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基于开口谐振环的小型化无线无源应变传感器阵列设计
1
作者 王贤 高尚 +3 位作者 杨尚可 马立军 江剑 雷一菲 《电子测量与仪器学报》 北大核心 2025年第5期40-50,共11页
现有无线无源应变传感器存在检测方向单一、灵敏度低、尺寸大等问题,难以满足复杂受力条件下飞机机翼等大型金属结构应变状态评估的需求。针对这一问题,利用开口谐振环高辐射能力、低损耗以及高品质因数等优点,基于三角函数与矢量分解... 现有无线无源应变传感器存在检测方向单一、灵敏度低、尺寸大等问题,难以满足复杂受力条件下飞机机翼等大型金属结构应变状态评估的需求。针对这一问题,利用开口谐振环高辐射能力、低损耗以及高品质因数等优点,基于三角函数与矢量分解原理设计了一种基于开口谐振环的小型化无线无源应变传感器阵列。该传感器阵列由3个夹角120°的传感器构成,通过提取各传感器谐振频率偏移量实现金属结构件上应变大小和方向的反演。通过ADS软件得到传感器的阻抗参数,以传感器谐振频率为优化目标采用HFSS软件完成了传感器结构小型化和阻抗匹配优化设计,并利用COMSOL软件进行“力-磁”耦合分析验证了传感器的应变检测性能,随后完成传感器制备。实验结果表明,传感器在电长度方向和电宽度方向的灵敏度分别为-1.517和-0.732 kHz/με,所提出的传感器阵列应变大小的检测精度在8.5%以内,应变方向检测误差在10°以内。该传感器阵列能够实现对金属结构表面应变大小和方向的检测,具有灵敏度高、尺寸小以及成本低等优点。 展开更多
关键词 射频识别 开口谐振环 谐振频率偏移量 无线应变测量 传感器阵列
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嵌套型开口谐振环阵列设计及其在冰层检测中的应用
2
作者 胡崇琳 高尚 +2 位作者 王浩 杨尚可 江剑 《电子测量与仪器学报》 北大核心 2025年第5期11-18,共8页
针对传统技术检测飞行器表面冰层厚度存在灵敏度低、检测面积小及线性度差的行业难题,利用嵌套型开口谐振环(nested split ring resonator, NSRR)结构辐射能力强、低损耗、高品质因数、场集中效应强、易小型化的特性,以尺寸大小为11... 针对传统技术检测飞行器表面冰层厚度存在灵敏度低、检测面积小及线性度差的行业难题,利用嵌套型开口谐振环(nested split ring resonator, NSRR)结构辐射能力强、低损耗、高品质因数、场集中效应强、易小型化的特性,以尺寸大小为11×11 mm的NSRR单元结构为基础,设计并制备了一种由72个单元组成的传感器阵列,该阵列总体尺寸为88×99 mm,通过提取传感器阵列谐振频率偏移量实现金属结构件上冰层厚度的反演。ADS等效电路仿真结果表明,NSRR等效电容与传感器阵列的谐振频率存在一一对应关系。HFSS仿真结果表明,该传感器阵列具备不同浓度介质检测和毫米级冰层平均厚度测量的能力,仿真灵敏度为23.46 MHz/mm。实验结果表明,该传感器阵列的谐振频率与冰层平均厚度具有良好的线性关系,线性拟合的决定系数为0.989,对冰层平均厚度的最大检测灵敏度达到21.15 MHz/mm,最大相对误差小于5%,证明了该传感器能够实现对结构表面冰层平均厚度的大面积量化检测,具有高灵敏度、大尺寸、低成本、易扩展等优点。 展开更多
关键词 结冰检测 开口谐振环 有限元分析 谐振频率 传感器阵列
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低碳含量氧化钇薄膜的原子层沉积研究
3
作者 张新强 丁玉强 《微纳电子技术》 2025年第9期89-101,共13页
碳杂质含量过高是原子层沉积(ALD)氧化钇薄膜领域中的一个关键技术难题。设计合成了钇配合物Y(tmod)_(3)(tmod=2,2,6,6-四甲基-3,5-辛二酮),热重(TG)分析和差示扫描量热(DSC)测试结果表明,含有不对称配体的Y(tmod)_(3)前驱体表现出比已... 碳杂质含量过高是原子层沉积(ALD)氧化钇薄膜领域中的一个关键技术难题。设计合成了钇配合物Y(tmod)_(3)(tmod=2,2,6,6-四甲基-3,5-辛二酮),热重(TG)分析和差示扫描量热(DSC)测试结果表明,含有不对称配体的Y(tmod)_(3)前驱体表现出比已报道的Y(tmhd)_(3)(tmhd=2,2,6,6-四甲基-3,5-庚二酮)更低的熔点、更高的挥发性和优异的热稳定性,是理性的ALD前驱体。以二者作为钇前驱体,O_(3)为氧源,利用ALD技术制备了氧化钇薄膜。实验结果表明,Y(tmod)_(3)前驱体的薄膜饱和生长速率为0.29Å/cycle(1Å=0.1 nm),显著高于Y(tmhd)_(3)的0.23Å/cycle。采用原子力显微镜(AFM)、扫描电子显微镜(SEM)和X射线光电子能谱仪(XPS)对薄膜进行表征。结果表明薄膜表面光滑均匀,具有优异的表面形貌和高纯度特性,其中Y(tmod)_(3)前驱体的薄膜碳杂质原子数分数低至0.18%,显著低于Y(tmhd)_(3)的0.83%。 展开更多
关键词 对称配体 钇前驱体 原子层沉积(ALD) 高纯度 氧化钇薄膜
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基于GaN器件的轨道交通电源优化设计
4
作者 刘佳伟 席赫 +3 位作者 徐文婧 宋君健 王闯 侯欣延 《变频器世界》 2025年第6期90-94,共5页
综述了国内外基于GaN器件的电源产品的开发情况,描述了主流产品的效率,功率密度等核心参数的情况及产品控制策略。对于在轨道交通领域中的电源产品,针对采用氮化镓基功率器件时的主要相关技术进行了分析,从器件驱动技术,电路拓扑及控制... 综述了国内外基于GaN器件的电源产品的开发情况,描述了主流产品的效率,功率密度等核心参数的情况及产品控制策略。对于在轨道交通领域中的电源产品,针对采用氮化镓基功率器件时的主要相关技术进行了分析,从器件驱动技术,电路拓扑及控制策略三个方面展开描述,阐述了基于氮化家器件的轨道交通领域电源相关产品如何实现在更快的开关频率下,利用模拟与数字混合控制的方式下,来提高电源产品的功率密度,控制的动态特性响应以及实现智能化电源产品的设计。 展开更多
关键词 轨道交通 氮化镓(GaN) 数字与模拟混合控制 高功率密度 智能化
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氮化铝薄膜ⅢB族元素掺杂的研究进展
5
作者 朱焕能 吴进 王强 《功能材料》 北大核心 2025年第7期7035-7043,共9页
氮化铝(AlN)作为第三代半导体材料的代表之一,已经在多个应用领域引起了广泛关注。然而,本征AlN的压电性能不足以满足能量采集器、表面声波谐振器和体声波谐振器等微机电系统(MEMS)中压电器件的需求。重点探讨钪(Sc)掺杂氮化铝生成压电... 氮化铝(AlN)作为第三代半导体材料的代表之一,已经在多个应用领域引起了广泛关注。然而,本征AlN的压电性能不足以满足能量采集器、表面声波谐振器和体声波谐振器等微机电系统(MEMS)中压电器件的需求。重点探讨钪(Sc)掺杂氮化铝生成压电增强材料AlScN的效果及其机理。目前,制备AlScN压电薄膜的方法主要包括磁控溅射(PVD)、分子束外延(MBE)和有机金属气相沉积(MOCVD)。为了实现优异的压电性能,AlScN薄膜需要具备高压电性能、良好的c轴取向生长和优异的结晶性。目前的研究主要集中在调节Sc掺杂浓度、生长温度、Ⅲ/Ⅴ比及衬底材料等方面,以提升AlScN薄膜的整体性能。相比之下,作为掺杂元素的钇(Y)和镱(Yb)展现出更大的应用潜力。它们不仅能够实现更高的掺杂浓度(理论上分别可达0.75和0.77),而且成本较Sc更低。这使得Y和Yb在未来压电器件中的应用前景更加广阔,为提高AlN的压电性能提供了新的研究方向。 展开更多
关键词 氮化铝 掺杂 压电系数 相分离 结晶性
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Dy^(3+),Tb^(3+)共掺氮化铝薄膜结构与发光特性 被引量：1
6
作者 罗璇 孟河辰 +5 位作者 王晓丹 陈子航 曾雄辉 高晓冬 郑树楠 毛红敏 《中国光学（中英文）》 EI CAS CSCD 北大核心 2024年第4期733-741,共9页
通过离子注入方法,首次将Dy^(3+)和Tb^(3+)共掺入氮化铝(AlN)薄膜,并研究了其晶体结构、阴极荧光和能量传递机制。拉曼光谱(Raman)和X射线衍射(XRD)结果显示,在Tb^(3+)剂量一定的情况下,Dy^(3+)的注入会导致晶格内部压应力增大,随着Dy^(... 通过离子注入方法,首次将Dy^(3+)和Tb^(3+)共掺入氮化铝(AlN)薄膜,并研究了其晶体结构、阴极荧光和能量传递机制。拉曼光谱(Raman)和X射线衍射(XRD)结果显示,在Tb^(3+)剂量一定的情况下,Dy^(3+)的注入会导致晶格内部压应力增大,随着Dy^(3+)的持续注入,一部分点缺陷发生复合,内部部分压应力会得到释放。阴极荧光光谱(CL)显示,高剂量Tb^(3+)注入下,随着Dy^(3+)剂量的增加,Tb^(3+)的发射强度与Dy^(3+)的发射强度呈现出不同的变化趋势。进一步分析表明可能存在Tb^(3+)的5D4→7F6至Dy^(3+)的6H15/2→4F9/2的共振能量传递。通过研究发现在不同Tb^(3+)和Dy^(3+)注入剂量下,样品的发光颜色在黄绿色与橙黄色之间转变,色温在4042~5119K范围变化。由上述研究结果可知,通过改变Tb^(3+)与Dy^(3+)共注入的剂量比可以有效调控材料的发光色坐标与色温。 展开更多
关键词 镝离子 铽离子 氮化铝 发光特性 能量传递
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金刚石中Ce相关缺陷的光学性质的第一性原理研究
7
作者 未雪原 王健 +2 位作者 刘瑶 贾苏元 魏乐斯 《光散射学报》 北大核心 2024年第2期155-161,共7页
本文利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,运用VASP软件包对金刚石CeV2色心的光学性质进行计算。从理论上确定色心静态介电函数值为19.2。对色心折射率进行计算,确定色心的折射率为4.38;对消光系数和吸收系数进行计算,发现色心消光系... 本文利用基于密度泛函理论的第一性原理方法,运用VASP软件包对金刚石CeV2色心的光学性质进行计算。从理论上确定色心静态介电函数值为19.2。对色心折射率进行计算,确定色心的折射率为4.38;对消光系数和吸收系数进行计算,发现色心消光系数和吸收系数明显降低;对反射系数进行计算,发现色心的反射系数先高后低,结合吸收系数分析可知色心在低能区域透射率下降,高能区域透射率升高;对能量损耗系数进行计算,发现色心的能量损耗系数增大,由于能量损耗偏高,将色心于激发波长长度范围内激发具有十分重要的意义。我们从理论上验证了金刚石CeV2色心的光学性能,为后续的实验检测提供了理论基础。 展开更多
关键词 第一性原理 金刚石铈色心 光学性质计算
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SiO_(2)光子晶体的制备及其在增强上转换发光的应用
8
作者 陈明杰 郑飘飘 《光电子技术》 CAS 2024年第1期19-24,共6页
用改进的Stober法制备了均一分散的SiO_(2)微球。探讨了不同温度环境和正硅酸乙酯(TEOS)的用量对生成微球粒径大小的影响。用扫描电子显微镜、分光光度计、X射线衍射仪紫外-近红外吸收发射光谱仪等仪器对粉末和薄膜的形貌与光学性能进... 用改进的Stober法制备了均一分散的SiO_(2)微球。探讨了不同温度环境和正硅酸乙酯(TEOS)的用量对生成微球粒径大小的影响。用扫描电子显微镜、分光光度计、X射线衍射仪紫外-近红外吸收发射光谱仪等仪器对粉末和薄膜的形貌与光学性能进行表征。结果表明:随着温度的增加,微球的粒径不断减小。TEOS试剂的用量增加,生成微球的粒径也随之增加。讨论了不同温度的自组装环境对光子晶体自组装的影响。结果表明,当自组装温度为55℃时制备的二氧化硅光子晶体薄膜质量最高。用980 nm激发光对旋涂在玻璃基板和光子晶体上的上转换薄膜进行发光测试,红光发光增强1.72倍,绿光发光增强1.93倍。这是由于带隙位于激发光波段的光子晶体表面具有高光子态密度,能够增强发光粒子周围电磁场强度,提高了电子跃迁的几率,从而增强了荧光强度。 展开更多
关键词 SiO_(2)微球 光子晶体 纳米颗粒 上转换发光
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La_(0.5)Ba_(0.5)CoO_3中Y的替代效应 被引量：5
9
作者 刘宜华 张汝贞 +3 位作者 王成建 岳龙强 季刚 梅良模 《中国稀土学报》 CAS CSCD 北大核心 2002年第3期244-247,共4页
用固相反应法制备了La0 .5-xYxBa0 .5CoO3多晶材料 ,系统研究了Y的替代对材料磁性和输运特性的影响 ,结果发现 ,Y的掺入主要产生了两种效应 ,一是Y向Co的 3d轨道产生了电荷转移 ,使分子磁矩下降 ,二是出现了Co离子的反铁磁交换作用 ,当... 用固相反应法制备了La0 .5-xYxBa0 .5CoO3多晶材料 ,系统研究了Y的替代对材料磁性和输运特性的影响 ,结果发现 ,Y的掺入主要产生了两种效应 ,一是Y向Co的 3d轨道产生了电荷转移 ,使分子磁矩下降 ,二是出现了Co离子的反铁磁交换作用 ,当Y含量少于或等于 0 .3时 ,材料中出现了自旋的非共线结构。当Y含量大于 0 .3时 ,材料从铁磁态为主转变为反铁磁态为主。对不同Y含量的材料 ,其导电机制都属于极化子的变程跳跃导电 ,随Y含量增加 ,材料电阻率迅速增大。 展开更多
关键词 La0.5Ba0.5CoO3 替代效应 稀土 电荷转移 自旋非共线结构 变程跳跃导电 钴酸钡镧 半导体 钇
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半导体集成电路用金属硅化物的制备与检测评价 被引量：11
10
作者 屠海令 王磊 杜军 《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 2009年第4期453-461,共9页
金属硅化物广泛用于微电子器件中的源、漏、栅极与金属电极间的接触,是制备纳米集成电路的关键材料之一。本文叙述了半导体集成电路用功能金属硅化物的相组成、界面反应和形成机制以及热蒸发、离子注入、溅射沉积、分子束外延等多种制... 金属硅化物广泛用于微电子器件中的源、漏、栅极与金属电极间的接触,是制备纳米集成电路的关键材料之一。本文叙述了半导体集成电路用功能金属硅化物的相组成、界面反应和形成机制以及热蒸发、离子注入、溅射沉积、分子束外延等多种制备技术。比较了TiSi2,Co-Si2,NiSi的材料性质及其对不同技术节点集成电路性能的影响。分析了退火温度与NiSi晶体结构和晶格常数间的关系。阐述了稀土金属硅化物的生长工艺和与硅衬底间势垒及界面特性。讨论了上述金属硅化物的性能评价与缺陷,热稳定性的检测方法。分析认为,探索32 nm及以下技术节点极大规模半导体集成电路用新型金属硅化物已成为今后研究的主攻方向。 展开更多
关键词 金属硅化物 性质 检测 缺陷 硅技术
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稀磁半导体Zn_(1-x)Ni_xO的室温铁磁性 被引量：7
11
作者 彭坤 周灵平 +1 位作者 胡爱平 唐元洪 《中国有色金属学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第1期35-38,共4页
利用溶胶-凝胶方法制备不同成分的Zn1?xNixO(x=0.05,0.10,0.15)稀磁半导体材料,产物由直径约70 nm的六边形颗粒组成。利用振动样品磁强计测量了样品的磁学性能,发现在室温条件下存在明显的铁磁性,且随着镍浓度的增加,样品的饱和磁化强... 利用溶胶-凝胶方法制备不同成分的Zn1?xNixO(x=0.05,0.10,0.15)稀磁半导体材料,产物由直径约70 nm的六边形颗粒组成。利用振动样品磁强计测量了样品的磁学性能,发现在室温条件下存在明显的铁磁性,且随着镍浓度的增加,样品的饱和磁化强度增加,但样品的单个镍原子的磁矩是逐渐下降的。X射线衍射分析结果表明,样品中不存在镍及镍的氧化物,且晶格常数随镍含量的增加而略有增大,并利用M—T曲线测量Zn0.9Ni0.1O居里温度为575 K左右,表明其磁性来源于稀磁半导体。 展开更多
关键词 稀磁半导体 ZNO 铁磁性
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硅酸盐橙色荧光粉的发光性能研究 被引量：6
12
作者 徐文飞 王海波 +1 位作者 范供齐 施丰华 《电子元件与材料》 CAS CSCD 北大核心 2012年第6期33-36,共4页
采用高温固相反应法制备了高效橙色荧光粉Sr3–xSiO5:xEu2+。通过X射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及荧光分光光度计研究了Eu2+含量和不同助熔剂对荧光粉发光性能的影响,并分析了所制荧光粉的封装性能。研究表明,荧光粉Sr3–xSiO5:x... 采用高温固相反应法制备了高效橙色荧光粉Sr3–xSiO5:xEu2+。通过X射线粉末衍射仪(XRD)、扫描电镜(SEM)及荧光分光光度计研究了Eu2+含量和不同助熔剂对荧光粉发光性能的影响,并分析了所制荧光粉的封装性能。研究表明,荧光粉Sr3–xSiO5:xEu2+的晶体结构属正方晶系。当Eu2+的摩尔分数为4%,并用质量分数为3%的NH4Cl作助熔剂时,制得的Sr3–xSiO5:xEu2+的发射光谱强度最大。荧光粉封装后可以有效降低白光LED的色温并提高其显色指数,这表明该荧光粉是一种适用于白光LED的光转化材料。 展开更多
关键词 硅酸盐 白光LED 橙色荧光粉 助熔剂
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稀磁半导体Cd_（1－x）Fe_xTe的巨法拉第效应 被引量：4
13
作者 王学忠 王荣明 +1 位作者 陈辰嘉 马可军 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第11期835-841,共7页
在７０－３００Ｋ温度范围内测量研究了组分ｘ为０．０１，０．００３和０．０６的稀磁半导体Ｃｄ１－ｘＦｅｘＴｅ的法拉第旋转与入射光子能量、温度和组分的关系．首次用多振子模型拟合实验结果，获得了布里渊区Γ点的激子能量Ｅθ和... 在７０－３００Ｋ温度范围内测量研究了组分ｘ为０．０１，０．００３和０．０６的稀磁半导体Ｃｄ１－ｘＦｅｘＴｅ的法拉第旋转与入射光子能量、温度和组分的关系．首次用多振子模型拟合实验结果，获得了布里渊区Γ点的激子能量Ｅθ和Ｌ点的能隙Ｅ１随组分ｘ的变化规律和Ｅ０的温度关系．讨论了Ｆｅ＋＋离子内部能级间跃迁对实验结果的影响． 展开更多
关键词 稀磁半导体 巨法拉第效应 CdFeTe 半导体材料
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空穴缓冲层2T-NATA厚度对OLED器件性能的影响 被引量：5
14
作者 牟强 王秀峰 张麦丽 《液晶与显示》 CAS CSCD 北大核心 2008年第6期680-683,共4页
在有机电致发光器件中,载流子的注入和匹配水平直接影响着器件性能。在器件中引入空穴缓冲传输层2T-NATA,能够有效改善阳极与有机层的接触,改变有机层中的势垒分布,提高载流子的注入和平衡水平,使激子复合率得到有效改善,从而使器件发... 在有机电致发光器件中,载流子的注入和匹配水平直接影响着器件性能。在器件中引入空穴缓冲传输层2T-NATA,能够有效改善阳极与有机层的接触,改变有机层中的势垒分布,提高载流子的注入和平衡水平,使激子复合率得到有效改善,从而使器件发光特性大幅提高。 展开更多
关键词 空穴缓冲层 2T-NATA 发光效率
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含Sm和Cr的P型FeSi_2基热电材料的电学特性 被引量：2
15
作者 李伟文 赵新兵 +1 位作者 邬震泰 周邦昌 《有色金属》 CSCD 2002年第2期5-7,共3页
通过高温悬浮熔炼法制备含Cr、Sm的P型FeSi2 基热电材料Fe1 x ySmxCrySi2 ,进行电学性能的测试和研究。实验结果表明Fe1 x ySmxCrySi2 的输运特性是由两种掺杂元素共同作用所决定的 ,Sm对电阻率的变化影响较大 ,而Cr的掺入能提高样... 通过高温悬浮熔炼法制备含Cr、Sm的P型FeSi2 基热电材料Fe1 x ySmxCrySi2 ,进行电学性能的测试和研究。实验结果表明Fe1 x ySmxCrySi2 的输运特性是由两种掺杂元素共同作用所决定的 ,Sm对电阻率的变化影响较大 ,而Cr的掺入能提高样品的热电动势率。为提高材料的电学性能 ,Cr的最佳掺杂原子数在 3 .3 3 %左右 ,而Sm的含量应小于 3 .3 3 %。通过Sm、Cr的适当掺杂 ,可得到电学性能优良的FeSi2 展开更多
关键词 P型FeSi2基 热电材料 电化学特征 钐 铬 半导体
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气体传感器用稀土气敏材料 被引量：8
16
作者 陈祖耀 张大杰 钱逸泰 《仪表材料》 CSCD 1989年第1期25-32,共8页
稀土气体敏感材料是一种新型的气敏材料,并有了广泛的应用。由于其结构和性能都有许多优良的特点而受到人们的注目,尤其可以通过它们的催化性质和气敏效应之间的密切关系,深入了解气敏效应的本质。本文综合评述了稀土气体敏感材料的发... 稀土气体敏感材料是一种新型的气敏材料,并有了广泛的应用。由于其结构和性能都有许多优良的特点而受到人们的注目,尤其可以通过它们的催化性质和气敏效应之间的密切关系,深入了解气敏效应的本质。本文综合评述了稀土气体敏感材料的发展概况。 展开更多
关键词 气体传感器 气敏材料 稀土元素
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Co-ZnO稀磁半导体纳米棒的水热合成研究 被引量：4
17
作者 汪汉斌 王浩 +2 位作者 王君安 陈燕 张丛 《纳米科技》 2006年第2期37-39,共3页
文章利用水热反应法制备出单晶结构的Co掺杂ZnO纳米棒，并对其形貌和结构进行表征。透射电子显微镜（TEM）结果表明，首先制备得到的纳米ZnO颗粒粒径分布窄，尺寸在50nm左右；用其作为生长Co-ZnO纳米棒的核而进一步反应得到的产物结晶... 文章利用水热反应法制备出单晶结构的Co掺杂ZnO纳米棒，并对其形貌和结构进行表征。透射电子显微镜（TEM）结果表明，首先制备得到的纳米ZnO颗粒粒径分布窄，尺寸在50nm左右；用其作为生长Co-ZnO纳米棒的核而进一步反应得到的产物结晶完整，棒直径在40．70nm范围内，棒长一般在0．5μm左右，纳米棒沿着[001]方向生长。同时对反应中ZnO核以及PEG对纳米棒生长的影响进行了讨论。 展开更多
关键词 稀磁半导体 水热法 ZNO 纳米棒
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稀磁半导体Zn_（1－x）Co_xSe的光谱特性 被引量：2
18
作者 陈辰嘉 王学忠 +1 位作者 覃智峰 胡巍 《光谱学与光谱分析》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1994年第2期1-5,共5页
本文首次报道一类新型半导体材料：含Ｃｏ＋＋离子的稀磁半导体Ｚｎ１－ｘＣｏｘＳｅ晶体的光谱特性研究实验结果。对组分Ｘ＝０．００１，０．００９７，０．０３０，０．０３７系列样品，在７３Ｋ—３００Ｋ范围内分别在可见和近红外... 本文首次报道一类新型半导体材料：含Ｃｏ＋＋离子的稀磁半导体Ｚｎ１－ｘＣｏｘＳｅ晶体的光谱特性研究实验结果。对组分Ｘ＝０．００１，０．００９７，０．０３０，０．０３７系列样品，在７３Ｋ—３００Ｋ范围内分别在可见和近红外区测量了吸收光谱和光致发光谱。实验观测到一系列与Ｘ值无关的吸收峰和光致发光峰，两者—一对应，它们分别对应于具有几对称的晶体场中Ｃｏ＋＋离子不同能级间的跃迁，对这些峰进行了初步指认。从光致发光谱实验结果给出能隙随Ｘ值的变化。 展开更多
关键词 稀磁半导体 吸收光谱 ZnCoSe
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MoSi_2能隙的高压调制 被引量：1
19
作者 张海峰 李永平 黄新堂 《高压物理学报》 CAS CSCD 北大核心 1994年第3期200-204,共5页
采用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，对过渡金属ＭｏＳｉ＿２在高压下的电子结构性质进行了研究，计算中考虑了除自旋－轨道耦合外的所有相对论效应。结果表明：随着压缩度增加，ＭｏＳｉ＿２小的能隙变宽，Ｍｏ的ｄ电子与Ｓｉ的ｐ电子杂化增强... 采用ＬＭＴＯ－ＡＳＡ方法，对过渡金属ＭｏＳｉ＿２在高压下的电子结构性质进行了研究，计算中考虑了除自旋－轨道耦合外的所有相对论效应。结果表明：随着压缩度增加，ＭｏＳｉ＿２小的能隙变宽，Ｍｏ的ｄ电子与Ｓｉ的ｐ电子杂化增强，原子间相互作用增大，晶体在高压下更加紧密结合。这一能隙随压力增大而增大的结果，与非导体在高压下金属化的特性相反。 展开更多
关键词 电子结构 高压 硅化钼 能隙
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稀土掺杂氮化镓的发光机理、制备方法及其电致发光器件的应用
20
作者 王质武 刘文 +4 位作者 张勇 杨清斗 卫静婷 唐伟群 张浩希 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第A01期21-24,共4页
介绍了稀土掺杂氮化镓（GaN：RE）的发光机理及其掺杂的方法（热扩散、离子注入和原位掺杂），对各种方法的优势及其存在的问题进行了点评，综述了近年来国内外稀土掺杂GaN的研究进展及其相关电致发光器件在平板显示领域的应用。
关键词 稀土 氮化镓 电致发光 平板显示
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