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超大规模集成电路硅片溶液清洗技术的进展被引量：3: 1; 作者张树永郭永榔 +1 位作者曹宝成于新好《化学进展》 SCIE CAS CSCD 2000年第1期103-107,共5页; 本文综述了超大规模集成电路制造过程中硅片溶液清洗技术的研究历史及现状，并对技术的未来发展进行了展望。; 关键词 VLSI 集成电路硅片溶液清洗技术清洁度; 在线阅读下载PDF 职称材料

ULSI制备中氧化硅介质化学机械抛光的研究被引量：5: 2; 作者刘玉岭檀柏梅 +1 位作者李志刘立威《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第6期415-418,共4页; 对超大规模集成电路制备中二氧化硅介质的抛光机理、工艺条件的选择进行了大量理论和实验研究 ,着重研究了使用化学方法提高抛光速率、改善表面状况以及如何解决抛光浆料的沉积等问题 ,并实现了技术突破。; 关键词化学机械抛光全局平面化 ULSI 二氧化硅; 在线阅读下载PDF 职称材料

ULSI制备中二氧化硅等介质化学机械抛光的研究被引量：2: 3; 作者刘玉岭蔡冰祁刘立威《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2000年第3期27-28,共2页; 对 UL SI制备中 Si、 Si O2 等 CMP工艺技术条件 ,尤其是温度对提高全局平面化即平整度、粗糙度 (抛光雾 )进行了深入研究 ,从机理上提出了以化学作用为主的溶除机理 ,确定了低温、快速率、大流量的新的技术方法。; 关键词 ULSI 化学机械抛光集成电路二氧化硅; 在线阅读下载PDF 职称材料

利用表面活性剂有效去除ULSI衬底硅片表面吸附颗粒被引量：3: 4; 作者古海云刘玉岭《电子器件》 CAS 2000年第4期298-302,共5页; 利用表面活性剂特性 ,通过改变硅片和颗粒表面 ξ-电势来改变硅片表面和颗粒间静电力极性 ,有效地控制硅片表面颗粒吸附状态长期处于易清洗的物理吸附状态。; 关键词表面吸附颗粒表面活性剂 ULSI 衬底硅片; 在线阅读下载PDF 职称材料

镶嵌钨的化学机械抛光的研究被引量：2: 5; 作者刘玉岭杨鸿波 +1 位作者檀柏梅梁存龙《半导体杂志》 2000年第4期40-45,50,共7页; 研究的是ULSI镶嵌钨CMP的选择性 ,化学与机械作用匹配 ,浆料的悬浮及存放和后清洗等问题。; 关键词 ULSI 化学机械抛光钨集成电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

VLSI背面金属化技术研究被引量：1: 6; 作者薛成山庄惠照《微电子技术》 1996年第5期10-16,共7页; 关键词 VLSI 背面金属化芯片集成电路; 在线阅读下载PDF 职称材料

欧瑞康系统接到大订单: 7; 作者白京《江苏纺织》 2013年第11期21-21,共1页; 欧瑞康巴尔查斯是瑞士欧瑞康集团物一个事业部，也是世界领称的PVK涂层供应商之一。其CLUSTERLINE300系统使用的功率器件，已接到很多订单。CLUSTERLINE300是专为最高达300毫米晶片的高级封装和背面金属化应用而设计的第一个PVD工具。... 展开更多; 关键词订单系统背面金属化功率器件供应商 PVK PVD 技术; 在线阅读下载PDF 职称材料

超纯化学剂的探索: 8; 作者 Iscoff,R 文汉《电子材料（机电部）》 1991年第11期1-7,共7页; 关键词 ULSI 芯片工艺化学剂纯化; 在线阅读下载PDF 职称材料

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