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一种控制硅深刻蚀损伤方法的研究 被引量：2
1
作者 阮勇 叶双莉 +2 位作者 张大成 任天令 刘理天 《微纳电子技术》 CAS 2007年第7期37-39,共3页
提出了提高硅深反应离子刻蚀的新方法。该方法在硅的侧壁PECVD淀积SiO2，硅的底部采用热氧化的方法形成SiO2。由于在刻蚀中硅与SiO2的刻蚀选择比为120∶1-125∶1，因此SiO2层可以抑制在硅-玻璃结构的刻蚀中出现的lag和footing效应，扫... 提出了提高硅深反应离子刻蚀的新方法。该方法在硅的侧壁PECVD淀积SiO2，硅的底部采用热氧化的方法形成SiO2。由于在刻蚀中硅与SiO2的刻蚀选择比为120∶1-125∶1，因此SiO2层可以抑制在硅-玻璃结构的刻蚀中出现的lag和footing效应，扫描电镜结果也证明，采用改进工艺后的硅结构在经过长时间的过刻蚀后仍然保持了完整性。硅陀螺测试结果也证明了改进工艺的正确性。 展开更多
关键词 微电子机械系统 硅-玻璃阳极键合 硅深刻蚀 刻蚀损伤
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RIE精确传递微光学三维结构于红外材料的方法 被引量：1
2
作者 邱传凯 杜春雷 +2 位作者 潘丽 曾红军 王永茹 《光子学报》 EI CAS CSCD 1999年第9期849-852,共4页
本文对红外光学材料锗的蚀刻性能、机制进行了深入的研究，在反应离子蚀刻（ＲＩＥ）实验基础上，建立了锗材料蚀刻性能与ＲＩＥ工艺参量的关系，经过大量的实验，找到了稳定蚀刻速率的方法和条件。
关键词 反应离子蚀刻 微浮雕结构 蚀刻率 红外材料
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硅基高长径比微孔列阵及其应用 被引量：1
3
作者 李野 向嵘 +7 位作者 王国政 王新 陈力 付申成 吴奎 姜德龙 端木庆铎 田景全 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2007年第6期862-865,共4页
介绍了硅基高长径比微孔列阵形成的多路感应耦合等离子体刻蚀和电化学刻蚀等半导体工艺技术,给出了实验系统、原理、方法和实验结果,指出了工艺中出现的新现象和亟待解决的新问题,阐述了其在二维通道电子倍增器-微通道板中的应用。
关键词 微孔列阵 长径比 微通道板 半导体工艺
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等离子体刻蚀工艺的优化研究 被引量：10
4
作者 王晓光 朱晓明 尹延昭 《中国新技术新产品》 2010年第14期22-22,共1页
本文基于对硅的等离子刻蚀(RIE)工艺参数的研究,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线[1],优化了刻蚀硅的工艺条件。通过台阶仪的测量,实验结果表明优化工艺条件下的硅化物的刻蚀具有较高的刻蚀速率和... 本文基于对硅的等离子刻蚀(RIE)工艺参数的研究,得出了刻蚀速率与射频功率、刻蚀气体压强和刻蚀气体流量之间的关系曲线[1],优化了刻蚀硅的工艺条件。通过台阶仪的测量,实验结果表明优化工艺条件下的硅化物的刻蚀具有较高的刻蚀速率和较高的选择比。 展开更多
关键词 等离子体 干法刻蚀 刻蚀速率 均匀性
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1μm宽硅深槽刻蚀技术 被引量：3
5
作者 王清平 郭林 +2 位作者 刘兴凤 蔡永才 黄正学 《微电子学》 CAS CSCD 1996年第1期35-39,共5页
介绍了硅深槽刻蚀的基本原理和影响对蚀效果的几个主要工艺因素。提出了一种实现１μｍ宽的硅深槽刻蚀工艺途径；并给出了１μｍ宽、８μｍ深、侧壁及底部光洁的硅深糟刻蚀工艺条件。
关键词 反应离子刻蚀 硅深槽隔离 微电子器件 工艺
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HBr反应离子刻蚀硅深槽 被引量：1
6
作者 刘家璐 张廷庆 +2 位作者 刘华预 王清平 叶兴耀 《微电子学》 CAS CSCD 1995年第4期39-44,共6页
对ＨＢｒ反应离子刘蚀硅和ＳｉＯ＿２进行了实验研究。介绍了ＨＢｒ等离子体的刻蚀特性，讨论了ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的刻蚀机理，研究了ＨＢｒ中微量氧、碳对ＨＢｒＲＩＥ刻蚀过程的影响。实验表明，ＨＢｒ是一种刻蚀硅深槽理想的含原... 对ＨＢｒ反应离子刘蚀硅和ＳｉＯ＿２进行了实验研究。介绍了ＨＢｒ等离子体的刻蚀特性，讨论了ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的刻蚀机理，研究了ＨＢｒ中微量氧、碳对ＨＢｒＲＩＥ刻蚀过程的影响。实验表明，ＨＢｒ是一种刻蚀硅深槽理想的含原子溴反应气体。采用ＨＢｒＲＩＥ，可获得高选择比（对Ｓｉ／ＳｉＯ＿２）和良好的各向异性。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 硅槽刻蚀 集成电路
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耐反应离子刻蚀的紫外激光光致抗蚀剂的研究 被引量：1
7
作者 金桂林 金晓英 +2 位作者 施善定 蔡根寿 黄均文 《激光杂志》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期65-69,共5页
以芳香族双迭氮基化合物为交联剂，苯氧基二苯甲酮为光敏剂，聚甲基丙烯酸甲酯（ＰＭＭＡ）为基质树脂，合成了负型激光光致抗蚀剂。该体系能够在氮分子激光辐照下发生灵敏的光致交联反应，所生成的致密薄膜可以耐四氟化碳等离子体的反... 以芳香族双迭氮基化合物为交联剂，苯氧基二苯甲酮为光敏剂，聚甲基丙烯酸甲酯（ＰＭＭＡ）为基质树脂，合成了负型激光光致抗蚀剂。该体系能够在氮分子激光辐照下发生灵敏的光致交联反应，所生成的致密薄膜可以耐四氟化碳等离子体的反应离子刻蚀（ＲＩＥ）。用付里叶变换红外光谱法与紫外光谱法研究了激光光致交联反应以及反应离子刻蚀的动力学过程。讨论了影响反应速率以及刻蚀选择比的诸因素。 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 光致抗蚀剂 微电子学
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反应离子刻蚀工艺中的充电效应 被引量：2
8
作者 胡恒升 张敏 《电子学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第11期81-83,67,共4页
本文阐述了反应离子刻蚀 (RIE)工艺过程中充电效应产生的机理 ,认为它是由等离子体分布的不均匀性引起的 ,推导了等离子体充电电流的表达式 .
关键词 反应离子刻蚀 等离子体不均匀 充电效应
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铌酸锂的反应离子刻蚀 被引量：2
9
作者 应再生 黄涛 《微细加工技术》 1992年第1期35-38,共4页
本文介绍了铌酸锂晶体在四氟化碳气氛中的反应离子刻蚀。对刻蚀参数的选择原则从机理上加以探讨,并对掩膜的选择进行了试验,最后得到线宽为3.5mm的铌酸锂光栅和槽深为1.1mm的铌酸锂沟道的刻蚀样品。
关键词 集成光学 铌酸锂 反应离子刻蚀
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CF_4、SF_6和NF_3反应离子腐蚀硅表面粗糙度的研究 被引量：1
10
作者 苏毅 谭淞生 王渭源 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1993年第6期375-380,T001,T002,共8页
本文采用CF_4、SF_6和NF_3三种腐蚀气体对硅进行反应离子腐蚀,研究了腐蚀表面粗糙度与腐蚀工艺条件(气压、射频功率),附加气体和腐蚀深度等因素之间的关系。并通过SEM和Auger能谱仪分析,探讨了引起腐蚀表面粗糙的原因。
关键词 反应离子刻蚀 腐蚀工艺 表面粗糙率
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金薄膜的反应离子刻蚀工艺研究 被引量：3
11
作者 赵飞 党元兰 《电子工艺技术》 2012年第1期53-56,共4页
采用反应离子刻蚀(RIE)工艺对金薄膜进行了干法刻蚀研究,得到了刻蚀速率随两极间偏压、气体压强和气体成分等因素变化的规律。试验结果表明,刻蚀速率随偏压的增加而增大;当压强增加时,刻蚀速率先增加后减小;不同种类的气体对刻蚀速率影... 采用反应离子刻蚀(RIE)工艺对金薄膜进行了干法刻蚀研究,得到了刻蚀速率随两极间偏压、气体压强和气体成分等因素变化的规律。试验结果表明,刻蚀速率随偏压的增加而增大;当压强增加时,刻蚀速率先增加后减小;不同种类的气体对刻蚀速率影响较大;刻蚀时间与刻蚀厚度在一定范围内成正比。另外,找到了控制刻蚀过程均匀性和选择比的方法。 展开更多
关键词 金薄膜 反应离子刻蚀 刻蚀速率
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单晶硅波导基槽刻蚀工艺的研究
12
作者 黄伟志 韩晓军 +1 位作者 吴旻 潘姬 《天津工业大学学报》 CAS 2002年第4期67-69,共3页
对埋藏式单晶硅波导基槽进行了反应离子刻蚀的研究 ,介绍氟化物反应离子刻蚀机理 .对CF4 和SF6气体在不同工艺条件下的刻蚀速率及刻蚀效果进行了分析 ,总结出刻蚀优化工艺条件 ,解决了刻蚀中存在的工艺难题 .试验表明 ,在CF4 加O2 的优... 对埋藏式单晶硅波导基槽进行了反应离子刻蚀的研究 ,介绍氟化物反应离子刻蚀机理 .对CF4 和SF6气体在不同工艺条件下的刻蚀速率及刻蚀效果进行了分析 ,总结出刻蚀优化工艺条件 ,解决了刻蚀中存在的工艺难题 .试验表明 ,在CF4 加O2 的优化工艺条件下 ,其刻蚀具有良好的各向异性和较高的重复性 。 展开更多
关键词 单晶硅 刻蚀工艺 反应离子刻蚀 波导基槽 活性基 集成电路
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HBr反应离子刻蚀微米硅深槽
13
作者 刘家璐 张廷庆 +1 位作者 王清平 叶兴耀 《西安电子科技大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第1期76-78,共3页
采用一种新型的刻蚀气体——ＨＢｒ＋Ｈｅ作为反应离子刻蚀气体，用ＳｉＯ２作为刻硅槽的掩膜，在８～１３Ω·ｃｍＰ型（１００）硅片上，刻出槽宽１．２μｍ，槽深０．８μｍ的硅深槽，并对ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的高度各向异性以... 采用一种新型的刻蚀气体——ＨＢｒ＋Ｈｅ作为反应离子刻蚀气体，用ＳｉＯ２作为刻硅槽的掩膜，在８～１３Ω·ｃｍＰ型（１００）硅片上，刻出槽宽１．２μｍ，槽深０．８μｍ的硅深槽，并对ＨＢｒ反应离子刻蚀硅的高度各向异性以及刻蚀过程中产生的“宽度”效应和“黑硅”现象进行了分析． 展开更多
关键词 反应离子刻蚀 硅深槽 溴化氢 集成电路工艺
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用于MFIS的铁电薄膜刻蚀技术研究
14
作者 颜雷 黄维宁 +5 位作者 姜国宝 汤庭鳌 程旭 钟琪 姚海平 汤祥云 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第1期8-10,共3页
制备MFIS存储器的铁电薄膜一般选用抗疲劳特性好的SBT铁电薄膜,介质层一般选用ZrO2作为阻挡层,以克服电荷注入效应,改进器件的性能。在MFIS的研制中,SBT薄膜和ZrO2薄膜的刻蚀是关键工艺之一。研究了用SF6和Ar作为反应气体刻蚀SBT及ZrO2... 制备MFIS存储器的铁电薄膜一般选用抗疲劳特性好的SBT铁电薄膜,介质层一般选用ZrO2作为阻挡层,以克服电荷注入效应,改进器件的性能。在MFIS的研制中,SBT薄膜和ZrO2薄膜的刻蚀是关键工艺之一。研究了用SF6和Ar作为反应气体刻蚀SBT及ZrO2薄膜的方法,对不同条件下SBT和ZrO2的刻蚀速率进行了实验研究和讨论、分析,得到了刻蚀SBT及ZrO2的优化工艺条件。 展开更多
关键词 铁电存储器 反应离子刻蚀 铁电薄膜
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一种简单多极磁约束的反应离子刻蚀装置的研究
15
作者 黄光周 于继荣 赖国燕 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1995年第8期97-101,共5页
本文叙述了多极磁约束的反应离子刻蚀装置。该装置具有结构简单，低损伤和各向异性刻蚀的优点。在射频率为１００ｗ，工作压强为１．３３（０．０１～１０）Ｐａ的氩气氛中，典型的离子密度为（１．０～１．５）×１０（１０）ｃｍ... 本文叙述了多极磁约束的反应离子刻蚀装置。该装置具有结构简单，低损伤和各向异性刻蚀的优点。在射频率为１００ｗ，工作压强为１．３３（０．０１～１０）Ｐａ的氩气氛中，典型的离子密度为（１．０～１．５）×１０（１０）ｃｍ（－３），电子温度为１．９～４．１ｅＶ，等离子体电位１０—５０Ｖ，有磁场的离子密度比没有磁场的离子密度大几个数量级。它是一种具有广泛应用前景的等离子刻蚀装置。 展开更多
关键词 等离子体装置 磁约束 反应离子刻蚀
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反应离子刻蚀(RIE)Si_3N_4的研究 被引量：1
16
作者 余山 章定康 黄敝 《电子工艺技术》 1991年第5期17-19,共3页
反应离子刻蚀工艺是微细加工的普遍工艺,用开制做各种集成电路。本文对用CF_4+O_2为反应气体RIE Si_3N_4进行了研究,取得了较好的结果。
关键词 微细加工 离子刻蚀 SIN 集成电路
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激光二极管端泵平板Nd:YAG、Nd:YVO_4和Nd:GdVO_4晶体热效应比较 被引量：9
17
作者 曹海宾 高峰 +1 位作者 范婷 李金平 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2011年第12期2365-2369,共5页
以解析热分析理论为基础,建立了平板Nd:YAG、Nd:YVO4和Nd:GdVO4晶体在激光二极管阵列端泵抽运时的导热微分方程。通过方程求解,得到三种晶体内部温度场和热形变分布的解析式。温度场和热形变场的数值模拟表明:当泵浦光功率Po=30 W、泵... 以解析热分析理论为基础,建立了平板Nd:YAG、Nd:YVO4和Nd:GdVO4晶体在激光二极管阵列端泵抽运时的导热微分方程。通过方程求解,得到三种晶体内部温度场和热形变分布的解析式。温度场和热形变场的数值模拟表明:当泵浦光功率Po=30 W、泵浦区域为0.5 mm×0.5 mm时,三种激光晶体的一维温度场、二维温度场分布和热形变量有较大差异。通过对比三种激光晶体的温度分布、相对温升和热形变量,得到了Nd:GdVO4晶体作为中小功率激光晶体是优于Nd:YVO4和Nd:YAG两种晶体的,而Nd:YVO4又优于Nd:YAG晶体。温度场和热形变量数值模拟的结果也可为激光器谐振腔的设计及热效应的消除提供理论依据。 展开更多
关键词 平板Nd:YAG、Nd:YVO4、Nd:GdVO4晶体 温度场 热形变场
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SiC基芯片背面通孔刻蚀工艺研究 被引量：6
18
作者 商庆杰 王敬松 +2 位作者 高渊 么锦强 张力江 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 2016年第7期527-531,共5页
通过对感应耦合等离子体(ICP)设备装片夹具进行改进,提高了背氦的导热效率,减小了下电极基底与晶圆表面之间的温度差,提高了冷却效果。对装片夹具改进前后进行了对比实验,并分析了射频功率、ICP功率、下电极基底温度、腔室压力等参数对... 通过对感应耦合等离子体(ICP)设备装片夹具进行改进,提高了背氦的导热效率,减小了下电极基底与晶圆表面之间的温度差,提高了冷却效果。对装片夹具改进前后进行了对比实验,并分析了射频功率、ICP功率、下电极基底温度、腔室压力等参数对SiC背面通孔的刻蚀速率、选择比、倾斜角及侧壁光滑度的影响。通过装片夹具改进及工艺条件优化,开发出刻蚀速率为1μm/min、SiC与Ni的选择比大于60∶1、倾斜角小于85°、侧壁光滑的SiC通孔工艺条件,可用于SiC基GaN高电子迁移率晶体管(HEMT)、SiC金属半导体场效应管(MESFET)等大功率微波器件及其微波单片集成电路(MMIC)研制与生产的背面通孔刻蚀,并可缩短工艺时间降低生产成本。 展开更多
关键词 碳化硅 背面通孔刻蚀 感应耦合等离子体(ICP) 刻蚀速率 选择比
原文传递
激光二极管双侧泵平板Nd:LuVO_4晶体热效应 被引量：4
19
作者 张建军 李金平 王锐 《红外与激光工程》 EI CSCD 北大核心 2012年第3期607-611,共5页
以解析热分析理论为基础,建立了平板Nd:LuVO4晶体在激光二极管阵列双侧泵抽运时的导热微分方程。通过方程求解,得到平板Nd:LuVO4晶体内部温度场分布的解析式及热形变分布。温度场和热形变场的数值模拟表明:当泵浦光平均功率Po=10 W、泵... 以解析热分析理论为基础,建立了平板Nd:LuVO4晶体在激光二极管阵列双侧泵抽运时的导热微分方程。通过方程求解,得到平板Nd:LuVO4晶体内部温度场分布的解析式及热形变分布。温度场和热形变场的数值模拟表明:当泵浦光平均功率Po=10 W、泵浦区域为1 mm×1 mm时,四组激光二极管阵列光源在三处不同位置的一维温度场、二维温度场分布和热形变量有很大差异;将三处泵浦光源位置所产生的温度分布和热形变量对比,得到了泵浦光源在位置1、2处所产生的温升和热形变量相对较小,位置3处最大。所得结论可为平板Nd:LuVO4激光器的设计及热效应消除提供理论依据。 展开更多
关键词 平板Nd:LuVO4晶体 温度场 热形变场
原文传递
Sol-Gel法制备的铁电薄膜和Pt/Ti下电极的反应离子刻蚀技术 被引量：7
20
作者 陈峥 汤庭鳌 邹斯洵 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期172-176,共5页
为制备Ａ１／ＰＺＴ／Ｐｔ／Ｔｉ电容，研究了采用ＳＦ６／Ａｒ等离子体对Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３及Ｐｔ／Ｔｉ底电极进行反应离子刻蚀（ＲＩＥ）的技术．较系统地研究了ＲＦ功率，ＳＦ６／Ａｒ流量比及气压对刻蚀速率的影响，找到了对... 为制备Ａ１／ＰＺＴ／Ｐｔ／Ｔｉ电容，研究了采用ＳＦ６／Ａｒ等离子体对Ｐｂ（Ｚｒ，Ｔｉ）Ｏ３及Ｐｔ／Ｔｉ底电极进行反应离子刻蚀（ＲＩＥ）的技术．较系统地研究了ＲＦ功率，ＳＦ６／Ａｒ流量比及气压对刻蚀速率的影响，找到了对ＰＺＴ及Ｔｉ进行ＲＩＥ的优化工艺条件．在不同的条件下得到对ＰＺＴ的刻蚀速率为２～７ｎｍ／ｍｉｎ；采用纯Ａｒ气体时Ｐｔ的刻蚀速率为２～６ｎｍ／ｍｉｎ； 展开更多
关键词 铁电薄膜 反应离子刻蚀 SOL-GEL法 PZT 铂/钛
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