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题名高反压硅整流管台面成型工艺的研究
被引量：1
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作者
孙瑛
王国兴
孙东茹
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机构
山东师大科研处
山东大学中心医院
济南钟表厂
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出处
《山东师范大学学报（自然科学版）》
CAS
1991年第4期45-49,39,共6页
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文摘
本文对大功率高反压硅整流管台面成型工艺中的斜角形成,台面腐蚀,表面清洁处理和表面钝化的关键技术,以及反向伏安特性进行了分析讨论。
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关键词
硅
整流管
台面成型
伏安特性
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Keywords
mesa forming
volt-ampere characteristics
silicon rectifier tube
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分类号
TN350.52
[电子电信—物理电子学]
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题名有害气泡的动态I_R检测法
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作者
赵富
葛淑欣
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机构
石家庄市自动化研究所
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1992年第2期33-36,7,共5页
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文摘
为了判断玻璃封装整流器件内是否存在有害气泡而研究了一种在线动态I_R检测法。该方法是根据有害气泡的物理特性,通过对动态I_R随时间和温度的变化规律进行分析而实现。文章给出了判定有害气泡存在的两组I_R-t曲线族,并介绍了具体的检测方法。应用该检测法成功地判定从荷兰进口的大批玻封硅堆中存在大量有害气泡。
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关键词
整流器件
封装
气泡
检测
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分类号
TN350.594
[电子电信—物理电子学]
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题名塑封高压硅堆台面化蚀工艺浅探
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作者
王光
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机构
湖南衡阳半导体厂
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第2期35-36,共2页
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文摘
TV用塑封高压硅堆因具有体积小、性能稳定、价格经济一系列优点而应用广泛.它是彩电国产化中关键的半导体器件,而化蚀工艺直接影响该产品的质量,掌握好化蚀工艺,才能造出高水平的产品.如何控制好硅堆的台面形状,提高化蚀质量是工艺人员碰到的实际问题.在工作中,遇到一些异常现象.现与同志们探讨如下:TV用塑封高压硅堆管芯一般采用如图1所示方法形成.
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关键词
高压硅堆
塑封
台面
化蚀
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分类号
TN350.5
[电子电信—物理电子学]
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题名解决高压硅堆生产工艺中硅片扩散弯曲问题的实验结果
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作者
刘万方
陈根林
许铁华
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机构
江苏如皋电子研究所
江苏如皋无线电厂
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第1期38-38,共1页
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文摘
硅片扩散弯曲,不仅在用四探针测量硅片参数时易被压碎,或者测量不准确.更重要的是,影响硅整流器件的质量和成品率,特别是对高频高压硅堆的影响更为严重,因硅堆是由10片以上的硅片叠成,往往因为弯曲,导致叠片烧结不牢,切割的硅堆管芯断条报废极为严重,在清洗,腐蚀时又断不少.即使不断的硅堆管芯做成了硅堆,其电参数,特别是动态高温性能很差,使之不少成为次、废品.
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关键词
高压硅堆
扩散
硅片
变曲
试验
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分类号
TN350.54
[电子电信—物理电子学]
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题名高压硅堆钝化封装玻璃
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作者
孙家清
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机构
天津第三半导体器件厂
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出处
《半导体技术》
CAS
CSCD
北大核心
1989年第2期52-56,共5页
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文摘
高压硅堆具有良好的电性能、化学稳定性和均匀对称的外形封装.它的关键是在钝化封装玻璃(ZnO-B_2O_3-SiO_2系)的组分中引入了添加剂MnO_2和成核剂ZnO,并且通过该玻璃热成形过程的工艺选择达到对核化过程、晶体生长以及主晶相特性的有效控制,从而获得上述特性.
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关键词
高压硅堆
钝化
封装
玻璃
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分类号
TN350.594
[电子电信—物理电子学]
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