Ramping热退火直拉重掺锑硅衬底片的增强氧沉淀被引量：1

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摘要本文报道了一种改进本征吸杂技术——低温短时热退火工艺，以增强本征吸杂效果．在本征吸杂工艺的低温热退火中，用连续的线性缓慢升温（Ｒａｍｐｉｎｇ）退火替代常规的长时间低温恒温退火，应用于直拉（ＣＺ）重掺Ｎ型硅衬底片，明显增加了氧沉淀等体微缺陷密度，这些高密度氧沉淀物在随后ＩＣ器件热工艺中继续长大，成为稳定的高效本征吸杂中心．从经典的成核沉淀理论，讨论了Ｒａｍｐｉｎｇ热退火重掺硅衬底片增强氧沉淀机理．

作者王启元王俊韩秀峰邓惠芳王建华昝育德蔡田海郁元桓林兰英

机构地区中国科学院半导体研究所

出处《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期458-462,共5页 半导体学报（英文版）

关键词本征吸杂技术 LSI 硅热退火制造工艺 IC 掺锑

分类号 TN405.3 [电子电信—微电子学与固体电子学] TN304.12 [电子电信—物理电子学]

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Journal of Semiconductors

1999年第6期

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