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1
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包含多子带结构的MOS器件开启电压量子力学效应修正模型 |
马玉涛
李志坚
刘理天
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《Journal of Semiconductors》
EI
CAS
CSCD
北大核心
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1999 |
9
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2
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具有保护功能的并联功率MOSFET驱动器 |
王宝诚
年英梅
张纯江
邓剑华
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《电气传动》
北大核心
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1998 |
1
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3
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MOS结构辐照陷阱消长研究的快速I—V技术 |
张国强
任迪远
陆妩
范隆
严荣良
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《固体电子学研究与进展》
CAS
CSCD
北大核心
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1998 |
0 |
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4
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VDMOS结构击穿电压的设计与分析 |
徐伟
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《半导体杂志》
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1998 |
0 |
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5
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MOSFET衬底电流模型及参数提取 |
刘永强
于奇
刘玉奎
李竞春
陈勇
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《微电子学》
CAS
CSCD
北大核心
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1999 |
0 |
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6
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全耗尽SOIMOSFET及CMOS／SOI电路的研究 |
张正璠
刘永光
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《微电子学》
CAS
CSCD
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1996 |
0 |
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7
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功率MOSFET的结构特性 |
赵永健
李序葆
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《电气自动化》
北大核心
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1991 |
0 |
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8
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MOS结构二氧化硅层中电子热化与击穿 |
张积之
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《电子产品可靠性与环境试验》
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1995 |
0 |
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9
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电阻栅MOSFET电流模型分析 |
朱秀菊
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《辽宁师专学报（自然科学版）》
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2000 |
0 |
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