ga Al As/Ga As(1 0 0 )量子阱结构材料进行了测试分析。结果表明 ,在材料生长过程中 ,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、 / 速... 本文用低温光致荧光 (PL )谱及 X射线双晶衍射方法对 MBE方法生长的 Ga Al As/Ga As(1 0 0 )量子阱结构材料进行了测试分析。结果表明 ,在材料生长过程中 ,深能级的引入严重影响了材料的光学特性及界面完整性。通过改变衬底温度、 / 速流比等实验条件 ,得到了质量较好的材料 ,低温光致荧光峰的半峰宽达到 1 .7me V,双晶衍射峰的半峰宽为 9.6 8″.同时对实验样品的双晶衍射回摆曲线中干涉条纹及峰的劈裂现象进行了理论分析 ,并利用 PL谱将深能级对材料、器件性能的影响做了有益的讨论。 展开更多
关键词 MBE生长 gaalas/gaas量子阱激光器 分子束外延 双晶衍射
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GaAlAs/GaAs半导体功率放大激光器的研究 被引量：1
2
作者 杨晓妍 杨琏 +2 位作者 朱明方 刘杰 任大翠 《激光与红外》 CAS CSCD 北大核心 2003年第6期428-429,共2页
研究一种GaAlAs/GaAs材料的高功率半导体功率放大激光器(LD-SLA)。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器(LD)与半导体功率放大器(SLA)集成一体,使单管芯输出光功率提高一个数量级。并在器件端面镀高... 研究一种GaAlAs/GaAs材料的高功率半导体功率放大激光器(LD-SLA)。器件为双异质结增异导引氧化物条形结构。采用直接耦合方式将半导体激光器(LD)与半导体功率放大器(SLA)集成一体,使单管芯输出光功率提高一个数量级。并在器件端面镀高反射膜和增透膜,使器件端面的反射率和透射率由不镀膜时的29%、71%提高到90%以上,进一步提高激光输出。保护器件端面、提高器件使用寿命。 展开更多
关键词 半导体功率放大激光器 gaalas/gaas 直接耦合 谐振腔
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高功率单模GaAlAs/GaAs激光器
3
作者 李玉东 李玉德 +2 位作者 苏士昌 刘式墉 高鼎三 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第4期314-318,共5页
本文报告了隐埋双脊衬底大光腔结构GaAlAs/GaAs激光器的制备和特性,获得CW光输出的最高功率可达80mW。
关键词 gaalas gaas 激光器 单模 高功率
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MOCVD制备GaAlAs/GaAs和GaSb/GaAs超晶格结构
4
作者 黄柏标 徐现刚 +2 位作者 刘士文 刘立强 蒋民华 《人工晶体学报》 CSCD 1991年第3期332-332,共1页
本文报道了国内首次用MOCVD技术制备Ga_(1-x)Al_(x)As/GaAs组分超晶格和GaSb/GaAs应变超晶格。并将前者用于HEMT研制中,以消除衬底的起伏和缺陷,将后者用于非匹配异质外延生长中,以消除晶格失配造成的应力来提高外延层的质量。
关键词 GASB 应变超晶格 gaalas gaas 异质外延生长 MOCVD HEMT
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关于“对GaAlAs/GaAs太阳电池结构的一点新看法”的评论——同鞠定德先生商榷 被引量：1
5
作者 陈庭金 涂洁磊 袁海荣 《云南师范大学学报（自然科学版）》 1997年第4期40-44,共5页
本文认为《云南师范大学学报》自然科学版，Ｖｏｌ．１４，Ｎｏ３（１９９４．９）中“对ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ太阳电池结构的一点新看法”一文提出的“新看法”是错误的。
关键词 太阳能电池 砷化镓 结构
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硅衬底上GaAlAs/GaAs单量子阱激光器 被引量：1
6
作者 庄婉如 石志文 +3 位作者 杨培生 梅野正義 神保孝志 曾我哲夫 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第12期960-964,共5页
采用MOCVD方法在硅衬底上生长了带应力超晶格的GaAlAs/GaAs单量子阱外延片,并用质子轰击隔离法制成10微米条形单量子阱激光器.在室温下加脉冲电流(重复频率26KHz,脉宽1μs)观察到受激发射.最低阈电流92mA、激射波长849.2nm,外微分量子效... 采用MOCVD方法在硅衬底上生长了带应力超晶格的GaAlAs/GaAs单量子阱外延片,并用质子轰击隔离法制成10微米条形单量子阱激光器.在室温下加脉冲电流(重复频率26KHz,脉宽1μs)观察到受激发射.最低阈电流92mA、激射波长849.2nm,外微分量子效率11％. 展开更多
关键词 半导体 激光器 光电集成 量子阱 硅
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GaAlAs/GaAs单量子阱列阵半导体激光器
7
作者 万春明 徐安怀 曲轶 《吉林工业大学自然科学学报》 CSCD 北大核心 2001年第4期63-65,共3页
分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出ＧａＡＩＡＳ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱材料（ＣＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率可达１０ Ｗ，... 分析了影响列阵半导体激光器输出功率的因素。利用分子束外延生长方法生长出ＧａＡＩＡＳ／ＧａＡｓ梯度折射率分别限制单量子阱材料（ＣＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）。利用该材料制作出的列阵半导体激光器室温连续输出功率可达１０ Ｗ，峰值波长为 ８０６～８０９ ｎｍ。 展开更多
关键词 半导体激光器 分子束外延生长 量子阱 输出功率 梯度折射率 gaalas gaas 砷化镓 镓铝砷
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GaAlAs/GaAs HBT的现状和应用展望
8
作者 徐士杰 《微电子学》 CAS CSCD 1991年第2期24-30,共7页
本文评述了GaAlAs/GaAs HBT的研究现状,着重讨论了制造HBT的重要技术和应用前景;对HBT的进一步发展也进行了探讨。
关键词 双极型晶体管 HBT 异质结 gaas
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GaAlAs/GaAs发光管中深能级与暗缺陷关系
9
作者 张桂成 吴征 《半导体光电》 CAS CSCD 北大核心 1991年第1期22-25,共4页
本文用 DLTS 和瞬态单电容技术研究了液相外延生长的 GaAlAs/GaAs 有源层掺 Si 器件的深能级,用红外显微镜测量了近场 EL 图像,研究了深能级及暗结构缺陷对器件的影响及它们间的关系。
关键词 发光管 深能级 暗结构缺陷 砷化镓 液相外延生长 gaalas
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GaAlAs/GaAs量子阱结构的光致发光研究 被引量：1
10
作者 宋晓伟 李梅 +1 位作者 高欣 李军 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期274-277,共4页
阐述了用ＭＯＣＶＤ 生长的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ 梯度折射率分别限制量子阱结构及其光学性质． 样品经高分辨率光致发光（ＰＬ）测试显示， 在１０Ｋ 下对于８ｎｍ 的单量子阱， 通过激发产生的荧光光谱半峰宽（ＦＷＨＭ）为６．２ｎ... 阐述了用ＭＯＣＶＤ 生长的ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ 梯度折射率分别限制量子阱结构及其光学性质． 样品经高分辨率光致发光（ＰＬ）测试显示， 在１０Ｋ 下对于８ｎｍ 的单量子阱， 通过激发产生的荧光光谱半峰宽（ＦＷＨＭ）为６．２ｎｍ ， 同时具有较高的强度． 表明量子阱结构具有陡峭的界面； 另外还观察到， Ｘ（ｅ－ｈｈ）峰值位置相对于激发能级的移动． 测试结果表明， 样品质量符合设计要求， 结果令人满意． 展开更多
关键词 量子阱 光致发光 镓铝砷 砷化镓
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GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级
11
作者 张桂成 吴征 +1 位作者 陈自姚 周炳林 《电子科学学刊》 CSCD 1989年第3期334-337,共4页
本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为E_C—E_D≈0.29eV和E_T—E_V≈0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化... 本文用DLTS谱仪和单脉冲瞬态电容技术测量了光通信用GaAlAs/GaAs双异质结发光管中的深能级,对有源区掺Si和掺Ge的相同结构器件,均测得有多子陷阱存在,其能级位置分别为E_C—E_D≈0.29eV和E_T—E_V≈0.42eV。比较了外延系统中氧含量变化对有源区掺Si器件深能级的影响,以及有源区EL图象中的DSD与深能级关系,结果表明外延系统中氧含量对深能级有明显影响,而EL图象中DSD的出现率与深能级无明显关系。 展开更多
关键词 发光管 双异质结 gaaIAs gaas
全文增补中
完全　MBE　生长的内含吸收型光栅　GaAlAs／GaAs　多量子阱增益耦合型分布反馈式半导体激光器 被引量：4
12
作者 罗毅 司伟民 +3 位作者 张盛忠 陈镝 王健华 蒲锐 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期139-144,共6页
我们首次完全采用ＭＢＥ技术成功地制作了内含吸收型光栅的ＧａＡＩＡｓ／ＧａＡｓ量子阶增益耦合型分布反馈式半导体激光器．激光器在室温下的激射波长为８６０ｕｍ，单模单端输出光脉冲峰值功率超过２０ｍＷ．器件在至少０℃到８０℃... 我们首次完全采用ＭＢＥ技术成功地制作了内含吸收型光栅的ＧａＡＩＡｓ／ＧａＡｓ量子阶增益耦合型分布反馈式半导体激光器．激光器在室温下的激射波长为８６０ｕｍ，单模单端输出光脉冲峰值功率超过２０ｍＷ．器件在至少０℃到８０℃的范围内始终保持单纵模激射．作为初步结果，条宽为５～６μｍ的氧化物条形结构器件的脉冲工作阈值电流约为７００ｍＡ． 展开更多
关键词 半导体激光器 量子阱 gaalas/gaas
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离散谱折射率法分析深刻蚀、单模GaAs/GaAlAs脊形光波导 被引量：5
13
作者 马慧莲 李瑾 +1 位作者 杨建义 王明华 《光子学报》 EI CAS CSCD 2000年第2期151-156,共6页
本文采用离散谱折射率法对深蚀刻、Ga As/ Ga Al As多层脊形光波导模式特性进行了具体分析和设计 ,获得了较大截面、低损耗的单模脊形光波导 .利用这种横向具有最大折射率差的深蚀刻脊形光波导不但可以提高多模干涉 (MMI)型器件的性能 ... 本文采用离散谱折射率法对深蚀刻、Ga As/ Ga Al As多层脊形光波导模式特性进行了具体分析和设计 ,获得了较大截面、低损耗的单模脊形光波导 .利用这种横向具有最大折射率差的深蚀刻脊形光波导不但可以提高多模干涉 (MMI)型器件的性能 ,而且在设计和制作弯曲波导、分支结构时 ,具有结构紧凑。 展开更多
关键词 离散谱折射率法 深刻蚀 光波导 gaas/gaalas
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基于GaAs/GaAlAs条形光波导的定向耦合器分析 被引量：5
14
作者 肖金标 孙小菡 +1 位作者 张明德 丁东 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第5期705-707,共3页
运用基于级数展开法 (SEM)的三维光束传播法 (3D SEM BPM)分析了由GaAs/GaAlAs条形光波导构成的定向耦合器 .获得了这种定向耦合器所承载的偶模及奇模电场分布 ,其耦合长度随波导间距的增加近似指数增长 .模拟了光波在器件中的传输演变... 运用基于级数展开法 (SEM)的三维光束传播法 (3D SEM BPM)分析了由GaAs/GaAlAs条形光波导构成的定向耦合器 .获得了这种定向耦合器所承载的偶模及奇模电场分布 ,其耦合长度随波导间距的增加近似指数增长 .模拟了光波在器件中的传输演变情况 ,用条形光波导的基模在给定定向耦合器的左通道激励 ,传输 2 6 2mm之后模场转移至右通道 ,获得了交叉态 (CrossState) .另外 ,3D SEM BPM最终将BPM基本方程归结为一阶常微分方程组 ,方法简单 ;导出矩阵小 ,计算效率高 .处理边界条件时 ,引入正切函数变换将无限平面映射成单位平面 。 展开更多
关键词 gaas/gaalas 条形光波导 定向耦合器
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非对称大光腔GaAlAs／GaAs激光器及其特性
15
作者 康晓黎 宋南辛 +3 位作者 朱丽津 李锡华 张银女 陈高庭 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第1期18-22,共5页
本文分析了非对称大光腔结构在提高激光器灾变性光学损伤阈值光功率方面的优点；报道了我们研究非对称大光腔ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ激光器的初步结果：未涂覆单而输出光功率（ＣＷ）大于８５ｍＷ；阈值电流范围为６０—８０ｍＡ；微分... 本文分析了非对称大光腔结构在提高激光器灾变性光学损伤阈值光功率方面的优点；报道了我们研究非对称大光腔ＧａＡｌＡｓ／ＧａＡｓ激光器的初步结果：未涂覆单而输出光功率（ＣＷ）大于８５ｍＷ；阈值电流范围为６０—８０ｍＡ；微分量子效率每面２５％；器件为基横模工作． 展开更多
关键词 激光器 大光腔 特性 gaalas/gaas
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多功能2×2 GaAs/GaAlAs多模干涉型光开关分析 被引量：1
16
作者 肖金标 孙小菡 +3 位作者 蔡纯 张夕飞 朱建彬 张明德 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第8期1201-1204,共4页
提出了一种基于深刻蚀脊形光波导带模斑转换器的多功能 2× 2GaAs/GaAlAs多模干涉型光开关 ,并用变量变换级数展开法及三维有限差分束传播法对其进行了模拟分析与优化设计 .结果表明 ,通过控制多模波导中央的两段Schottky电极 ,器... 提出了一种基于深刻蚀脊形光波导带模斑转换器的多功能 2× 2GaAs/GaAlAs多模干涉型光开关 ,并用变量变换级数展开法及三维有限差分束传播法对其进行了模拟分析与优化设计 .结果表明 ,通过控制多模波导中央的两段Schottky电极 ,器件可实现交叉态、直通态及 3dB耦合器功能 ,并有较大的制作容差、较宽的工作带宽 ,只须一个多模波导 ,器件结构紧凑 .采用深刻蚀脊形光波导能够满足多模干涉型器件的精确自镜像要求 ,并使输入 /输出光波导在单模工作下有较大的横截面 ,较低的弯曲损耗及较小的耦合串扰 .通道末端引入的模斑转换器可方便地与单模光纤连接耦合 . 展开更多
关键词 光开关 多模干涉 gaas/gaalas 变量变换级数展开法 三维有限差分束传播法
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GaAs/GaAlAs单量子阱电光吸收和光调制 被引量：1
17
作者 朱龙德 能飞克 +3 位作者 王启明 陈正豪 谢苑林 顾世杰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第3期202-209,共8页
制作并研究了GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱台面条形单模波导电致吸收光调制器。量子阱宽度为100A,长度为700μm的器件,当传输光波长为8650A时TE偏振最大调制深度(开关比)为29.7dB,插入损耗吸收分量为3dB;TM偏振最大调制深度为28.5dB。... 制作并研究了GaAs/GaAlAs分别限制单量子阱台面条形单模波导电致吸收光调制器。量子阱宽度为100A,长度为700μm的器件,当传输光波长为8650A时TE偏振最大调制深度(开关比)为29.7dB,插入损耗吸收分量为3dB;TM偏振最大调制深度为28.5dB。用2V电压幅度可以得到15dB的开关比。光电导谱的测量表明,偏压从+0.5V变到-7V时吸收边的红移为600A,即量子阱中室温激子的共振吸收峰移动了96meV。单阱高场条件下首次观察到了导带第二能级电子和价带第一能级空穴间激子的共振吸收线的出现,增强和移动。 展开更多
关键词 gaas/gaalas 量子讲 电光吸收 调制
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硅基GaAs／GaAlAs平面光波导的研究 被引量：1
18
作者 赵策洲 朱作云 +3 位作者 李跃进 刘恩科 李国正 刘西钉 《红外与毫米波学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1996年第3期221-223,共3页
分析了金属有机化合物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ／Ｓｉ材料结构的性能，用ＭＯＣＶＤ法在硅衬底上生长了ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ材料，并用这种材料制备了平面光波导样品，测出１．３μｍ... 分析了金属有机化合物化学气相淀积（ＭＯＣＶＤ）ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ／Ｓｉ材料结构的性能，用ＭＯＣＶＤ法在硅衬底上生长了ＧａＡｓ／ＧａＡｓＡｌ／ＧａＡｓ材料，并用这种材料制备了平面光波导样品，测出１．３μｍ单模激光的传输损耗小于０．６５ｄＢ／ｃｍ． 展开更多
关键词 gaasAl MOCVD 光波导 砷化镓
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电解液电反射法研究GaAs/GaAlAs多层结构材料 被引量：1
19
作者 王周成 彭瑞伍 钱佑华 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1991年第3期184-187,共4页
在研究GaAs和GaAlAs电解液电反射谱的基础上,把电解液电反射方法与电化学可控阳极溶解技术结合起来,对GaAs/GaAlAs多层结构材料进行深度剖面分析。根据阳极溶解过程中电反射谱的变化,研究了多层结构材料的界面性质、p-n结位置和纵向铝... 在研究GaAs和GaAlAs电解液电反射谱的基础上,把电解液电反射方法与电化学可控阳极溶解技术结合起来,对GaAs/GaAlAs多层结构材料进行深度剖面分析。根据阳极溶解过程中电反射谱的变化,研究了多层结构材料的界面性质、p-n结位置和纵向铝组分分布。 展开更多
关键词 gaas/gaalas 半导体 电解液电反射
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GaAlAs／GaAs多量子阶增益耦合型DFB激光器／电吸收型调制器单片光子集成器件 被引量：1
20
作者 罗毅 蒲锐 +5 位作者 孙长征 彭吉虎 平田隆昭 江口匡史 中野义昭 多日邦雄 《Journal of Semiconductors》 CSCD 北大核心 1996年第5期347-352,共6页
我们在国际上率先提出将增益耦合型分布反馈式（ＧＣ－ＤＦＢ）半导体激光器作为激光器／调制器单片集成器件的光源．为了简化制作工艺，进一步提出激光器的有源层与调制器波导共用同一组分和同一结构．本文从理论上分析了该新型器件的... 我们在国际上率先提出将增益耦合型分布反馈式（ＧＣ－ＤＦＢ）半导体激光器作为激光器／调制器单片集成器件的光源．为了简化制作工艺，进一步提出激光器的有源层与调制器波导共用同一组分和同一结构．本文从理论上分析了该新型器件的可行性，优化设计了器件结构．在此基础上，采用金属有机化合物化学汽相外延技术（ＭＯＣＶＤ）在国际上首次研制成功了该种增益耦合型ＤＦＢ激光器／电吸收型调制器单片光子集成器件．器件阈值电流为３５ｍＡ，在—５Ｖ调制电压下消光比达５ｄＢ．静态调制过程中，激射波长与阈值没有变化． 展开更多
关键词 DFB激光器 调制器 光子集成器件 gaalas gaas
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