多孔硅的微观结构及其氧化特性 被引量：9

1

作者 黄宜平 郑大卫 +3 位作者 李爱珍 汤庭鳌 崔堑 张翔九 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期19-25,共7页

采用ＴＥＭ技术研究了多孔硅微观结构．结果表明：当衬底材料为中等偏高掺杂（０．０３２Ω·ｃｍ）时，多孔硅具有两种不同类型的微观结构，它们的形成和阳极氧化反应电流密度有关．修正了Ｂｅａｌｅ关于多孔硅微观结构的形成模型... 采用ＴＥＭ技术研究了多孔硅微观结构．结果表明：当衬底材料为中等偏高掺杂（０．０３２Ω·ｃｍ）时，多孔硅具有两种不同类型的微观结构，它们的形成和阳极氧化反应电流密度有关．修正了Ｂｅａｌｅ关于多孔硅微观结构的形成模型．采用ＸＰＳ、ＩＲＳ和击穿电压测量，研究了多孔氧化硅的特性，发现多孔硅在低温下（７５０℃）的氧化特性，除了和多孔度有关外，和多孔硅的微观结构以及氧化前的热处理温度有关． 展开更多

关键词 多孔硅 微观结构 氧化特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

Nb／C_（60）／p型Si结构的特性 被引量：4

2

作者 陈开茅 金泗轩 +4 位作者 贾勇强 吴克 李传义 顾镇南 周锡煌 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第10期716-720,共5页

研究了Ｎｂ／Ｃ６０／Ｐ型Ｓｉ结构的电学特性．Ｉ－Ｖ结果表明这一结构具有强整流效应，这意味着在Ｃ６０／Ｓｉ界面附近存在着一个势垒，或称Ｃ６０／Ｓｉ异质结．高频Ｃ－Ｖ结果表明在Ｃ６０层中存有约１０１２～１０１３ｃｍ－２的... 研究了Ｎｂ／Ｃ６０／Ｐ型Ｓｉ结构的电学特性．Ｉ－Ｖ结果表明这一结构具有强整流效应，这意味着在Ｃ６０／Ｓｉ界面附近存在着一个势垒，或称Ｃ６０／Ｓｉ异质结．高频Ｃ－Ｖ结果表明在Ｃ６０层中存有约１０１２～１０１３ｃｍ－２的可动负离子．这些离子的松弛温度高于３５０Ｋ，冻结温度低于２６０Ｋ，以及在３００－３７０Ｋ的测量温度范围内，Ｃ６０膜的相对介电常数与温度无关，即εＣ６０＝３．７±０．１． 展开更多

关键词 硅 结构 电学特性 异质结

在线阅读 下载PDF 职称材料

用脉冲腐蚀制备发光多孔硅 被引量：7

3

作者 范洪雷 侯晓远 +3 位作者 李喆深 张甫龙 俞鸣人 王迅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第2期113-117,共5页

采用脉冲腐蚀方法，研究多孔硅的动态腐蚀过程，测定了动态电流和时间的关系，提出并讨论了动态腐蚀机理．用脉冲腐蚀制备得到发光多孔硅，与直流腐蚀相比较，脉冲腐蚀能得到均匀性更好、发光更强的多孔硅，而且ＰＬ峰位有一定的蓝移，... 采用脉冲腐蚀方法，研究多孔硅的动态腐蚀过程，测定了动态电流和时间的关系，提出并讨论了动态腐蚀机理．用脉冲腐蚀制备得到发光多孔硅，与直流腐蚀相比较，脉冲腐蚀能得到均匀性更好、发光更强的多孔硅，而且ＰＬ峰位有一定的蓝移，我们认为脉冲腐蚀是一种更优秀的制备方法，并对此作了初步的讨论． 展开更多

关键词 发光多孔硅 脉冲腐蚀 多孔硅 制备

在线阅读 下载PDF 职称材料

双位组合四探针法测量硅片电阻率 被引量：4

4

作者 鲁效明 宿昌厚 《微电子学》 CAS CSCD 1994年第3期60-63,共4页

本文研究用双位组合四探针测量硅材料薄片电阻率的新技术，提出新的计算公式和厚度修正原理。用双位组合法测量不同厚度硅样品所得结果与常规四探针法测得的结果相比较表明，用双位组合法测量较厚（Ｗ／Ｓ＞０．６）样品时，非但不能直... 本文研究用双位组合四探针测量硅材料薄片电阻率的新技术，提出新的计算公式和厚度修正原理。用双位组合法测量不同厚度硅样品所得结果与常规四探针法测得的结果相比较表明，用双位组合法测量较厚（Ｗ／Ｓ＞０．６）样品时，非但不能直接套用常规的厚度计算方法，而且还必须采取新的厚度修正。本文给出两种双位组合法的计算公式，分析新的厚度修正原理，给出测试结果，得出相应结论。 展开更多

关键词 硅片 电阻率 回探针法 半导体

在线阅读 下载PDF 职称材料

掺钇非晶硅薄膜的激光退火 被引量：1

5

作者 王青圃 杨旭东 +3 位作者 赵圣之 王公堂 程兴奎 岳书彬 《激光杂志》 CAS CSCD 北大核心 1989年第1期11-15,共5页

本文对射频溅射掺钇的非晶硅膜a-Si:H(Y)用CWCO_2激光束进行退火作了研究。当采用所谓激光打点式退火时,光束直径1mm,每个点照射时间10秒,晶化阈值功率不高于9W。当照射功率14.5W,晶化的平均晶粒尺寸为500(?),相应的室温电导率提高4个... 本文对射频溅射掺钇的非晶硅膜a-Si:H(Y)用CWCO_2激光束进行退火作了研究。当采用所谓激光打点式退火时,光束直径1mm,每个点照射时间10秒,晶化阈值功率不高于9W。当照射功率14.5W,晶化的平均晶粒尺寸为500(?),相应的室温电导率提高4个数量级。当采用扫描式激光退火,提高了功率密度,平均晶粒尺寸为1060(?)。 另外,本文对CWCO_2激光退火机理作了初步讨论。 展开更多

关键词 掺钇 非晶硅 激光 退火 薄膜

在线阅读 下载PDF 职称材料

用高分辨电子能量损失谱和紫外光电子谱研究多孔硅的电子结构 被引量：1

6

作者 郝平海 侯晓远 +3 位作者 丁训民 贺仲卿 蔡卫中 王迅 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1995年第1期13-18,共6页

本文首次使用分辨电子能量损失谱（ＨＲＥＥＬＳ）和紫外光电子能谱（ＵＰＳ）研究新腐蚀的多孔硅样品（ＰＳ）的电子结构．实验结果发现，从ＨＲＥＥＬＳ谱中能量损失阈值测得的多孔硅的能隙最可几值移到２．９ｅＶ左右，与文献报道的... 本文首次使用分辨电子能量损失谱（ＨＲＥＥＬＳ）和紫外光电子能谱（ＵＰＳ）研究新腐蚀的多孔硅样品（ＰＳ）的电子结构．实验结果发现，从ＨＲＥＥＬＳ谱中能量损失阈值测得的多孔硅的能隙最可几值移到２．９ｅＶ左右，与文献报道的光激发谱（ＰＬＥ）的结果相近．ＵＰＳ结果发现多孔硅费米能级到价带顶的距离不同于单晶硅，结合ＨＲＥＥＬＳ和ＵＰＳ结果可以初步得出多孔硅与硅界面的能带排列． 展开更多

关键词 多孔硅 电子结构 电子能量损失谱 紫外光电子谱

在线阅读 下载PDF 职称材料

超高真空CVD极低温低压硅外延与高分辨TEM分析研究 被引量：4

7

作者 叶志镇 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第12期832-837,共6页

本研究利用一台新型的超高真空气相外延（ＣＶＤ）设备，成功地在树底温度为５５０℃的（１００）硅片上由硅烷热解法生长了外延层，实现了极低温低压外延新工艺．高分辨率的横断面透射电镜（ＸＴＥＭ）照片表明，低温硅外延层中缺陷明... 本研究利用一台新型的超高真空气相外延（ＣＶＤ）设备，成功地在树底温度为５５０℃的（１００）硅片上由硅烷热解法生长了外延层，实现了极低温低压外延新工艺．高分辨率的横断面透射电镜（ＸＴＥＭ）照片表明，低温硅外延层中缺陷明显有其特点，而绝大部分的缺陷都由衬底表面引起的，然后传播进入外延层． 展开更多

关键词 化学气相外延 硅 外延层 TEM 高分别辨

在线阅读 下载PDF 职称材料

高阻硅中深能级与少子寿命的研究 被引量：1

8

作者 朱文章 沈 华 《微电子学》 CAS CSCD 1994年第3期46-51,共6页

本文测量了ｎ型高阻硅在９种不同浓度的金掺杂前后少子寿命的变化，以及两类不同电阻率的ｎ型高阻硅在７种不同辐照剂量的１ＭｅＶ高能电子辐照前后少子寿命的变化；测量了金掺杂和高能电子辐照在硅中引入的主要深能级；研究对比金掺杂... 本文测量了ｎ型高阻硅在９种不同浓度的金掺杂前后少子寿命的变化，以及两类不同电阻率的ｎ型高阻硅在７种不同辐照剂量的１ＭｅＶ高能电子辐照前后少子寿命的变化；测量了金掺杂和高能电子辐照在硅中引入的主要深能级；研究对比金掺杂和高能电子辐照对硅单晶性能的影响及其在提高电子器件开关速度方面的应用。 展开更多

关键词 深能级 少子寿命 高阻硅

在线阅读 下载PDF 职称材料

硼掺杂多晶硅薄膜电阻率的温度特性

9

作者 刘晓为 张国威 +1 位作者 刘振茂 理峰 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第6期429-434,共6页

本文研究了用于制作压阻传感器的硼掺杂ＬＰＣＶＤ多晶硅薄膜电阻率的温度特性．在室温～４５０℃较高温度范围，实验发现电阻率与温度的关系中存在一个极小值，理论分析表明极小值所对应的温度正比于晶界势垒高度，理论分析与实验结果... 本文研究了用于制作压阻传感器的硼掺杂ＬＰＣＶＤ多晶硅薄膜电阻率的温度特性．在室温～４５０℃较高温度范围，实验发现电阻率与温度的关系中存在一个极小值，理论分析表明极小值所对应的温度正比于晶界势垒高度，理论分析与实验结果相符合．通过对影响薄膜电阻率温度特性诸因素的分析讨论，提出了减小多晶硅薄膜电阻温度系数的最佳途径． 展开更多

关键词 多晶硅 膜膜 电阻率 硼 掺杂 温度

在线阅读 下载PDF 职称材料

硅中Mo-B络合物的电荷分布

10

作者 吴汲安 周洁 张大仁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第12期952-954,共3页

我们对硅中Mo-B络合物的电子态作了SW-Xα自洽计算.通过体系电荷分布分析,结合前文Pd-B络合物的结果,对已被广为接受的描写间隙位过渡金属杂质和替代位IIIA族受主杂质络合物的离子模型的正确性提出了怀疑.

关键词 硅 深能级 络合物 电子结构 电荷

在线阅读 下载PDF 职称材料

硅中Pd-B络合物性质的理论研究

11

作者 吴汲安 周洁 张大仁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第6期434-440,共7页

本文报道硅中间隙位Pd和替位B络合物的Xα-SW自洽计算电子结构的结果.通过与硅中替位B的电子结构以及硅中间隙Pd的电子结构比较,我们发现间隙位Pd原子和替位B原子不形成杂质对能级,通常用来描写间隙位3d过渡金属和IIIA族浅受主杂质对的... 本文报道硅中间隙位Pd和替位B络合物的Xα-SW自洽计算电子结构的结果.通过与硅中替位B的电子结构以及硅中间隙Pd的电子结构比较,我们发现间隙位Pd原子和替位B原子不形成杂质对能级,通常用来描写间隙位3d过渡金属和IIIA族浅受主杂质对的理论模型──离子模型,不适于处理硅中Pd-B络合物体系. 展开更多

关键词 硅 深能级 络合物 电子结构

在线阅读 下载PDF 职称材料

硅价带自旋-轨道分裂的高分辨率光电导谱测定

12

作者 俞志毅 黄叶肖 沈学础 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第5期399-402,共4页

采用高分辨率光电导谱观察到高纯区熔硅单晶中剩余硼受主从基态到各共振激发态的p_1/2系列跃迁谱线.考虑裂开P_1/2价带的非抛物线性,精确得到了硼杂质从基态到P_1/2... 采用高分辨率光电导谱观察到高纯区熔硅单晶中剩余硼受主从基态到各共振激发态的p_1/2系列跃迁谱线.考虑裂开P_1/2价带的非抛物线性,精确得到了硼杂质从基态到P_1/2价带的电离能E₁^*（硼）=88.45±0.01meV,进而获得硅价带的自旋-轨道分裂为△_o=42.62±0.01meV. 展开更多

关键词 硅 光电导谱 价带自旋 轨道分裂

在线阅读 下载PDF 职称材料

区熔单晶硅生产操作指导专家系统

13

作者 郑德玲 李燕杰 李育苗 《控制与决策》 EI CSCD 北大核心 1994年第1期64-69,共6页

本文介绍区熔单晶硅生产操作指导专家系统。首先，系统实现了连续图象的自动变周期、定瞬间采样，并提出一种新的区域扩张增量图象处理算法．其次，叙述了知识的获取过程及类规则，提出分布的多库结构，并实现了不确定性推理．最后，开... 本文介绍区熔单晶硅生产操作指导专家系统。首先，系统实现了连续图象的自动变周期、定瞬间采样，并提出一种新的区域扩张增量图象处理算法．其次，叙述了知识的获取过程及类规则，提出分布的多库结构，并实现了不确定性推理．最后，开发了区熔单晶硅生产操作指导专家系统，实现了从数据和图象采集、处理、事实获取、推理到给出操作指导一体化。 展开更多

关键词 单晶硅 专家系统 图象处理

在线阅读 下载PDF 职称材料

非晶态硅薄膜的生长规律及其特性

14

作者 林鸿溢 刘洲峰 《北京理工大学学报》 EI CAS CSCD 1990年第4期94-99,共6页

关键词 薄膜 生长 成核 硅 微晶态 非晶态

在线阅读 下载PDF 职称材料

LCVD制备多晶硅膜实验研究

15

作者 李艳秋 秦汝虎 +2 位作者 李兆霖 张泽勃 赵玉英 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第2期9-18,共10页

用CWCO_2激光诱发SiH_4反应,在石英基片上淀积多晶硅膜,它的Raman谱表明,激光诱发反应时间越长,结晶度越高.SEM 结果表明,不同淀积时间,表面结构差异较大.薄厚台阶仪测出不同实验条件淀积速率变化的规律.同时,结合不同条件下控制过程的... 用CWCO_2激光诱发SiH_4反应,在石英基片上淀积多晶硅膜,它的Raman谱表明,激光诱发反应时间越长,结晶度越高.SEM 结果表明,不同淀积时间,表面结构差异较大.薄厚台阶仪测出不同实验条件淀积速率变化的规律.同时,结合不同条件下控制过程的反应机制,对结果进行了定性的讨论. 展开更多

关键词 多晶硅 膜 裂解 LCVD技术

在线阅读 下载PDF 职称材料

硅中氢分子和空位型缺陷间的相互作用

16

作者 施天生 白国仁 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1989年第7期561-563,共3页

利用MNDO方法和模型硅晶体计算了硅中氢分子和空位型缺陷问的相互作用能.得到了晶体硅中氢分子和空位型缺陷倾向于相互结合,含氢空位型缺陷可成为硅中氢和空位聚集的核心的结论.

关键词 硅 氢 缺陷

在线阅读 下载PDF 职称材料

硅尖阵列二极管性能的研究

17

作者 陈德英 唐国洪 《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1995年第3期24-27,共4页

简述了真空微二极管的结构参数设计考虑、工作特点、工艺制备技术。给出了微二极管不同温度下的Ｆ－Ｎ曲线及湿法腐蚀制备硅尖的形貌。该微二极管转换电压为２伏左右，发射锥尖电流为５ｕＡ／锥尖。

关键词 真空微二极管 锥形硅尖阴极 温度特性

在线阅读 下载PDF 职称材料

工业硅冶炼过程热力学分析——Si-O-C体系热力学

18

作者 梁连科 杨怀 《轻金属》 CSCD 北大核心 1990年第6期43-45,共3页

本文在前人工作的基础上,从Si—O—C体系的热力学分析入手,分析和讨论了在矿热炉中不同温度区域内可能发生的主要反应,以及控制这些反应的热力学条件,为控制工业硅冶炼过程和提高生产效率提供理论依据。

关键词 硅 冶炼 热力学 Si-O-C体系

在线阅读 下载PDF 职称材料

利用STM观察Si（100）微斜面的表面结构

19

作者 张兆祥 井藤浩志 市川竹男 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第7期439-443,共5页

本文利用超高真空ＳＴＭ和ＬＥＥＤ装置观察了错切角为０．５°和４．５°的Ｓｉ（１００）微斜面的原子结构．观察到错切角为０．５°时ＳＴＭ像为单原子高度台阶表面结构，错切角为４．５°时ＳＴＭ像为双原子高度台... 本文利用超高真空ＳＴＭ和ＬＥＥＤ装置观察了错切角为０．５°和４．５°的Ｓｉ（１００）微斜面的原子结构．观察到错切角为０．５°时ＳＴＭ像为单原子高度台阶表面结构，错切角为４．５°时ＳＴＭ像为双原子高度台阶结构． 展开更多

关键词 硅 STM 表面结构 处延生长 半导体

在线阅读 下载PDF 职称材料

多晶硅薄膜内应力的SEM测定法

20

作者 王云珍 石艳泠 万培明 《传感技术学报》 CAS CSCD 1993年第3期54-56,共3页

多晶硅膜内应力的存在影响传感器的性能.本文介绍了内应力的SEM测定法和减小应力的途径.1 多晶硅微结构多晶硅膜采用LPCVD方法淀积,淀积温度为650℃,低压约为133Pa,微结构如图1所示.改变多晶硅微结构的长、宽及膜的厚度,得到不同的微结... 多晶硅膜内应力的存在影响传感器的性能.本文介绍了内应力的SEM测定法和减小应力的途径.1 多晶硅微结构多晶硅膜采用LPCVD方法淀积,淀积温度为650℃,低压约为133Pa,微结构如图1所示.改变多晶硅微结构的长、宽及膜的厚度,得到不同的微结构.供SEM观察用,具体尺寸见表1. 展开更多

关键词 多晶 硅 薄膜 SEM 测定法

在线阅读 下载PDF 职称材料