晶体管主要电参数在低温下变化的实验研究 被引量：1

1

作者 刘录 徐维杰 陈九江 《黑龙江大学自然科学学报》 CAS 1992年第2期80-84,共5页

作者对晶体管的主要电参数在低温下进行了仔细的测试,发现电流放大系数变化很大.作者认为这主要由eb结两侧尤其是发射区杂质电离浓度随温度变化很大的缘故.

关键词 掺杂 发射效率 输运系数 晶体管

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单片机控制阶梯波信号发生器 被引量：1

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作者 彭珞丽 彭端 《广东机械学院学报》 1995年第4期54-57,共4页

本文从晶体管特性测试原理出发．叙述了传统的泵式阶梯波信号产生电路．探讨了应用于电力晶体管特性测试系统中的单片机控制阶梯波信号发生器。

关键词 晶体管 信号发生器 单片机 控制 阶梯波

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CoSi_2/Si异质结的形成及其电子结构的研究

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作者 王建明 李观启 +1 位作者 关中凡 黄美浅 《华南理工大学学报（自然科学版）》 EI CAS CSCD 1990年第4期75-81,共7页

利用离子束镀膜技术,在非超高真空(1.33×10^(-3)Pa)下,采用离子束清洗衬底表面和对衬底加热的辅助方法,在单晶Si衬底上淀积Co薄层,再在Co层上淀积Si保护层,然后在570—680℃下进行真空(6.67×10^(-3)Pa)退火,能形成有害杂质(O... 利用离子束镀膜技术,在非超高真空(1.33×10^(-3)Pa)下,采用离子束清洗衬底表面和对衬底加热的辅助方法,在单晶Si衬底上淀积Co薄层,再在Co层上淀积Si保护层,然后在570—680℃下进行真空(6.67×10^(-3)Pa)退火,能形成有害杂质(O、C等)含量少且界面区域过渡陡峭的CoSi_2/Si异质结。本文利用俄歇电子能谱(AES),X射线光电子谱(XPS)和紫外光电子谱(UPS)对样品的组分、化学相和电子结构进行了分析。 展开更多

关键词 异质结 电子结构 金属硅化物

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高精度异型铜合金带材生产 被引量：4

4

作者 阮锦明 《上海有色金属》 CAS 1999年第3期127-131,共5页

本文简要回顾了我国异型铜带的开发情况。着重介绍洛阳铜加工厂引进的法国格里赛公司高精度异型铜带生产线的工艺特点以及几年实践的认识。

关键词 铜合金 异型带材 引线框架 生产工艺 晶体管

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简易晶体管特性图示仪

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作者 杨位顺 《实验室研究与探索》 CAS 1996年第2期79-83,共5页

简易晶体管特性图示仪空军后勤学院杨位顺简易晶体管特性图示仪，实际上是在普通示波器上。外加一个附加装置，可使晶体管的特性曲线直接显示在示波器的荧光屏上，并可用以测量晶体管的各种参数和比较晶体管的同类特性等。此外，也可用... 简易晶体管特性图示仪空军后勤学院杨位顺简易晶体管特性图示仪，实际上是在普通示波器上。外加一个附加装置，可使晶体管的特性曲线直接显示在示波器的荧光屏上，并可用以测量晶体管的各种参数和比较晶体管的同类特性等。此外，也可用来测量场效应管、晶体二极管、稳压二... 展开更多

关键词 晶体管 图示仪 示波器

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Al_2O_3膜钝化晶体管的快中子辐照效应

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作者 唐方元 丁大沛 +1 位作者 林理彬 周永 《四川大学学报（自然科学版）》 CAS CSCD 1989年第1期115-117,共3页

由于Al_2O_3钝化膜具有密度大,对Na^+离子的阻挡能力强,介电常数约为SiO_2的二倍等优点,因此,我们采用直流反应溅射法对3CK和3CG型小功率管进行了Al_2O_3膜的钝化处理,将钝化了的和未钝化的晶体管进行高能电子,快中子辐照.电子辐照结果... 由于Al_2O_3钝化膜具有密度大,对Na^+离子的阻挡能力强,介电常数约为SiO_2的二倍等优点,因此,我们采用直流反应溅射法对3CK和3CG型小功率管进行了Al_2O_3膜的钝化处理,将钝化了的和未钝化的晶体管进行高能电子,快中子辐照.电子辐照结果表明:钝化晶体管比未钝化晶体管抗辐射能力提高了近半个数量级. 展开更多

关键词 晶体管 三氧化二铝 膜 钝化 快中子

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用单板机控制的晶体管参数综合测试系统

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作者 商周 王世军 《电测与仪表》 北大核心 1989年第6期37-39,共3页

为进行晶体管老化试验,对晶体管批量参数测试,采用运算速度快、功能多的单板计算机解决晶体管老化台的控制。文中介绍了接口电路、硬件、软件的设计。

关键词 单板机控制 晶体管 参数测试系统

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晶体管特性曲线描绘器

8

作者 徐宏伟 《电子世界》 1989年第4期23-23,共1页

关键词 晶体管 特性曲线 描绘器

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一种识别三极管的新方法

9

作者 曲延昌 《电工技术》 1998年第5期60-60,51,共2页

定性地分析杂质半导体的掺杂浓度与其形成的 PN 结的正向压降之间的内在联系,并由此提出了一种利用数字万用表快速识别三极管的新方法。

关键词 三极管 半导体三极管 识别 PN结

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浅谈三极管的命名,测试和主要参数意义

10

作者 梁友奖 《电子产品维修与制作》 1995年第4期45-46,共2页

关键词 三极管 测试 参数 命名

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晶体管的测试与选用

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作者 洪少真 《家庭电子》 1994年第10期29-29,30,共2页

电子爱好者在选用晶体管时,首先应了解晶体管的性能。不同的用途,对晶体管性能的要求也不一样,这就需要对晶体管进行测试。一、晶体三极管的简易测试要全面测试晶体管的性能,必须使用“晶体管特性图示仪”等专用测试仪器。在此主要介绍... 电子爱好者在选用晶体管时,首先应了解晶体管的性能。不同的用途,对晶体管性能的要求也不一样,这就需要对晶体管进行测试。一、晶体三极管的简易测试要全面测试晶体管的性能,必须使用“晶体管特性图示仪”等专用测试仪器。在此主要介绍用普通万用表如何测试晶体三极管。(1) 判断PN结的好坏。晶体三极管是由两个PN结构成的,因此可用万用表(R×1k档,下同)来测极间电阻。 展开更多

关键词 晶体管 测试 硅 锗

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电子辐照晶体管参数稳定性研究

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作者 于龙潜 《半导体杂志》 1990年第4期21-26,共6页

关键词 晶体管 电子辐照 参数 稳定性

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一种自动测试晶体管开关参数的微机系统

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作者 冯素梅 《重庆师范学院学报（自然科学版）》 2001年第1期69-73,共5页

给出一种对晶体管开关参数（二极管反向恢复时间trr，晶体三极管开启时间ton和关闭时间toff以及延迟时间td，上升时间tr，存储时间ts和下降时间tf） 进行自动测试的系统TSP-ATS。论文以存储电荷Qs作为PN结开关特性及晶体三极管的开关参... 给出一种对晶体管开关参数（二极管反向恢复时间trr，晶体三极管开启时间ton和关闭时间toff以及延迟时间td，上升时间tr，存储时间ts和下降时间tf） 进行自动测试的系统TSP-ATS。论文以存储电荷Qs作为PN结开关特性及晶体三极管的开关参数为实测对象，论述了自动测试系统的工作原理；给出了系统测试方案和TSP-ATS的硬件设计方框图及测试软件的主流程图；对接口功能设计的状态图作了较详细的介绍并给出了最终的测试结果。 展开更多

关键词 开关参数 自动测试 测试电路 微机调控 晶体管 反向恢复时间 开启时间 延迟时间 TSP-ATS系统 设计

原文传递

用示波器测试晶体管输出特性的附加装置

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作者 金丽生 《无线电》 北大核心 1990年第2期35-36,共2页

关键词 晶体管 输出特性 示波器 测试 装置

原文传递

晶体管在线测试仪

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作者 蔚南 《无线电》 北大核心 1990年第12期37-37,共1页

关键词 晶体管 在线 测试仪

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