808nm大功率半导体量子阱激光器锁相列阵 被引量：3

1

作者 肖建伟 杨国文 +7 位作者 徐俊英 徐遵图 张敬明 庄芳婕 李秉臣 毕可奎 郑婉华 陈良惠 《高技术通讯》 EI CAS CSCD 1994年第1期9-12,共4页

在材料研究和器件特性分析的基础上，采用分子束外延方法（ＭＢＥ），成功地研制出低阈值电流密度、高量子效率、折射率缓变分别限制异质结单量子阱结构（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）大功率半导体激光器锁相列阵，最大线性输出功率为１... 在材料研究和器件特性分析的基础上，采用分子束外延方法（ＭＢＥ），成功地研制出低阈值电流密度、高量子效率、折射率缓变分别限制异质结单量子阱结构（ＧＲＩＮ－ＳＣＨ－ＳＱＷ）大功率半导体激光器锁相列阵，最大线性输出功率为１．５Ｗ（室温，连续），激射波长８０８±４ｎｍ，光－电转换效率最高达６２％，器件寿命考核（２５℃，ＣＷ）超过１０００小时无明显退化。 展开更多

关键词 量子阱激光器 锁相列阵

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InGaAs/AlGaAs应变量子阱激光器的可靠性 被引量：1

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作者 杨国文 徐俊英 +2 位作者 徐遵图 张敬明 陈良惠 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第4期278-283,共6页

利用分子束外延方法研制的ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器外延材料制备了窄条型脊型波导结构量子阱激光器件．通过对其５０℃高温加速老化，检测了器件的可靠性，并对器件中存在的三种典型退化行为，即快速退化、慢退化和... 利用分子束外延方法研制的ＩｎＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器外延材料制备了窄条型脊型波导结构量子阱激光器件．通过对其５０℃高温加速老化，检测了器件的可靠性，并对器件中存在的三种典型退化行为，即快速退化、慢退化和端面光学灾变损伤进行了分析与研究． 展开更多

关键词 应变量子阱 激光器 结构 可靠性 分子束外延

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低阈值InGaAs-GaAs应变层多量子阱激光器

3

作者 肖建伟 徐俊英 +6 位作者 杨国文 徐遵图 张敬明 陈良惠 周小川 蒋健 钟战天 《Journal of Semiconductors》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第4期258-262,共5页

采用分子束外延(MBE)和二次液相外延技术(LPE)研制出InGaAs-CaAs折射率缓变分别限制应变层多量子阱(GRINSCH-STL-MQW)掩埋异质结(BH)激光器.在宽接触阈值电流密度1 kA/cm^2的条件下,获得了很低的阈值电流,室温时,腔面未镀膜激光器的阈... 采用分子束外延(MBE)和二次液相外延技术(LPE)研制出InGaAs-CaAs折射率缓变分别限制应变层多量子阱(GRINSCH-STL-MQW)掩埋异质结(BH)激光器.在宽接触阈值电流密度1 kA/cm^2的条件下,获得了很低的阈值电流,室温时,腔面未镀膜激光器的阈值电流为5.6mA.(L=120μm,CW.20℃)激射波长为9386A左右.外微分量子效率高达每面0.48mW/mA,最高输出功率大于30mW. 展开更多

关键词 半导体 激光器 应变层 量子阱结构

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量子阱激光器超晶格缓冲层的研究

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作者 张福厚 陈江华 +2 位作者 李树强 于复生 曾一平 《半导体光电》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第3期202-204,共3页

在量子阱半导体激光器结构中采用优化超晶格缓冲层来掩埋衬底缺陷，获得了性能优良的激光器。对超晶格缓冲层所具有的“量子阱陷阱效应”进行了理论分析。

关键词 量子阱 超晶格 缓冲层 半导体激光器

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半导体激光器波导结构对线宽影响的理论修正

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作者 徐伟弘 汪开源 《光通信技术》 CSCD 1995年第3期207-211,共5页

从质子轰击条形半导体激光器线宽的实验测量，发现半导体激光器线宽与谐振腔结构有关。通过对Ｃ．Ｈ．Ｈｅｎｒｙ给出的半导体激光器线宽的理论公式进行分析，认为半导体激光器腔结构不同会引起激光器线宽的不同，并从理论上分析与推导... 从质子轰击条形半导体激光器线宽的实验测量，发现半导体激光器线宽与谐振腔结构有关。通过对Ｃ．Ｈ．Ｈｅｎｒｙ给出的半导体激光器线宽的理论公式进行分析，认为半导体激光器腔结构不同会引起激光器线宽的不同，并从理论上分析与推导了波导结构对激光器线宽的影响，定义了结构线宽△ｖｓ１／２概念及其表达式。修正了的线宽理论公式具有更广泛的适用范围。 展开更多

关键词 半导体激光器 线宽 波导结构

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量子阱无序的窗口结构InGaAs/GaAs/AlGaAs量子阱激光器 被引量：3

6

作者 徐遵图 徐俊英 +4 位作者 杨国文 张敬明 李秉臣 陈良惠 沈光地 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第12期1078-1082,共5页

对ＳｉＯ２薄膜在快速热退火条件下引起的空位诱导ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱无序和ＳｒＦ２薄膜抑制其量子阱无序的方法进行了实验研究。并将这两种技术的结合（称为选择区域量子阱无序技术）应用于脊形波导ＩｎＧａＡｓ／Ｇａ... 对ＳｉＯ２薄膜在快速热退火条件下引起的空位诱导ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ应变量子阱无序和ＳｒＦ２薄膜抑制其量子阱无序的方法进行了实验研究。并将这两种技术的结合（称为选择区域量子阱无序技术）应用于脊形波导ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器，研制出具有无吸收镜面的窗口结构脊形波导量子阱激光器。该结构３μｍ条宽激光器的最大输出功率为３４０ｍＷ，和没有窗口的同样结构的量子阱激光器相比，最大输出功率提高了３６％。在１００ｍＷ输出功率下，发射光谱中心波长为９７８ｎｍ，光谱半宽为１．２ｎｍ。平行和垂直方向远场发散角分别为７． 展开更多

关键词 量子阱无序 窗口结构 应变量子阱 半导体激光器

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InGaAs/GaAs/AlGaAs应变量子阱激光器 被引量：2

7

作者 徐遵图 徐俊英 +4 位作者 杨国文 张敬明 陈昌华 陈良惠 沈光地 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第5期390-394,共5页

优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角，又能降低腔面光功率密度的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变层量子阱激光器，并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡ... 优化设计了既能实现较小垂直方向远场发散角，又能降低腔面光功率密度的ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变层量子阱激光器，并计算了该结构激光器实现基横模工作的脊形波导结构参数。利用分子束外延生长了ＩｎＧａＡｓ／ＧａＡｓ／ＡｌＧａＡｓ应变量子阱激光器材料并研制出基横模输出功率大于１４０ｍＷ，激射波长为９８０ｎｍ的脊形波导应变量子阱激光器，其微分量子效率为０．８Ｗ／Ａ，垂直和平行结平面方向远场发散角分别为２８°和６． 展开更多

关键词 高质量光束 基横模 半导体激光器 应变量子阱

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光纤光栅作为外反馈的混合腔半导体激光器

8

作者 周凯明 葛璜 +2 位作者 安贵仁 汪孝杰 王圩 《中国激光》 EI CAS CSCD 北大核心 1998年第11期970-972,共3页

利用一个一端镀有增透膜的Ｆ－Ｐ腔半导体激光器芯片和一段反射率为５０％的光纤光栅组合成一混合腔激光器，腔长约为２ｃｍ。在５０ｍＡ的偏置电流下，主边模抑制比为３７．６ｄＢ，出纤功率为１ｍＷ。

关键词 光纤光栅 混合腔 外腔 半导体激光器

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组合多量子阱的发光特性研究

9

作者 于广辉 范希武 +5 位作者 郑著宏 关郑平 张吉英 赵晓薇 申德振 杨宝均 《光电子．激光》 EI CAS CSCD 1999年第3期195-198,共4页

通过在７７Ｋ时对ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅ组合多量子阱结构的发光特性的测量，我们观测到了分别来自两组量子阱的激子发光，其跃迁能量与采用包络函数法计算的结果相符。由于两组量子阱之间注入效应的存在，使得两组量子阱在变密度激发... 通过在７７Ｋ时对ＺｎＣｄＳｅ－ＺｎＳｅ组合多量子阱结构的发光特性的测量，我们观测到了分别来自两组量子阱的激子发光，其跃迁能量与采用包络函数法计算的结果相符。由于两组量子阱之间注入效应的存在，使得两组量子阱在变密度激发和时间分辨光谱中表现出不同的发光特性。 展开更多

关键词 组合多量子阱 时间分辨 荧光光谱 半导体激光器

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反射率小于10^(-4)的1310nm光电子器件增透膜技术的研究 被引量：8

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作者 谭满清 茅冬生 王仲明 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期235-238,共4页

阐述了电子回旋共振等离子体化学气相沉积法淀积半导体器件端面光学膜的优良特性，介绍了淀积反射率小于１０－４的１３１０ｎｍ半导体激光器端面增透膜技术。

关键词 等离子体 半导体激光器 增透膜 CVD 光电子器件

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用外延法生长高功率叠层半导体激光器

11

《激光与光电子学进展》 CSCD 1998年第12期24-25,共2页

关键词 半导体激光器 外延法 外延生长 结构

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