期刊文献+

利用STM观察Si(100)微斜面的表面结构

Observation of Surface Structure on Vicinal Surface of Si(100)by STM
在线阅读 下载PDF
导出
摘要 本文利用超高真空STM和LEED装置观察了错切角为0.5°和4.5°的Si(100)微斜面的原子结构.观察到错切角为0.5°时STM像为单原子高度台阶表面结构,错切角为4.5°时STM像为双原子高度台阶结构. Abstract The surface atomic structures are observed on St(100) vicinal surface for miscut angles of 0.5°and 4.5°by UHV-STM and LEED.The STM image is shown the surface structure of the single atomic height step for miscut angle of 0.5°,and the surface structure of the double atomic height step for miscut angle of 4.5°.
出处 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1994年第7期439-443,共5页 半导体学报(英文版)
  • 相关文献

参考文献2

  • 1张兆祥,云南大学学报,1992年,14卷,增刊,102页
  • 2Tsao J Y,Phys Rev B,1989年,40卷,11951页

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部