冷发射电子束掺杂磷 被引量：2

1

作者 李秀琼 王培大 +1 位作者 马祥彬 王纯 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1990年第12期942-945,共4页

一种新的冷发射电子束掺杂方法已研究成功。这种方法可实现高浓度(C_(max)=2.8×10^(20)/cm^3),超浅结[(x_j)_(min)≤0.1μm],而且损伤比离子注入的小得多。用这种方法制备的太阳能电池控制器件性能很好。

关键词 冷发射电子束 掺杂 磷 集成电路

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MEVVA源离子注入合成钕硅化物的研究 被引量：1

2

作者 王水凤 曾宇昕 +1 位作者 程国安 徐飞 《南昌大学学报（理科版）》 CAS 北大核心 2002年第3期259-261,共3页

用MEVVA离子源将稀土Nd离子注入到硅基片中 ,可以合成出性能良好的钕硅化合物。用电子显微镜和X射线衍射对样品进行了观测 ,随着退火温度的升高 ,注入层的薄层方块电阻R□ 显著下降 ,注入层形成Nd5Si4 和NdSi两种硅化钕相 ,并逐渐向NdS... 用MEVVA离子源将稀土Nd离子注入到硅基片中 ,可以合成出性能良好的钕硅化合物。用电子显微镜和X射线衍射对样品进行了观测 ,随着退火温度的升高 ,注入层的薄层方块电阻R□ 显著下降 ,注入层形成Nd5Si4 和NdSi两种硅化钕相 ,并逐渐向NdSi相转变。 展开更多

关键词 MEVVA源 离子注入 钕硅化物 结构 集成电路 离子束工艺 结晶性能 导电性

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离子注入技术与硅基发光材料 被引量：12

3

作者 鲍希茂 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1997年第1期4-11,共8页

硅基发光材料是未来光电子集成的基础材料。离子注入技术在硅基发光材料的研究与开发中有极重要的作用。多孔硅的发现是硅基发光材料的一项重大进展。继多孔硅之后，相继出现了多孔ＳｉＣ蓝光材料，Ｓｉ＋注入ＳｉＯ２蓝光材料和Ｇｅ＋... 硅基发光材料是未来光电子集成的基础材料。离子注入技术在硅基发光材料的研究与开发中有极重要的作用。多孔硅的发现是硅基发光材料的一项重大进展。继多孔硅之后，相继出现了多孔ＳｉＣ蓝光材料，Ｓｉ＋注入ＳｉＯ２蓝光材料和Ｇｅ＋注入ＳｉＯ２紫光材料，使硅基发光材料的研究进入了一个欣欣向荣的新阶段。 展开更多

关键词 发光材料 离子注入 光电子集成 多孔硅

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LC-11型强流离子注入机晶片电荷积累效应分析 被引量：2

4

作者 陈林 《微细加工技术》 EI 1998年第2期14-17,共4页

通过讨论强流离子注入过程中晶片电荷积累所引起的一系列问题，分析了ＬＣ－１１型强流离子注入机防晶片电荷积累的有效性。

关键词 强流离子注入机 晶片电荷积累 电子淋浴器 ULSI

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离子注入形成YSi_2埋层的电镜研究

5

作者 金星 宫泽祥 +3 位作者 李晓娜 马腾才 杨大智 张泽 《功能材料与器件学报》 CAS CSCD 1996年第4期256-259,共4页

本文主要采用离子注入的方法制备“Ｓｉ／ＹＳｉ_２／Ｓｉ”异质结构，并以电子显微镜为手段研究ＹＳｉ_２埋层的形成及ＹＳｉ_２／Ｓｉ界面的微观结构。我们发现ＹＳｉ_２埋层以“［００１］ＹＳｉ_２／／［１１１］Ｓｉ”为取向关系... 本文主要采用离子注入的方法制备“Ｓｉ／ＹＳｉ_２／Ｓｉ”异质结构，并以电子显微镜为手段研究ＹＳｉ_２埋层的形成及ＹＳｉ_２／Ｓｉ界面的微观结构。我们发现ＹＳｉ_２埋层以“［００１］ＹＳｉ_２／／［１１１］Ｓｉ”为取向关系在Ｓｉ基体中择优生长，而且注入法合成的ＹＳｉ_２不存在空位有序结构。 展开更多

关键词 离子注入 硅化物 埋层 电子显微镜 集成电路

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InP中的Be、P共注入及其退火特性研究

6

作者 张永刚 富小妹 潘慧珍 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第8期641-644,共4页

本文对InP中的Be单注入和Be、p共注入及其退火特性进行了比较.SIMS和电化学C-V测试结果表明:采用Be、P共注入可以抑制退火过程中的Be扩散再分布,提高载流子的激活率,改善Pn结的电特性.与单注入相比,共注入样品Be的激活率提高了近一倍.p... 本文对InP中的Be单注入和Be、p共注入及其退火特性进行了比较.SIMS和电化学C-V测试结果表明:采用Be、P共注入可以抑制退火过程中的Be扩散再分布,提高载流子的激活率,改善Pn结的电特性.与单注入相比,共注入样品Be的激活率提高了近一倍.pn结的击穿电压提高,漏电流明显减小.文中对共注入改善退火特性的机理进行了讨论. 展开更多

关键词 离子注入 热退火 铍 磷 半导体

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0．1μm　NMOSFET沟道δ－掺杂与结构特性

7

作者 刘卫东 李志坚 刘理天 《固体电子学研究与进展》 CAS CSCD 北大核心 1996年第3期206-210,共5页

沟道δ－形掺杂对于改善极小尺寸ＭＯＳＦＥＴ性能、提高可靠性极其重要。利用能量输运模型（ＥＴＭ），报道了沟道δ－形掺杂分布对０．１μｍ沟长ＮＭＯＳＦＥＴ结构特性的影响，根据漏源电流ＩＤＳ、截止态电流Ｉｏｆｆ、阈值电压Ｖ... 沟道δ－形掺杂对于改善极小尺寸ＭＯＳＦＥＴ性能、提高可靠性极其重要。利用能量输运模型（ＥＴＭ），报道了沟道δ－形掺杂分布对０．１μｍ沟长ＮＭＯＳＦＥＴ结构特性的影响，根据漏源电流ＩＤＳ、截止态电流Ｉｏｆｆ、阈值电压ＶＴＨ和Ｓ因子的要求，提出了使性能和可靠性得到优化的δ－形掺杂分布。 展开更多

关键词 NMOSFET δ-掺杂 性能 可靠性 微电子学

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离子束合成TiSi_2薄膜及显微结构的研究

8

作者 金星 宫泽祥 +3 位作者 李晓娜 马腾才 杨大智 Mark Aindow 《电子显微学报》 CAS CSCD 1996年第1期7-12,共6页

本文主要以电子显微镜为手段研究了离子注入形成的TiSi_2薄膜的微观结构,发现了一种新的TiSi_2相,初步确定它为简单正交结构,点阵常数与已知的C49-TiSi_2相等,并发现新的TiSi_2可向C49-TiSi_2转化;在800℃条件下保温30分钟,C54-TiSi_2可... 本文主要以电子显微镜为手段研究了离子注入形成的TiSi_2薄膜的微观结构,发现了一种新的TiSi_2相,初步确定它为简单正交结构,点阵常数与已知的C49-TiSi_2相等,并发现新的TiSi_2可向C49-TiSi_2转化;在800℃条件下保温30分钟,C54-TiSi_2可在Si(111)基片上外延生长,取向关系为:[121]_(TiSi)_2∥[110]_(Si),(111)_(TiSi)_2∥(111)_(Si)。 展开更多

关键词 离子注入 金属硅化物 电子显微学

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氧离子和氮离子共注人硅形成绝缘埋层的微观结构及其光学性质

9

作者 俞跃辉 林成鲁 +2 位作者 朱文化 邹世昌 卢江 《电子科学学刊》 CSCD 1991年第5期489-495,共7页

本文利用俄歇能谱和红外吸收谱研究了硅中O^+(200keV,1.8×10^(18)/cm^2)和N^+(180keV,4×10^(17)/cm^2)共注入、并经1200℃、2h退火后所形成的绝缘埋层的微观结构及其光学性质。结果表明:O^+和N^+共注入所形成的绝缘埋层是由Si... 本文利用俄歇能谱和红外吸收谱研究了硅中O^+(200keV,1.8×10^(18)/cm^2)和N^+(180keV,4×10^(17)/cm^2)共注入、并经1200℃、2h退火后所形成的绝缘埋层的微观结构及其光学性质。结果表明:O^+和N^+共注入所形成的绝缘埋层是由SiO_2相和不饱和氧化硅态组成;在氧化硅埋层的两侧形成氮氧化硅薄层;表面硅-埋层的界面和埋层-体硅的界面的化学结构无明显差异。通过对波数范围在5000—1700cm^(-1)的红外反射谱的计算机模拟,得到了该绝缘埋层的折射率、厚度等有关的参数值,这些结果与离子背散射谱的分析结果相一致。本文还讨论了绝缘埋层的形成特征。 展开更多

关键词 离子注入 绝缘埋层 微观结构 光学

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O_2+HCl气氛中CZSi的IG处理

10

作者 张维连 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第3期53-54,49,共3页

高纯氧加少量HCl气氛中进行CZSi的IG处理,对抑制硅片表面热氧化层错和钝化Na^+等有良好效果,而对洁净区的形成与厚度影响不大。

关键词 O+HCl C2Si IG处理 集成电路

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用沟道离子注入法研制稀土硅化物 被引量：2

11

作者 姚淑德 吴名枋 +1 位作者 陈守元 张勇 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期69-72,共4页

用沟道离子注入法生成的稀土硅化物产物经背散射沟道分析、电镜分析和Ｘ射线衍射测 试表明：它具有很好的结晶品质（ＥｒＳｉ１．７的Ｘｍｉｎ值可低到１．５％）和很高的相稳定性。

关键词 沟道离子注入 稀土硅化物 微电子 结晶品质

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Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片的增强氧沉淀 被引量：1

12

作者 王启元 王俊 +6 位作者 韩秀峰 邓惠芳 王建华 昝育德 蔡田海 郁元桓 林兰英 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期458-462,共5页

本文报道了一种改进本征吸杂技术——低温短时热退火工艺，以增强本征吸杂效果．在本征吸杂工艺的低温热退火中，用连续的线性缓慢升温（Ｒａｍｐｉｎｇ）退火替代常规的长时间低温恒温退火，应用于直拉（ＣＺ）重掺Ｎ型硅衬底片，明显... 本文报道了一种改进本征吸杂技术——低温短时热退火工艺，以增强本征吸杂效果．在本征吸杂工艺的低温热退火中，用连续的线性缓慢升温（Ｒａｍｐｉｎｇ）退火替代常规的长时间低温恒温退火，应用于直拉（ＣＺ）重掺Ｎ型硅衬底片，明显增加了氧沉淀等体微缺陷密度，这些高密度氧沉淀物在随后ＩＣ器件热工艺中继续长大，成为稳定的高效本征吸杂中心．从经典的成核沉淀理论，讨论了Ｒａｍｐｉｎｇ热退火重掺硅衬底片增强氧沉淀机理． 展开更多

关键词 本征吸杂技术 LSI 硅 热退火 制造工艺 IC 掺锑

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CZ重掺锑硅单晶的锑和氧杂质 被引量：1

13

作者 罗木昌 杨德仁 阙端麟 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第5期30-33,35,共5页

介绍了重掺锑硅单晶生长和应用中的主要特点，并对单晶生长过程中出现的关键问题，如锑的挥发。

关键词 直拉硅单晶 锑掺杂 氧 电阻率 锑 IC

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芯片产业化过程中所使用UV膜与蓝膜特性分析 被引量：1

14

作者 杨跃胜 武岳山 《现代电子技术》 2013年第4期121-122,126,共3页

为了提高Wafer加工工艺质量,推动芯片产业化的目的,理论上对比了UV膜和蓝膜的特性,实践中分别使用UV膜和蓝膜加工Wafer并做倒封装摘片实验,得出小芯片减薄划切时应用UV膜对倒封装生产线具有优越性,可以提高芯片摘取效率,可以防止崩片。... 为了提高Wafer加工工艺质量,推动芯片产业化的目的,理论上对比了UV膜和蓝膜的特性,实践中分别使用UV膜和蓝膜加工Wafer并做倒封装摘片实验,得出小芯片减薄划切时应用UV膜对倒封装生产线具有优越性,可以提高芯片摘取效率,可以防止崩片。同时结合实验,得到UV膜在应用中出现的一些问题,并给出解决办法,最终测试结果符合预期的结果。 展开更多

关键词 UV膜 蓝膜 集成电路 RFID

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IC离子注入工艺的薄层电阻等值图监控 被引量：2

15

作者 周全德 《微电子学》 CAS CSCD 北大核心 2000年第6期410-414,共5页

主要介绍了测试薄层电阻等值图所反映出 IC离子注入工艺存在的种种问题 ,以及改进结果和进行有效的监控 ,这对 IC生产是非常重要的。

关键词 薄层电阻 等值图 离子注入 集成电路工艺

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组合离子束技术在硅基材料芯片中的应用

16

作者 陈昌明 潘浩昌 +5 位作者 黄建鸣 朱德彰 曹建清 叶伯年 胡钧 李民乾 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1999年第2期65-68,共4页

将组合技术和离子束技术结合起来，用于硅基发光材料的研究。用组合离子束技术在硅 基材料上制备了６４个直径为２ｍｍ的单元──材料芯片，并对硅基材料芯片各单元进行了卢瑟辐 背散射、质子弹性散射和扫描阴极射线发光特性分析。

关键词 组合技术 离子束 材料芯片 硅基 离子注入

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25keV AS~+大倾斜角注入的损伤分析

17

作者 何治平 周祖尧 +7 位作者 关安民 朱文玉 江炳尧 施左宇 林成鲁 钱佑华 陈良尧 苏毅 《核技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第7期391-395,共5页

通过２５ｋｅＶ的Ａｓ＋注入硅中．用背散射沟道分析技术和椭圆偏振光测量技术分析了在倾斜角分别为７°、１５°、３０°、４５°和６０°时的损伤分布，揭示了大倾斜角注入在注入能量较低时的一些物理现象．

关键词 大倾斜角注入 离子注入 损伤 砷

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离子注入剂量的均匀性检测和校正 被引量：7

18

作者 王迪平 伍三忠 +2 位作者 孙雪平 孙勇 王玮琪 《微纳电子技术》 CAS 2005年第10期484-486,共3页

介绍了离子注入机中注入剂量的均匀性检测和校正,着重阐述了均匀性的检测原理、均匀性计算公式、均匀性检测和校正流程及算法。

关键词 离子注入机 注入剂量 均匀性

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钒离子注入硅合成硅化钒薄层

19

作者 张通和 吴瑜光 《微细加工技术》 EI 2000年第1期21-25,9,共6页

用大束流密度的钒金属离子注入硅 ,能够直接合成性能良好的薄层硅化物 随束流密度的增加 ,硅化钒相生长 ,薄层硅化物的方块电阻RS 明显下降 ,当束流密度为 2 5 μA/cm2 时 ,Rs 达到最小值 2 2Ω/□ ,说明连续的硅化物已经形成。X衍射... 用大束流密度的钒金属离子注入硅 ,能够直接合成性能良好的薄层硅化物 随束流密度的增加 ,硅化钒相生长 ,薄层硅化物的方块电阻RS 明显下降 ,当束流密度为 2 5 μA/cm2 时 ,Rs 达到最小值 2 2Ω/□ ,说明连续的硅化物已经形成。X衍射分析表明 ,注入层中形成了V3 Si、V5 Si3 、V3 Si5 和VSi2 四种硅化钒。经过退火后 ,Rs 明显地下降 ,Rs 最小可降到 9Ω/□ ,电阻率可小到 72 μΩm ,说明硅化钒薄层质量得到了进一步的改善 ,大束流密度注入和退火后 ,硅化钒相进一步生长。大束流密度注入和高温退火 ( 1 2 0 0℃ )仍然具有很低的薄层电阻率 ,这充分说明硅化钒具很好的热稳定性。透射电子微镜观察表明 ,连续硅化钒薄层厚度为 80nm。 展开更多

关键词 离子注入 硅化物 硅化钒 薄膜 集成电路

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液态金属离子源发射尖端模型的研究 被引量：1

20

作者 朱一心 《微细加工技术》 2001年第4期26-28,共3页

将电磁场理论与流体力学理论相结合 ,从理论上推导得到液态金属离子源发射尖端所应满足的电磁流体力学方程。从电磁流体力学方程出发 。

关键词 液态金属 离子源 电磁流体力学 集成电路

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