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基于混合模型的光刻图形OPC校正精度提升方法
1
作者 程鸽 《数字通信世界》 2026年第2期65-67,共3页
先进集成电路制造工艺节点越做越小的过程中,光刻成像逐步接近物理极限,光学邻近效应越来越严重地影响着图形转移精度,目前已有的基于经验规则的经验性光学邻近校正方法,在复杂版图设计下的适用性有限;另一方面,完全依靠物理模型建立起... 先进集成电路制造工艺节点越做越小的过程中,光刻成像逐步接近物理极限,光学邻近效应越来越严重地影响着图形转移精度,目前已有的基于经验规则的经验性光学邻近校正方法,在复杂版图设计下的适用性有限;另一方面,完全依靠物理模型建立起来的光学邻近校正方法很难平衡准确性和计算量的关系。本文在原有传统物理光学建模框架上,结合深度学习模型的思想,使用深度学习模型校正成像残差,并将其作为建立混合模型OPC校正的方法。将物理模型给出的成像预测结果作为先验知识加入校正的初始环节,将用于训练神经网络的样本加入到原有的OPC流程中,利用神经网络可以解决局部系统偏差问题的优点,运用分阶段参数优化与自适应迭代策略实现复杂图形的稳定校正。基于典型的金属互连结构及接触孔结构搭建实验平台,实验结果表明:相较于经验规则OPC与完全物理模型OPC,该混合建模方法可以保证OPC的稳定性并降低边缘放置误差和迭代计算成本,且对不同工艺节点的图形也较为友好。由此,可以推测混合建模方法具有一定的OPC工程应用价值。 展开更多
关键词 光学邻近校正 混合模型 深度学习 边缘放置误差 光刻工艺
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重复二次曝光工艺在相移掩模制造中的应用研究
2
作者 曹凯 《电子与封装》 2026年第2期66-70,共5页
为降低相移掩模(PSM)制造中的铬残留修补数并实现相位角的可调控制,提出了一种重复二次曝光工艺,旨在评估该改进工艺对特征尺寸与目标值的偏差(CD MTT)和特征尺寸均匀性(CDU)的影响,并进一步分析相位角调节及铬残留数量控制的效果。实... 为降低相移掩模(PSM)制造中的铬残留修补数并实现相位角的可调控制,提出了一种重复二次曝光工艺,旨在评估该改进工艺对特征尺寸与目标值的偏差(CD MTT)和特征尺寸均匀性(CDU)的影响,并进一步分析相位角调节及铬残留数量控制的效果。实验结果表明,经过两次二曝工艺处理后,PSM基板的CD MTT最大变化幅度仅为0.8 nm,且CDU变化极小,表明该工艺在维持尺寸精度的同时,能够保持高度的稳定性。此外,相位角的可调范围约为1°,为光刻工艺的进一步优化提供了新的途径。研究结果表明,重复二次曝光工艺在相位角调节方面具有优势,同时显著减少了铬残留缺陷的数量,展现出在PSM工艺中的广泛应用潜力。 展开更多
关键词 相移掩模 二次曝光 铬残留 相位角
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基于系统发育树的光刻技术演化与技术锁定影响因素研究
3
作者 李昊 《技术与市场》 2026年第2期17-27,共11页
在全球高技术竞争与“卡脖子”困境加剧的背景下,复杂技术系统容易因路径依赖而形成技术锁定,阻碍技术突破。技术锁定的影响因素是一个值得深入探讨的话题。基于光刻领域的专利数据构建了2000—2024年的系统发育树,从演化视角识别技术轨... 在全球高技术竞争与“卡脖子”困境加剧的背景下,复杂技术系统容易因路径依赖而形成技术锁定,阻碍技术突破。技术锁定的影响因素是一个值得深入探讨的话题。基于光刻领域的专利数据构建了2000—2024年的系统发育树,从演化视角识别技术轨道,并以发育树中的技术群体为基本分析单元,构建混合效应回归模型探讨了技术集中度与创新水平对技术锁定的影响。研究发现:光刻技术在长期发展过程中呈现核心路径稳定演化且多元分支并存的演化格局,且技术集中度与创新水平的提高均能削弱技术锁定效应。该研究为理解技术锁定的形成机制及其破解提供了新的视角,对产业政策和技术战略的制定提供了理论依据和实践指导。 展开更多
关键词 光刻技术 技术锁定 技术轨道 系统发育树
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硅晶体辅助进电氧化镓晶圆浸液放电切割技术研究
4
作者 李晖 杨继沼 +4 位作者 王英民 高飞 张弛 张贻淼 邱明波 《固体电子学研究与进展》 2025年第4期68-74,共7页
提出了一种硅晶体辅助进电的氧化镓晶圆浸液放电切割方法,以解决金刚石线锯切割导致的破碎、开裂及加工精度不足问题。搭建了浸液放电切割试验系统,针对传统伺服控制失效导致的切割轨迹闭合问题,通过放电特性分析,开发了基于放电概率检... 提出了一种硅晶体辅助进电的氧化镓晶圆浸液放电切割方法,以解决金刚石线锯切割导致的破碎、开裂及加工精度不足问题。搭建了浸液放电切割试验系统,针对传统伺服控制失效导致的切割轨迹闭合问题,通过放电特性分析,开发了基于放电概率检测的闭环伺服控制系统,实现了氧化镓晶圆的精密加工控制。创新性地提出了硅晶体辅助电极切割方法,解决了机械装夹易引发的晶片碎裂问题,并通过对比碳纤维板等材料的放电特性,证实硅晶体辅助电极可有效避免蚀除产物烧结造成的表面烧伤。实验结果表明,该方法成功实现了25.4 mm(1英寸)氧化镓晶圆的高精度切割,直径误差控制在50μm以内,相较传统金刚石线锯切割,加工精度提升约66.6%。 展开更多
关键词 硅晶体 氧化镓晶圆 浸液放电切割 碳膜 放电概率
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基于AZ6130光刻胶掩膜的氮化硅ICP刻蚀工艺 被引量：2
5
作者 白敬元 杨洪广 +2 位作者 占勤 窦志昂 张志坤 《材料热处理学报》 北大核心 2025年第3期208-214,共7页
使用AZ6130光刻胶作为等离子增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀掩膜,分析了前后烘温度、匀胶转速及曝光剂量对光刻胶侧壁形貌的影响,探究了ICP功率对光刻胶掩膜及氮化硅刻蚀形貌的影响。结果表明:当前烘温度为9... 使用AZ6130光刻胶作为等离子增强化学气相沉积(PECVD)氮化硅的感应耦合等离子体(ICP)刻蚀掩膜,分析了前后烘温度、匀胶转速及曝光剂量对光刻胶侧壁形貌的影响,探究了ICP功率对光刻胶掩膜及氮化硅刻蚀形貌的影响。结果表明:当前烘温度为90℃、后烘温度为110℃、匀胶转速为6000 r/min、曝光剂量为57.6 mJ/cm^(2)时,可以得到截面形貌较佳的光刻胶掩膜;当ICP功率为300 W、RF功率为50 W、腔室压力为5 mTorr、CF_(4)流量为50 mL/min、N_(2)流量为50 mL/min、托盘温度为10℃时,可以得到刻蚀缺陷较少的氮化硅微结构,该工艺的刻蚀速率为1.71 nm/s、刻蚀选择比为0.83。 展开更多
关键词 光刻 氮化硅 感应耦合等离子体(ICP)刻蚀
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高深宽比梳齿结构刻蚀工艺 被引量：2
6
作者 康建波 商庆杰 宋洁晶 《微纳电子技术》 2025年第1期137-143,共7页
梳齿结构刻蚀是制备电容加速度计芯片的重要工序步骤。在梳齿结构刻蚀过程中,采用快速切换阀代替质量流量控制器(MFC)开关气体解决了梳齿侧壁弯曲问题;将Bosch工艺中物理轰击步骤和化学刻蚀步骤移到沉积步骤之前解决了梳齿顶部损伤问题... 梳齿结构刻蚀是制备电容加速度计芯片的重要工序步骤。在梳齿结构刻蚀过程中,采用快速切换阀代替质量流量控制器(MFC)开关气体解决了梳齿侧壁弯曲问题;将Bosch工艺中物理轰击步骤和化学刻蚀步骤移到沉积步骤之前解决了梳齿顶部损伤问题;研究了沉积时间、物理轰击偏置电极功率、化学刻蚀压力与刻蚀选择比的关系。实验结果表明:增加化学刻蚀压力能够显著提升刻蚀选择比,但齿间隙也会随着化学刻蚀压力的增加而展宽,优化后的Bosch工艺配方为沉积时间1.3 s,物理轰击偏置电极功率70 W,化学刻蚀压力60 mTorr(1 mTorr≈0.133 Pa)。制备的梳齿结构齿间隙宽度3.19μm,深度86.3μm,侧壁倾角89.9°,侧壁粗糙度79 nm,深宽比达到27∶1,刻蚀选择比达到32∶1,并成功应用于电容加速度计芯片生产。 展开更多
关键词 梳齿结构 电容加速度计 Bosch工艺 选择比 深宽比 侧壁倾角
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ICP刻蚀Mo侧壁角度及刻蚀速率的研究 被引量：1
7
作者 田本朗 梁柳洪 +3 位作者 何成勇 罗淦 郭耀祖 米佳 《压电与声光》 北大核心 2025年第1期59-62,共4页
采用基于Cl基气体的电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀设备对金属Mo薄膜进行刻蚀,研究了刻蚀条件对侧壁角度以及刻蚀速率的控制。通过调节ICP干法刻蚀过程中射频源功率、ICP离子源功率、腔体压力、混合气体流量比例等工艺参数,实现了14.8&#... 采用基于Cl基气体的电感耦合等离子体(ICP)干法刻蚀设备对金属Mo薄膜进行刻蚀,研究了刻蚀条件对侧壁角度以及刻蚀速率的控制。通过调节ICP干法刻蚀过程中射频源功率、ICP离子源功率、腔体压力、混合气体流量比例等工艺参数,实现了14.8°~85.0°图形侧壁倾角,表明图形侧壁角度可在大范围内得到控制,刻蚀速率可在148~232 nm/min调节,为薄膜体声波谐振器(FBAR)器件研制工艺打下良好基础。 展开更多
关键词 电感耦合等离子体(ICP) MO 薄膜体声波谐振器(FBAR) 侧壁角度 刻蚀速率
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微桌面深硅刻蚀系统SF_(6)/O_(2)/C_(4)F_(8)三元气体刻蚀工艺研究
8
作者 刘钊成 连紫薇 +3 位作者 赵鸿滨 Parker Gould Mitchell Hsing 魏峰 《稀有金属》 北大核心 2025年第7期1113-1118,共6页
本文通过微桌面深硅刻蚀系统对非BOSCH三元气体刻蚀工艺进行了研究。对比了SF_(6)/O_(2), SF_(6)/C_(4)F_(8)和SF_(6)/O_(2)/C_(4)F_(8)三种刻蚀气体对于硅刻蚀中刻蚀速率、刻蚀轮廓、选择比以及粗糙度的影响,发展了基于SF_(6)/O_(2)/C_... 本文通过微桌面深硅刻蚀系统对非BOSCH三元气体刻蚀工艺进行了研究。对比了SF_(6)/O_(2), SF_(6)/C_(4)F_(8)和SF_(6)/O_(2)/C_(4)F_(8)三种刻蚀气体对于硅刻蚀中刻蚀速率、刻蚀轮廓、选择比以及粗糙度的影响,发展了基于SF_(6)/O_(2)/C_(4)F_(8)三元混合气体深硅刻蚀工艺。通过光学显微镜(OM)、扫描电子显微镜(SEM)、三维光学轮廓仪对刻蚀后硅沟槽的刻蚀深度、侧壁垂直度、选择比以及底面粗糙度进行了分析。结果表明,在SF_(6)中加入O_(2)有催化SF_(6)等离子体产生氟自由基的作用,同时又可以与硅反应生成Si_(x)O_(y)F_(z)聚合物沉积在硅沟槽侧壁阻止SF_(6)对侧壁的刻蚀,得到各向异性刻蚀,但是较低的选择比导致无法深刻。在SF_(6)中加入C_(4)F_(8)虽然解决了选择比与刻蚀轮廓的问题,但是刻蚀速率过低。而在室温下将少量C_(4)F_(8)加入SF_(6)/O_(2)中构成的SF_(6)/O_(2)/C_(4)F_(8)三元气体刻蚀工艺不仅能够提高刻蚀选择比、降低底面粗糙度,还能提高刻蚀速率。 展开更多
关键词 深硅刻蚀 SF_(6)/O_(2)/C_(4)F_(8)混合气体 各向异性 刻蚀速率 选择比
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SU-8光栅的制备及其衍射性能研究
9
作者 鲁小鑫 王萧 +3 位作者 张雪凤 王浪 岱钦 乌日娜 《传感器与微系统》 北大核心 2025年第1期55-58,共4页
衍射效率的大小是衡量光刻光栅性能优劣的重要指标。使用严格耦合波分析(RCWA)模拟得到周期10μm和12μm的SU-8微米光栅的各级次衍射效率。采用掩模版紫外光刻技术制作曝光时间分别为27,30,33,36 s的SU-8光栅。通过显微镜观察,发现曝光... 衍射效率的大小是衡量光刻光栅性能优劣的重要指标。使用严格耦合波分析(RCWA)模拟得到周期10μm和12μm的SU-8微米光栅的各级次衍射效率。采用掩模版紫外光刻技术制作曝光时间分别为27,30,33,36 s的SU-8光栅。通过显微镜观察,发现曝光时间30 s制得的光栅结构更加清晰和平整。测量光栅样品的衍射效率,结果显示,0级衍射效率最大,与理论模拟结果相符。曝光时间27,33,36 s光栅的0级衍射效率较30s的相对偏高。以周期10μm光栅TE偏振光入射为例,使用RCWA理论模拟了光栅的栅条有缺口以及栅槽有额外薄膜层两种情况,分析了0级衍射效率偏高的现象。 展开更多
关键词 SU-8光刻胶 衍射效率 严格耦合波分析
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基于硅帽键合技术的SAW圆片级封装工艺研究
10
作者 舒平 米佳 +4 位作者 雷凯 梁柳洪 林苍海 冷峻林 陈兴 《压电与声光》 北大核心 2025年第3期520-524,共5页
研究了一种基于硅帽键合技术的声表面波(SAW)滤波器圆片级封装工艺,以满足高频通信系统对封装气密性、机械强度及散热性能的严苛要求。通过优化TSV孔的深硅刻蚀工艺和LT层刻蚀工艺,结合低温PECVD沉积的SiO2钝化层,实现了高气密性、高散... 研究了一种基于硅帽键合技术的声表面波(SAW)滤波器圆片级封装工艺,以满足高频通信系统对封装气密性、机械强度及散热性能的严苛要求。通过优化TSV孔的深硅刻蚀工艺和LT层刻蚀工艺,结合低温PECVD沉积的SiO2钝化层,实现了高气密性、高散热性及高可靠性的封装结构。经可靠性测试表明,与传统聚酰亚胺圆片级封装(WLP)相比,硅帽键合WLP在uHAST后频偏量仅为2M-2.5M(B40频段),优于传统封装的5M-6M。该工艺为高性能SAW滤波器的晶圆级封装提供了可靠的技术支持。 展开更多
关键词 晶圆级封装(WLP) 硅帽 刻蚀 钝化 声表面波滤波器
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电子束光刻技术介绍与展望
11
作者 郭晨瑜 王文豪 +2 位作者 宋学锋 张振生 俞大鹏 《真空科学与技术学报》 北大核心 2025年第8期673-685,共13页
电子束光刻(Electron Beam Lithography,EBL)作为能够实现亚微米乃至纳米尺度图形化制造的常用微纳加工技术,凭借其高的加工精度与灵活的图形加工能力,在微纳制造领域扮演着至关重要的角色。文章系统性地回顾了电子束光刻技术的基本物... 电子束光刻(Electron Beam Lithography,EBL)作为能够实现亚微米乃至纳米尺度图形化制造的常用微纳加工技术,凭借其高的加工精度与灵活的图形加工能力,在微纳制造领域扮演着至关重要的角色。文章系统性地回顾了电子束光刻技术的基本物理原理及设备发展脉络。重点阐述了早期基于扫描电子显微镜的高斯束EBL设备,以及为突破写入效率和精度瓶颈而演进的商用变形束与前沿的多束EBL系统,并在此基础上结合最新研究进展探讨了EBL设备及其相关技术未来的发展趋势,以期为相关领域的学术研究与产业发展提供理论支撑与实践参考。 展开更多
关键词 电子束光刻 微纳制造 电子光学系统
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电子束曝光设备及研制进展 被引量：5
12
作者 范江华 张超 +3 位作者 李苹 陈庆广 朱勇波 梁文彬 《中国集成电路》 2025年第4期86-90,共5页
本文介绍了一种应用于化合物芯片制造领域的电子束曝光设备,该设备最大装载尺寸8英寸,同时具备自动传片、自动束流切换、自动调焦等功能。通过曝光试验测试,结果表明设备最小线宽优于50nm,拼接精度优于40 nm,满足化合物芯片曝光工艺的... 本文介绍了一种应用于化合物芯片制造领域的电子束曝光设备,该设备最大装载尺寸8英寸,同时具备自动传片、自动束流切换、自动调焦等功能。通过曝光试验测试,结果表明设备最小线宽优于50nm,拼接精度优于40 nm,满足化合物芯片曝光工艺的需求。 展开更多
关键词 电子束曝光 电子束光刻 电子束直写 曝光设备
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扫描电镜基本成像原理与典型故障处理 被引量：2
13
作者 曹鑫 叶赵伟 +1 位作者 赵磊 李远林 《电子工业专用设备》 2025年第2期34-37,共4页
论述了关键尺寸扫描电子显微镜基本成像原理,包括电子枪、电磁透镜系统和电子探测器。列举了影响成像分辨率的相关因素,并提出改善分辨率的方法,对设备运行过程中出现的成像方面的故障修复有一定的指导作用。
关键词 扫描电镜 成像系统 分辨率 故障修复
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基于改进MobileNetV2的掩模优化模型
14
作者 张昱 徐辉 《湖北民族大学学报(自然科学版)》 2025年第4期541-545,共5页
针对先进工艺节点下掩模优化精度与效率难以兼顾的问题,提出了基于改进轻量级移动端网络第2版(mobile network version 2,MobileNetV2)的端到端逆光刻掩模优化模型。首先,该模型采用MobileNetV2作为主干网络,充分发挥其参数量小、特征... 针对先进工艺节点下掩模优化精度与效率难以兼顾的问题,提出了基于改进轻量级移动端网络第2版(mobile network version 2,MobileNetV2)的端到端逆光刻掩模优化模型。首先,该模型采用MobileNetV2作为主干网络,充分发挥其参数量小、特征提取高效的优势,能够适应大规模集成电路数据的处理需求。然后,在特征提取阶段多次嵌入坐标注意力(coordinate attention, CA)模块,充分融合空间位置信息与通道特征,有效提升模型对掩模边缘细节和目标结构的建模能力。最后,解码器部分集成内容感知特征重组(content-aware reassembly of features, CARAFE)模块,实现高效且动态的特征重组,有效缓解传统上采样信息丢失和边缘模糊的问题。结果表明,相比神经网络逆光刻技术(neural inverse lithography technology, Neural-ILT)、注意力加速逆光刻(attention-accelerated inverse lithography technology, A2-ILT)、可微光学邻近校正(differentiable optical proximity correction, DiffOPC)模型,改进MobileNetV2模型在工艺变化带指标降低的同时,大幅缩减了97.3%、94.2%、96.1%的周转时间。该模型能够兼顾精度、效率与工艺适应性,有效满足集成电路掩模设计与制造的实际需求。 展开更多
关键词 掩模优化 逆光刻 端到端 MobileNetV2 坐标注意力 内容感知特征重组
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基于Monte Carlo方法的三维邻近效应校正 被引量：1
15
作者 张誉腾 刘珠明 +5 位作者 梁锡辉 王铠尧 李全同 王其瑞 段飞 陈德龙 《机电工程技术》 2025年第2期54-59,共6页
针对电子束光刻中由于电子束散射引起的邻近效应带来的光刻图形精度变差问题,传统的二维邻近效应校正方法在处理精细和三维结构时未能有效应对,尤其是在图形的边缘和角点处。提出了一种基于剂量校正的新型的三维邻近效应校正方法。运用M... 针对电子束光刻中由于电子束散射引起的邻近效应带来的光刻图形精度变差问题,传统的二维邻近效应校正方法在处理精细和三维结构时未能有效应对,尤其是在图形的边缘和角点处。提出了一种基于剂量校正的新型的三维邻近效应校正方法。运用Monte Carlo方法和单元格去除显影法分别模拟三维能量密度分布和显影过程。对三维能量密度分布进行反卷积获得图形边缘的剂量分布,基于显影速率分布获得除图形边缘外的区域的剂量分布,探讨抗蚀剂三维形貌结构变化及其受剂量分布的影响,并对长100 nm、宽50 nm的矩形图案进行仿真,校正后所得图形X-Z和Y-Z剖面的侧壁宽度偏差分别为1.9%和1.2%。仿真结果表明,相对于未校正、采用二维邻近效应校正方法,基于所提三维邻近效应校正方法的图形X-Y剖面形貌精度得到改善,示例中图形角点处受邻近效应影响带来的面积偏差分别减小34.01%和25.21%,在提高电子束光刻图形精度方面有较好效果。 展开更多
关键词 电子束光刻 邻近效应 三维校正 剂量分布 Monte Carlo模拟
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全球半导体光刻胶行业现状及发展分析 被引量：1
16
作者 冯国楠 沈锦璐 +3 位作者 李建慧 张卓 杨淑娴 刘亦玮 《中国集成电路》 2025年第5期10-14,共5页
半导体光刻胶是制造芯片最关键的材料,具备高技术、高设备、高客户和高原材料的众多壁垒特点。在量子信息、5G通信、人形机器人、人工智能、智能驾驶等领域的推动下,集成电路的应用广度和深度也在不断扩大,进而晶圆的需求持续增长,半导... 半导体光刻胶是制造芯片最关键的材料,具备高技术、高设备、高客户和高原材料的众多壁垒特点。在量子信息、5G通信、人形机器人、人工智能、智能驾驶等领域的推动下,集成电路的应用广度和深度也在不断扩大,进而晶圆的需求持续增长,半导体光刻胶行业也迎来机遇。本文概括介绍了半导体光刻胶的工艺原理及常见分类,重点研究了全球半导体光刻胶产业现状、竞争格局,并对半导体光刻胶产业未来的发展趋势进行了预测和判断。 展开更多
关键词 半导体 光刻胶 产业现状 发展趋势
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激光切割技术在晶圆制造中的应用与突破 被引量：1
17
作者 乾超群 李婷 《读报参考》 2025年第14期91-92,共2页
工艺改进对切割质量和效率的影响。切割质量提升。工艺改进显著提升了晶元激光切割质量,主要体现在表面粗糙度、微裂纹数量和边缘整齐度等关键指标上。在表面粗糙度方面,传统激光切割工艺由于能量分布不均和热影响区较大,切割表面Ra值... 工艺改进对切割质量和效率的影响。切割质量提升。工艺改进显著提升了晶元激光切割质量,主要体现在表面粗糙度、微裂纹数量和边缘整齐度等关键指标上。在表面粗糙度方面,传统激光切割工艺由于能量分布不均和热影响区较大,切割表面Ra值通常为300~500nm。 展开更多
关键词 激光切割技术 切割质量 工艺改进 晶圆制造
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反射式全息光刻系统的对比度分析
18
作者 赵家琦 胡飞 +2 位作者 郭登极 张贤鹏 王序进 《激光技术》 北大核心 2025年第4期532-538,共7页
全息光刻作为一种高效率的微纳加工方法,在3维微纳结构制造领域引起了广泛的研究兴趣。为了分析3维微纳结构的形貌演变并研究曝光系统设计对所制备结构的影响,基于全息光刻原理,建立了光刻胶内的3维曝光剂量模型,并进一步建立了3维微纳... 全息光刻作为一种高效率的微纳加工方法,在3维微纳结构制造领域引起了广泛的研究兴趣。为了分析3维微纳结构的形貌演变并研究曝光系统设计对所制备结构的影响,基于全息光刻原理,建立了光刻胶内的3维曝光剂量模型,并进一步建立了3维微纳结构的形貌演化模型;基于上述数值模型进行了理论分析,探索了光源偏振、曝光基底反射、入射光相位漂移等关键因素对曝光场对比度的影响。结果表明,在经典反射式全息光刻系统中,横向电波-横向电波(TETE)偏振入射光在不同入射角下表现出高对比度(0.95以上),明显优于其它偏振组合;曝光基底反射率对基底法线方向对比度具有重要影响并且二者正相关;大幅值低频相位漂移的入射光将导致曝光场对比度明显下降,因此曝光系统应主动控制环境和系统自身扰动,以获得高对比度的曝光场。该研究为反射式全息光刻系统的参数优化设计提供了参考。 展开更多
关键词 光学制造 全息光刻 光束干涉 微纳结构 对比度
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冰刻技术研究进展与展望
19
作者 赵康 赵鼎 仇旻 《科技导报》 北大核心 2025年第12期80-92,共13页
冰刻技术(ice lithography)是一种基于电子束与低温材料相互作用的新型微纳加工方法,通过将特定气体在低温衬底表面凝结成固态冰胶,利用电子束辐照实现纳米精度的图案直写与转移。冰刻技术自提出以来凭借其独特优势快速发展:一是冰胶对... 冰刻技术(ice lithography)是一种基于电子束与低温材料相互作用的新型微纳加工方法,通过将特定气体在低温衬底表面凝结成固态冰胶,利用电子束辐照实现纳米精度的图案直写与转移。冰刻技术自提出以来凭借其独特优势快速发展:一是冰胶对电子束的低敏感性支持加工过程原位观察,可实现高精度套刻;二是冰胶可均匀覆盖非平面衬底,突破传统加工工艺对衬底平整度的依赖;三是冰胶经过升温即可去除,可实现全程无须溶剂的绿色加工,为敏感易损材料的加工提供了解决方案。回顾了冰刻技术的发展历程,从技术特点、加工精度、设备演进、工艺应用等方面总结了冰刻技术的重要成果和进展,并对未来的发展方向进行了展望。希望能激发跨学科的前沿研究,挖掘冰刻这一新兴技术在三维光电器件、生物传感、柔性电子等领域的应用潜力。 展开更多
关键词 冰刻 纳米制造 电子束光刻 3D纳米打印 光电子器件
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硅晶圆通槽激光电化学复合加工试验研究
20
作者 毛东晨 张文颉 +1 位作者 赵康程 朱浩 《半导体光电》 北大核心 2025年第2期293-298,共6页
单晶硅作为半导体器件的核心基础材料,具有高硬度、高脆性和低断裂韧度等特性,在微纳加工领域面临显著挑战。激光加工技术广泛用于单晶硅微结构加工,但其固有的热效应易导致材料热损伤。针对这一问题,文章提出一种基于激光电化学复合的... 单晶硅作为半导体器件的核心基础材料,具有高硬度、高脆性和低断裂韧度等特性,在微纳加工领域面临显著挑战。激光加工技术广泛用于单晶硅微结构加工,但其固有的热效应易导致材料热损伤。针对这一问题,文章提出一种基于激光电化学复合的硅晶圆通槽加工新方法,用于硅晶圆通槽的高质量加工。该方法基于单晶硅导电性随温度升高的物理特性,通过激光的光-热耦合效应激发材料的导电活性,实现激光刻蚀与电化学溶解的协同作用机制。研究揭示了激光诱导电化学加工的物理化学机理,并据此设计了相应的试验装置与工艺方案。对比实验数据表明,激光电化学复合加工在表面质量方面优于传统激光干切方法。通过参数优化实验发现,当施加电压达到40 V时,加工表面粗糙度可显著降低至310 nm,相较于基础工艺有较大提升,展现出优异的加工质量调控能力。 展开更多
关键词 激光加工 电化学 硅晶圆 通槽结构
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