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反射率小于10^(-4)的1310nm光电子器件增透膜技术的研究 被引量：8

Antireflection Coatings of 1310 nm Opto Electronic Devices with R<10 -4
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摘要 阐述了电子回旋共振等离子体化学气相沉积法淀积半导体器件端面光学膜的优良特性，介绍了淀积反射率小于１０－４的１３１０ｎｍ半导体激光器端面增透膜技术。 The dielectric thin films deposited on compound semiconductors devices by electron cyclotron resonance (ECR) plasma chemical vapor deposition (CVD) are characterized. The method to deposite antireflectivity coatings on 1310 nm semiconductor lasers with reflectivity less than 10 -4 and its advantage are discussed.
作者 谭满清 茅冬生 王仲明
机构地区 中国科学院半导体研究所光电子器件国家工程研究中心
出处 《光学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第2期235-238,共4页 Acta Optica Sinica
关键词 等离子体 半导体激光器 增透膜 CVD 光电子器件 method of ECR plasma CVD, laser devices of semiconductor, antireflection coating, reflectivity.
分类号 O484 [理学—固体物理] TN248.403 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献1

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同被引文献27

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引证文献8

二级引证文献37

光学学报
1999年 第2期

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