MOSFET的电离辐照效应 被引量：15

1

作者 高文钰 严荣良 +2 位作者 余学峰 任迪远 范隆 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第8期475-481,共7页

本文研究了MOSFET的电离辐照效应,给出了辐照在MOSFET栅介质中引起氧化物电荷对阈电压的贡献与辐照剂量和栅偏置电场的相互依赖关系.结果表明,辐照引起的氧化物电荷与管子的沟道种类无关.另外,漏源电压对MOSFET的辐照响应也有影响.统计... 本文研究了MOSFET的电离辐照效应,给出了辐照在MOSFET栅介质中引起氧化物电荷对阈电压的贡献与辐照剂量和栅偏置电场的相互依赖关系.结果表明,辐照引起的氧化物电荷与管子的沟道种类无关.另外,漏源电压对MOSFET的辐照响应也有影响.统计数据表明,对管子阈电压漂移有贡献的界面态的能级范围大约为 E_s/2.对实验结果进行了讨论. 展开更多

关键词 MOS集成电路 电离辐照效应 测试

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CMOS电路电流测试综述 被引量：13

2

作者 闵应骅 《计算机研究与发展》 EI CSCD 北大核心 1999年第2期129-133,共5页

集成电路设计与测试是当今计算机技术研究的主要问题之一．ＣＭＯＳ电路的静态电流（ＩＤＤＱ）测试方法自８０年代提出以来，已被工业界采用，作为高可靠芯片的测试手段．近年来，动态电流（ＩＤＤＴ）测试方法正在研究中．现在正面临... 集成电路设计与测试是当今计算机技术研究的主要问题之一．ＣＭＯＳ电路的静态电流（ＩＤＤＱ）测试方法自８０年代提出以来，已被工业界采用，作为高可靠芯片的测试手段．近年来，动态电流（ＩＤＤＴ）测试方法正在研究中．现在正面临一些亟待解决的问题，希望大家的参与． 展开更多

关键词 CMOS电路 电流测试 集成电路 计算机

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I_(DDQ)测试技术探讨 被引量：4

3

作者 周生龙 缪栋 《国外电子测量技术》 2001年第1期13-15,24,共4页

本文介绍CMOS电路的静态电流I_(DDQ)测试的有关概念,讨论I_(DDQ)阀值的确定方法和几种测试电路的实现,并对I_(DDQ)测试矢量的产生进行简要评述,指出在深亚微米条件下继续运用I_(DDQ)测试方法的可行性和实现方法。

关键词 CMOS IDDQ测试 集成电路 静态电流测试

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CMOS集成电路功能测试方法及实现 被引量：3

4

作者 陈琼 冯建农 《电子测量技术》 1998年第1期19-22,共4页

文中根据CMOS集成电路的特点,阐述了利用PC机进行CMOS集成电路功能测试、逻辑仿真及其系统实现方法。文中介绍的方法,可对各种通用、专用CMOS数字集成电路芯片及其应用电路,进行电路功能测试和逻辑仿真。

关键词 检测技术 集成电路 CMOS

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探索用端口Ⅰ-Ⅴ特性对CMOS电路的静电放电(ESD)潜在损伤进行分析诊断 被引量：4

5

作者 来萍 刘发 《电子产品可靠性与环境试验》 1999年第6期25-29,共5页

探索用端口Ⅰ一Ⅴ特性对CMOS电路的ESD潜在损伤进行分析诊断，给出受ESD潜在损伤电路端口特性变化的一些特征，对用Ⅰ－Ⅴ特性变化表征潜在损伤器件的条件和局限性进行了讨论。

关键词 ESD 潜在损伤 端口Ⅰ-Ⅴ特性 分析诊断 CMOS电路

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用于CMOS集成电路的IDDQ测试技术研究 被引量：1

6

作者 吉国凡 薛宏 王忆文 《微处理机》 1999年第3期13-15,29,共4页

主要介绍了 CMOS电路的 IDDQ测试技术。该技术的实现方法有两种 :一种是片内 IDDQ测试 ;另一种是片外 IDDQ测试。前一种是在被测芯片内 ,设计一个电流传感器。后者是在被测芯片外的负载板上附加一个小电路 ,变 IDDQ为电压测试 。

关键词 CMOS集成电路 IDDQ 测试 集成电路

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TTL和CMOS数字集成电路的计算机检测

7

作者 叶念渝 何兆湘 《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1989年第5期21-24,共4页

本文提出一种用微型计算机对TTL和CMOS数字集成电路进行检测的原理和方法,并简述了硬件和软件的某些设计技巧。

关键词 集成电路 计算机检测 CMOS TTL

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CMOSIC抗闩锁、抗静电的测试及防护措施的研究 被引量：2

8

作者 曹宏斌 《半导体情报》 1999年第5期57-62,共6页

通过对三种ＣＭＯＳＣ４０６９ 电路抗闩锁灵敏度、抗静电敏感度测试的研究和比较，提出高可靠性电路的质量评估。除对器件功能参数（直交流参数） 高低温参数测试外， 还必须对抗闩锁、抗静电敏感度进行测量和评估， 可真实反映器件的... 通过对三种ＣＭＯＳＣ４０６９ 电路抗闩锁灵敏度、抗静电敏感度测试的研究和比较，提出高可靠性电路的质量评估。除对器件功能参数（直交流参数） 高低温参数测试外， 还必须对抗闩锁、抗静电敏感度进行测量和评估， 可真实反映器件的可靠性。避免ＣＭＯＳ器件在包装、运输和使用中带来隐患， 展开更多

关键词 抗闩锁 抗静电 静电防护 测试 CMOS电路

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CMOS存贮单元的开路故障可测性设计 被引量：1

9

作者 刘建都 《微电子技术》 1994年第2期10-14,共5页

在CMOS电路中，静态寄存器和触发器的某些电路分支的开路故障导致触发器变为动态，这些开路故障是不可检测的。事实上，大部分时序存贮器中的不可测开路故障都属于这一类。针对这一情况，本文提出了一种可使该类故障变为可测的设计方法... 在CMOS电路中，静态寄存器和触发器的某些电路分支的开路故障导致触发器变为动态，这些开路故障是不可检测的。事实上，大部分时序存贮器中的不可测开路故障都属于这一类。针对这一情况，本文提出了一种可使该类故障变为可测的设计方法，并给出了两个开路故障完全可测的寄存器电路。 展开更多

关键词 存贮单元 开路故障 可测性 CMOS

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I_(DDQ)测试方法的研究与实现

10

作者 吴丹 石坚 周红 《计算机与数字工程》 2000年第2期32-35,共4页

I_(DDQ)测试是当前倍受国内外业界人士关注的一种新的CMOS集成电路测试方法和技术。这种测试是在多种输入逻辑条件下测试CMOS电路的静态电源电流参数值,它可以有效地检测出早期失效器件。I_(DDQ)测试的关键技术是测试向量自动生成及高... I_(DDQ)测试是当前倍受国内外业界人士关注的一种新的CMOS集成电路测试方法和技术。这种测试是在多种输入逻辑条件下测试CMOS电路的静态电源电流参数值,它可以有效地检测出早期失效器件。I_(DDQ)测试的关键技术是测试向量自动生成及高效的测试实现技术。围绕这两大课题,本文提出了一种基于ITS9000测试系统的功能I_(DDQ)测试方法和技术,并在ITS9000上进行了测试试验。实践表明,这种功能I_(DDQ)测试方法,可以自动生成测试向量集和测试程序,测试效率高,测量结果精确,测试操作简便易行。 展开更多

关键词 COMS集成电路 测试方法 IDDQ

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CMOS集成电路测试中的几个问题

11

作者 栗学忠 王忆文 静恩军 《微处理机》 1993年第4期40-44,共5页

作者根据多年来对CMOS集成电路测试过程中发现的技术问题,提出了具体解决办法。本文较详细介绍了CMOS器件的功耗概念,△Icc参数的重要性及测试方法。对于近几年已引起集成电路厂商和军界重视的使用I_(DDQ)测试法发现工艺制做过程中可能... 作者根据多年来对CMOS集成电路测试过程中发现的技术问题,提出了具体解决办法。本文较详细介绍了CMOS器件的功耗概念,△Icc参数的重要性及测试方法。对于近几年已引起集成电路厂商和军界重视的使用I_(DDQ)测试法发现工艺制做过程中可能存在的缺陷,作一简要介绍。文章还叙述了芯片测试过程中存在的波形反射及解决办法,对于因连线引起的参数误差,提出了修正措施。 展开更多

关键词 集成电路 测试 CMOS

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MOS管沟道长度及衬底调制效应对其特性曲线影响的计算机模拟

12

作者 周瑞雪 《物理实验》 北大核心 2001年第9期19-21,共3页

借助 CAD电路仿真工具 PSpice模拟研究了

关键词 MOS管 特性曲线 沟道长度调制效应 衬底调制效应 计算机仿真 MOS场效应管 PSPICE软件

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I_(DDQ)测试理论及技术

13

作者 单涛 陶然 《电子科技导报》 1999年第2期32-34,共3页

介绍了ＩＤＤＱ测试的基本概念、原理、测试方法及应用，分析了深亚微米技术给ＩＤＤＱ测试带来的困难和几种可能的解决措施。

关键词 CMOS电路 IDDQ缺陷 故障模型 IC 测试

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FAN算法在瞬态电流测试产生中的应用 被引量：8

14

作者 魏小芬 邝继顺 《同济大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第10期1239-1243,共5页

在不考虑冒险的情况下 ,对于CMOS电路中的开路故障 ,探讨了利用FAN算法进行瞬态电流测试产生的可能性 .定义了三种不同的D前沿 ,并将测试产生分为激活故障、使无故障电路和故障电路的瞬态电流差别最大化、减少旁路的影响三个部分 .实验... 在不考虑冒险的情况下 ,对于CMOS电路中的开路故障 ,探讨了利用FAN算法进行瞬态电流测试产生的可能性 .定义了三种不同的D前沿 ,并将测试产生分为激活故障、使无故障电路和故障电路的瞬态电流差别最大化、减少旁路的影响三个部分 .实验结果说明 ,在不考虑冒险的情况下 ,将FAN算法应用于瞬态电流测试产生是可行的 . 展开更多

关键词 CMOS电路 开路故障 测试产生 瞬态电流测试 D前沿 数字集成电路 FAN算法

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CMOS电路功耗电流构成及测试方法

15

作者 栗学忠 《微处理机》 1996年第1期87-89,共3页

该文介绍了CMOS器件功耗电流由三部分构成，扼要叙述了形成静态电流、动态电流以及附加静态电流的机理；举例介绍了附加静态电流的计算方法，对于如何利用大规模集成电路测试系统去测量三种电流也作了相应说明。文章还具体介绍了通过测... 该文介绍了CMOS器件功耗电流由三部分构成，扼要叙述了形成静态电流、动态电流以及附加静态电流的机理；举例介绍了附加静态电流的计算方法，对于如何利用大规模集成电路测试系统去测量三种电流也作了相应说明。文章还具体介绍了通过测试CMOS静态功耗电流，发现其内部缺陷，将早期失效的电路筛选出来，以提高整机可靠性。 展开更多

关键词 功耗电流 静态电流 测试 CMOS电路

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医用电气设备泄漏电流测试 被引量：2

16

作者 栾良良 王艳林 +1 位作者 王晓飞 邵海明 《现代电子技术》 2013年第2期158-161,共4页

泄漏电流是医用电气设备的一个重要指标。根据IEC 60601 1国际标准,详细介绍了医用电气设备漏电流的分类、测试网络的来源、故障状态,并分析泄露电流在各种状态下的容许值,为检测医用电气设备的可靠性提供依据。

关键词 IEC 606011 泄漏电流 故障状态 容许值

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克服CMOS电路测试中的闩锁现象

17

作者 邵金仙 《微电子测试》 1996年第4期20-25,共6页

文章叙述了CMOS电路寄生可控硅现象的成因及其触发机理。针对实际测试情况,分析了测试过程中导致被测器件闩锁的原因。最后提出了相应的措施,从外部防止和克服CMOS电路闩锁的形成。

关键词 CMOS电路 测试 门锁现象 集成电路

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CMOS集成电路测试中的几个问题

18

作者 栗学忠 《微电子测试》 1994年第4期17-21,共5页

作者根据多年来对CMOS集成电路测试过程中发现的一些技术问题,提出了解决办法。本文较详细介绍了CMOS器件的功耗概念,ΔI_(CC)参数的重要性及测试方法。对于近几年已引起集成电路厂商和军界重视的使用I_(CCQ)测试法发现工艺制造过程中... 作者根据多年来对CMOS集成电路测试过程中发现的一些技术问题,提出了解决办法。本文较详细介绍了CMOS器件的功耗概念,ΔI_(CC)参数的重要性及测试方法。对于近几年已引起集成电路厂商和军界重视的使用I_(CCQ)测试法发现工艺制造过程中可能存在的缺陷,作一简要介绍。文章还叙述了芯片测试过程中存在的波形反射及解决办法,对于因连线引起的参数误差,提出了修正措施。 展开更多

关键词 CMOS器件 集成电路 测试

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用于I_(DDQ)测试的片内电流传感器 被引量：2

19

作者 范鹏程 王志华 高文焕 《微电子测试》 1997年第1期28-38,共11页

本文首先讨论了设计用于I_(DDQ)测试的片内电流传感器时应该考虑的一些问题,然后介绍了8种较有代表性的片内电流传感器设计方案,并对它们进行了比较,最后提出与片内电流传感器的设计和应用相关的一些课题。

关键词 CMOS集成电路 测试 片内电流传感器

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a—Si：HFET特性理论新分析及验证

20

作者 惠恒荣 卢波 《电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第5期468-474,共7页

本文提出运电容分压原理来解决α-Si:H MOSFET 栅压φ_GS与表面电势φ_S 关系的新方法,分析其转移特性和输出特性,唯象地解释了“积累”工作模式的源漏电流饱和现象.根据理论分析,设计并... 本文提出运电容分压原理来解决α-Si:H MOSFET 栅压φ_GS与表面电势φ_S 关系的新方法,分析其转移特性和输出特性,唯象地解释了“积累”工作模式的源漏电流饱和现象.根据理论分析,设计并制出α-Si:H MOS FET 样品,测试结果表明理论与实验能较好吻合. 展开更多

关键词 A-SI:H FET 电容分压原理 验证

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