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低位错6英寸锑化镓单晶生长与性能研究
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作者 杨文文 卢伟 +7 位作者 谢辉 刘刚 吕鑫雨 摆易寒 李晨慧 潘教青 赵有文 沈桂英 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第5期784-792,共9页
锑化镓因其优越的物理特性和重要的应用价值而受到广泛关注。研究团队采用液封直拉法成功生长出国内首根6英寸n型掺Te锑化镓单晶锭,加工制备出高质量6英寸(1英寸=2.54 cm)锑化镓单晶衬底,并对晶体结晶质量和晶片表面性质进行了研究。测... 锑化镓因其优越的物理特性和重要的应用价值而受到广泛关注。研究团队采用液封直拉法成功生长出国内首根6英寸n型掺Te锑化镓单晶锭,加工制备出高质量6英寸(1英寸=2.54 cm)锑化镓单晶衬底,并对晶体结晶质量和晶片表面性质进行了研究。测试结果表明,锑化镓衬底(400)面摇摆曲线半峰全宽仅为20″,平均位错密度约为3 177 cm^(-2),表面粗糙度Rq为0.42 nm,氧化层厚度为2.92 nm,显示出6英寸锑化镓单晶具有较高的结晶质量和优良的表面形貌。此外,通过对6英寸锑化镓单晶生长过程进行数值模拟计算,获得了其热场分布、流场分布和固液界面偏转情况。这些研究成果为锑化镓材料的高质量生长提供了新的思路,并为大尺寸晶体的产业化应用提供了坚实基础。 展开更多
关键词 6英寸 锑化镓 液封直拉法 位错密度 数值模拟 热场分布 氧化层厚度 粗糙度
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c面蓝宝石衬底上ε-Ga_(2)O_(3)的金属有机物化学气相沉积
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作者 王子铭 张雅超 +6 位作者 冯倩 刘仕腾 刘雨虹 王垚 王龙 张进成 郝跃 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第3期420-425,共6页
本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在c面蓝宝石衬底上沉积ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,研究了单步生长和两步生长方法对薄膜沉积的影响。采用单步法时,薄膜直接在蓝宝石衬底上生长,使用高分辨X射线单晶衍射分析沿蓝宝石c轴方向的Ga_(2)O_... 本文采用金属有机物化学气相沉积(MOCVD)法在c面蓝宝石衬底上沉积ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,研究了单步生长和两步生长方法对薄膜沉积的影响。采用单步法时,薄膜直接在蓝宝石衬底上生长,使用高分辨X射线单晶衍射分析沿蓝宝石c轴方向的Ga_(2)O_(3)物相构成,在生长温度从360℃变化至425℃均能观察到β-Ga_(2)O_(3)(402)峰,而在370~410℃还能观察到ε-Ga_(2)O_(3)(004)峰。其中,380和390℃时的样品具有更强的ε-Ga_(2)O_(3)(004)峰和更低的半峰全宽,以及更低的表面粗糙度。两步生长法为以380℃生长的ε-Ga_(2)O_(3)薄膜作为缓冲层,而后在400~430℃继续生长ε-Ga_(2)O_(3)薄膜,观察到ε-Ga_(2)O_(3)(004)峰强度均高于单步生长法且半峰全宽均更低,在430℃时薄膜的(004)峰摇摆曲线半峰全宽达到0.49°。进一步改变单步生长法的压强,明确缓冲层有效促进ε-Ga_(2)O_(3)沿c轴生长。 展开更多
关键词 ε-Ga_(2)O_(3) 金属有机物化学气相沉积 蓝宝石衬底 晶体生长 宽禁带半导体 X射线衍射 原子力显微镜
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新型亚氧化物化学气相传输工艺低成本生长β-Ga_(2)O_(3)厚膜
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作者 陈旭阳 李昊勃 +3 位作者 秦华垚 许明耀 卢寅梅 何云斌 《人工晶体学报》 北大核心 2025年第3期445-451,共7页
β-Ga_(2)O_(3)作为一种超宽禁带半导体材料,在功率器件领域具有广阔的应用前景。本工作提出一种快速外延生长β-Ga_(2)O_(3)晶态厚膜的新方法——亚氧化物化学气相传输(SOCVT);该方法具有操作简单、设备价格低廉等优势。利用液态Ga和固... β-Ga_(2)O_(3)作为一种超宽禁带半导体材料,在功率器件领域具有广阔的应用前景。本工作提出一种快速外延生长β-Ga_(2)O_(3)晶态厚膜的新方法——亚氧化物化学气相传输(SOCVT);该方法具有操作简单、设备价格低廉等优势。利用液态Ga和固态Ga_(2)O_(3)高温反应生成的气态Ga_(2)O作Ga源,在常压的CO_(2)气氛中,以设定温度1300℃、坩埚-衬底间距8.5 cm的工艺条件,在c面蓝宝石单晶衬底(1 cm×1 cm)上获得了厚度超百微米的β-Ga_(2)O_(3)晶态厚膜。由XRD图谱分析可知,样品具有(201)择优取向。SEM表征结果显示所沉积厚膜均匀且致密,厚度达106.4μm。XPS分析表明该厚膜的O与Ga的原子比为1.5,化学纯度高,不含碳杂质。由透射光谱测试推算其禁带宽度为4.42 eV。本研究表明,SOCVT技术具有较快的β-Ga_(2)O_(3)生长速度,有望发展成为低成本快速外延生长β-Ga_(2)O_(3)晶态厚膜的一种新方法。 展开更多
关键词 亚氧化物化学气相传输 β-Ga_(2)O_(3) 厚膜 低成本 超宽禁带半导体
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氮化铝薄膜ⅢB族元素掺杂的研究进展
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作者 朱焕能 吴进 王强 《功能材料》 北大核心 2025年第7期7035-7043,共9页
氮化铝(AlN)作为第三代半导体材料的代表之一,已经在多个应用领域引起了广泛关注。然而,本征AlN的压电性能不足以满足能量采集器、表面声波谐振器和体声波谐振器等微机电系统(MEMS)中压电器件的需求。重点探讨钪(Sc)掺杂氮化铝生成压电... 氮化铝(AlN)作为第三代半导体材料的代表之一,已经在多个应用领域引起了广泛关注。然而,本征AlN的压电性能不足以满足能量采集器、表面声波谐振器和体声波谐振器等微机电系统(MEMS)中压电器件的需求。重点探讨钪(Sc)掺杂氮化铝生成压电增强材料AlScN的效果及其机理。目前,制备AlScN压电薄膜的方法主要包括磁控溅射(PVD)、分子束外延(MBE)和有机金属气相沉积(MOCVD)。为了实现优异的压电性能,AlScN薄膜需要具备高压电性能、良好的c轴取向生长和优异的结晶性。目前的研究主要集中在调节Sc掺杂浓度、生长温度、Ⅲ/Ⅴ比及衬底材料等方面,以提升AlScN薄膜的整体性能。相比之下,作为掺杂元素的钇(Y)和镱(Yb)展现出更大的应用潜力。它们不仅能够实现更高的掺杂浓度(理论上分别可达0.75和0.77),而且成本较Sc更低。这使得Y和Yb在未来压电器件中的应用前景更加广阔,为提高AlN的压电性能提供了新的研究方向。 展开更多
关键词 氮化铝 掺杂 压电系数 相分离 结晶性
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基于PVT法生长碳化硅单晶的多坩埚独立升温技术
5
作者 张培信 张铸锋 《山东工业技术》 2025年第3期111-115,共5页
针对传统物理气相输运法(PVT)在生长碳化硅单晶时面临单晶厚度不足、质量稳定性差的技术瓶颈,本研究基于传统PVT法生长碳化硅单晶技术,围绕专利CN 119194592 A提出一种多坩埚独立升温控制技术,通过构建分体式原料供应系统与梯度温控策略... 针对传统物理气相输运法(PVT)在生长碳化硅单晶时面临单晶厚度不足、质量稳定性差的技术瓶颈,本研究基于传统PVT法生长碳化硅单晶技术,围绕专利CN 119194592 A提出一种多坩埚独立升温控制技术,通过构建分体式原料供应系统与梯度温控策略,有效抑制石墨化现象,显著提升单晶生长效率与质量。研究结果表明,与传统单坩埚装置相比,四坩埚升温系统可使单晶厚度提升至11.5±0.3 mm,位错密度降低至180 cm-2以下,晶体均匀性偏差小于3%,微管密度降至10 cm-2。通过热场模拟揭示了多坩埚倾斜布局(中轴线与重力方向夹角60°)对热流分布的优化机制。本技术为碳化硅单晶的大尺寸、高质量制备提供了创新性解决方案。 展开更多
关键词 碳化硅单晶 物理气相输运法 多坩埚升温系统 热场优化
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水平定向结晶法生长浓度渐变Yb∶YAG激光晶体及光谱性能研究
6
作者 丁雨憧 张灵 +4 位作者 李海林 张月 唐杨 强铭 林辉 《人工晶体学报》 CAS 北大核心 2024年第10期1688-1698,共11页
本文采用水平定向结晶(HDC)法成功生长出180 mm×81 mm×16 mm的浓度渐变Yb∶YAG激光晶体,从放肩部位和尾部分别获取了尺寸为40 mm×40 mm×7 mm、70 mm×70 mm×7 mm的Yb∶YAG激光晶体板条各两件。采用632 nm... 本文采用水平定向结晶(HDC)法成功生长出180 mm×81 mm×16 mm的浓度渐变Yb∶YAG激光晶体,从放肩部位和尾部分别获取了尺寸为40 mm×40 mm×7 mm、70 mm×70 mm×7 mm的Yb∶YAG激光晶体板条各两件。采用632 nm激光、偏光应力仪对晶体板条的光学性质进行检测,实验结果发现靠近晶坯自由表面的板条内部通透,无散射光路,应力较小且分布均匀,表明该晶体板条具有优异的光学质量。进一步测试分析了晶体板条不同位置处的吸收光谱,根据935 nm波长处的吸收系数计算出Yb^(3+)的掺杂浓度,发现40 mm×40 mm×7 mm的激光晶体板条中Yb^(3+)掺杂浓度沿晶体生长方向逐步增加,浓度梯度约为0.42%/cm;而70 mm×70 mm×7 mm的激光晶体板条中Yb^(3+)掺杂浓度几乎保持不变,约为4.50%。 展开更多
关键词 浓度渐变 光谱性能 Yb∶YAG 水平定向结晶法 激光晶体
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金刚石线锯切割大直径SiC单晶 被引量:19
7
作者 陈秀芳 李娟 +4 位作者 马德营 胡小波 徐现刚 王继扬 蒋民华 《功能材料》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第10期1575-1577,共3页
采用金刚石线切割大直径的SiC单晶,研究了金刚石线锯的切割机理和切割参数,给出切割SiC单晶的实验结果。研究了金刚石线的寿命及各切割参数对线径减少量、翘曲度、表面粗糙度的影响。用光学显微镜观察了磨损的金刚石线和切割表面。
关键词 金刚石线 SIC 翘曲度
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温梯法生长大尺寸Yb∶YAG晶体 被引量:9
8
作者 徐晓东 赵志伟 +2 位作者 赵广军 徐军 邓佩珍 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第3期185-188,共4页
应用温梯法生长出直径为 76mm的Yb∶YAG晶体。运用ICP AES测定了Yb3 + 离子在Yb∶YAG晶体中的分凝系数约为 1.1。室温下 ,测定了晶体在 190~ 12 0 0nm之间的吸收光谱 ,发现了吸收峰中未知的色心吸收 ,色心的形成机制有待于进一步研究。
关键词 温梯法 晶体生长 YB:YAG晶体 ICP-AES 测定
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绿色电化学法合成金属有机骨架材料的研究现状 被引量:9
9
作者 魏金枝 王雪亮 +1 位作者 孙晓君 张凤鸣 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第9期1435-1441,共7页
金属有机骨架(Metal-organic frameworks,MOFs)材料是一种由金属离子和有机配体通过配位键组装的无机-有机杂化配合物,在气体分离与储存、吸附、催化、载药以及荧光检测等方面都有广泛应用。在诸多合成MOFs材料的方法中,绿色电化学合成... 金属有机骨架(Metal-organic frameworks,MOFs)材料是一种由金属离子和有机配体通过配位键组装的无机-有机杂化配合物,在气体分离与储存、吸附、催化、载药以及荧光检测等方面都有广泛应用。在诸多合成MOFs材料的方法中,绿色电化学合成法因能耗低、反应条件温和以及反应时间短等特点而成为研究的热点,但目前该方法仍有许多关键问题亟待解决。本文总结了绿色电化学合成MOFs材料近10年的研究进展,综述了包括阳极合成、阴极合成、间接合成、电镀置换等在内的多种合成方法,并展望了未来的发展前景。 展开更多
关键词 金属有机骨架(MOFs) 电化学 阳极合成 阴极合成 间接合成 电镀置换法
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二棕榈酰磷脂酰胆碱LB膜诱导下草酸钙晶体生长的SEM研究 被引量:5
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作者 曾鑫华 欧阳健明 +3 位作者 郑文杰 姚秀琼 雷远江 杨芳 《暨南大学学报(自然科学与医学版)》 CAS CSCD 2001年第1期70-73,共4页
目的 :利用二棕榈酰磷脂酰胆碱 (DPPC)的Langmiur -Blodgett膜 (简称LB膜 )作为模板诱导草酸钙晶体的生长 ,进而模拟生物体内尿结石的形成和抑制 方法 :采用扫描电子显微镜(SEM) ,对磷脂DPPC的LB膜诱导过饱和溶液中生长的草酸钙晶体进... 目的 :利用二棕榈酰磷脂酰胆碱 (DPPC)的Langmiur -Blodgett膜 (简称LB膜 )作为模板诱导草酸钙晶体的生长 ,进而模拟生物体内尿结石的形成和抑制 方法 :采用扫描电子显微镜(SEM) ,对磷脂DPPC的LB膜诱导过饱和溶液中生长的草酸钙晶体进行图像分析 结果 :在膜压很小 (π =1mN/m)时 ,几乎没有草酸钙晶体 ,随着膜压增大 ,草酸钙晶体的密度增加、尺寸增大 .但当膜压增加到 35mN/m时 ,晶体却特别稀少 .结论 :作为模板的DPPC的LB膜的膜压不同时 ,可以诱导生成具有不同形状、不同密度和尺寸的CaC2 O4 晶体 LB膜中DPPC分子间的距离与CaC2 O4 晶体的结构相匹配是CaC2 O4 展开更多
关键词 膜控晶体生长 LB膜 草酸钙 二棕榈酰磷脂酰胆碱 尿结石 形成 抑制 模拟
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LB膜模板诱导晶体取向生长 被引量:7
11
作者 逯乐慧 王丽颖 +2 位作者 曹立新 崔海宁 席时权 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 1999年第3期303-307,共5页
: L B 膜作为模板可诱导晶体取向成核和外延生长,生成的晶体材料具有独特的微观结构和优异的物理化学性能。这种方法对于生物矿化现象的研究以及新颖材料合成策略的设计等方面具有重要的启示意义。本文从 L B 膜诱导晶体取向生长... : L B 膜作为模板可诱导晶体取向成核和外延生长,生成的晶体材料具有独特的微观结构和优异的物理化学性能。这种方法对于生物矿化现象的研究以及新颖材料合成策略的设计等方面具有重要的启示意义。本文从 L B 膜诱导晶体取向生长的机理及利用等方面综述了该领域研究的最新进展。 展开更多
关键词 LB膜 取向生长 模板 外延生长 晶体生长
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双掺锌钕铌酸锂激光晶体光学特性的研究 被引量:5
12
作者 郑威 张乃东 +1 位作者 王锐 徐玉恒 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第6期789-791,共3页
采用提拉法在优化条件下生长锌钕双掺的铌酸锂晶体。Nd2O3和ZnO的掺入量分别为0.2%和6%(in mole)。提拉速度为1 mm/h,旋转速度为20 r/min,生长的晶体尺寸为φ30 mm×40 mm。晶体的红外光谱测试表明,Zn:Nd:LiNbO3晶体的H-O振动吸... 采用提拉法在优化条件下生长锌钕双掺的铌酸锂晶体。Nd2O3和ZnO的掺入量分别为0.2%和6%(in mole)。提拉速度为1 mm/h,旋转速度为20 r/min,生长的晶体尺寸为φ30 mm×40 mm。晶体的红外光谱测试表明,Zn:Nd:LiNbO3晶体的H-O振动吸收蜂发生了劈裂,在3 483 cm-1和3 530 cm-1形成吸收,而Nd:LiNbO3晶体的H-O振动吸收峰在3 483 cm-1处形成吸收。通过光斑畸变法测得Zn:Nd:LiNbO3晶体的光折变阈值强度为1.82×104W/cm2,比Nd:LiNbO3晶体的1.62×103W/cm2高1个数量级;采用逐点扫描的方式测得Zn:Nd:LiNbO3晶体双折射梯度为3×10-5cm-1。,比Nd:LiNbO3晶体的双折射梯度6×10-4cm-1小1个数量级。用合适的泵浦光测试了晶体自倍频性质,在150℃时当泵浦脉冲光能为40 mJ时,晶体的自倍频输出光能为35μJ。 展开更多
关键词 双掺锌钕 铌酸锂激光晶体 光学特性 研究 抗光折变损伤 光学均匀性 自倍频 光谱
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Ce:Lu_2SiO_5闪烁晶体生长 被引量:10
13
作者 吴光照 张新民 +1 位作者 朱汝德 张秀荣 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1996年第2期175-176,共2页
用Φ80×60mm的铱坩埚,铱丝为籽晶,提拉法生长了Ce(0.5at.%):Lu2SiO5单晶。Lu2O3原料纯度为99.5%;得到小晶体的尺寸3×4×4mm;测量了晶体的光学激发谱和发光谱;讨论了生长大... 用Φ80×60mm的铱坩埚,铱丝为籽晶,提拉法生长了Ce(0.5at.%):Lu2SiO5单晶。Lu2O3原料纯度为99.5%;得到小晶体的尺寸3×4×4mm;测量了晶体的光学激发谱和发光谱;讨论了生长大晶体的措施。 展开更多
关键词 闪烁晶体 引上法晶体生长 激发光谱 晶体
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磁场在晶体生长中的应用研究进展 被引量:9
14
作者 梁歆桉 金蔚青 潘志雷 《无机材料学报》 SCIE EI CAS CSCD 北大核心 1999年第6期833-839,共7页
综述了磁场影响晶体生长的两种机制,磁场的产生和构型,在半导体材料硅、砷化镓、磷化铟晶体生长中的应用,在蛋白质及氧化物晶体生长方面的新进展.
关键词 磁场 晶体生长 蛋白质 氧化物 半导体
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激光加热单晶光纤生长装置的设计 被引量:6
15
作者 丁祖昌 陈继勤 +2 位作者 符森林 卢子宏 陈溪芳 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1989年第1期69-73,共5页
本文讨论了各种单晶光纤生长方法的特点,设计了激光加热基座法(LHPG)生长装置。采用此装置已成功地生长出几种单晶光纤。
关键词 生长装置 单晶光纤 激光加热
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用LHPG法从粉末棒直接生长单晶光纤 被引量:7
16
作者 黄莉蕾 曾宪标 +1 位作者 王彦起 陈继勤 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 1993年第4期336-340,共5页
研究了用激光加热基座(LHPG)法从粉末压制成型的源棒直接生长单晶光纤的规律。通过显微镜观察直径波动及通过对吸收谱、荧光谱的测试来判断单晶光纤的品质。实验发现,长出较好的单晶光纤需二次生长,先用较快的提拉速度将粉末压制棒生长... 研究了用激光加热基座(LHPG)法从粉末压制成型的源棒直接生长单晶光纤的规律。通过显微镜观察直径波动及通过对吸收谱、荧光谱的测试来判断单晶光纤的品质。实验发现,长出较好的单晶光纤需二次生长,先用较快的提拉速度将粉末压制棒生长成陶瓷多晶棒,随后从多晶棒生长出单晶光纤。但其最佳生长速度远比以单晶为源棒生长单晶光纤的速度小(从1.2mm/min 减小到0.2mm/min)。实验还发现,以多晶为源棒所对应的熔区形状系数 C 比以单晶为源棒的小;另外,该法生长的单晶光纤的光谱性能与大块晶体的光谱性能相同。 展开更多
关键词 激光加热基座 陶瓷多晶棒 单晶光纤
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炸药爆轰合成纳米金刚石及其应用 被引量:17
17
作者 陈权 恽寿榕 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2000年第1期90-93,共4页
本文简介通过高能炸药合成球形纳米金刚石的一些研究进展。X射线衍射谱显示 ,得到的纳米金刚石微晶为立方结构金刚石 ;晶粒尺寸为 4~ 6nm ,并有很大的微应力。高分辨率透射电镜观察表明 ,金刚石微晶在形成过程中经历了液态碳微滴聚结... 本文简介通过高能炸药合成球形纳米金刚石的一些研究进展。X射线衍射谱显示 ,得到的纳米金刚石微晶为立方结构金刚石 ;晶粒尺寸为 4~ 6nm ,并有很大的微应力。高分辨率透射电镜观察表明 ,金刚石微晶在形成过程中经历了液态碳微滴聚结长大的过程。在这种材料的应用方面 ,本文报道了纳米金刚石用于提高化学气相生长金刚石薄膜的成核率 :其出色的场发射性能用于电子显示材料 ,以及用于耐磨、减摩材料的若干试验成果。 展开更多
关键词 爆炸合成 纳米金刚石 形貌形征 化学气相沉积
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ZnS晶体中浅电子陷阱对光电子衰减过程的影响 被引量:2
18
作者 董国义 窦军红 +5 位作者 张蕾 韦志仁 葛世艳 郑一博 林琳 田少华 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2005年第1期116-119,共4页
本文采用微波吸收法,测量了ZnS:Mn,Cu:I,Br粉末材料受到超短激光脉冲激发后,其光生电子和浅束缚电子的衰减过程。发现制备过程中Mn2+、Cu+、I-、Br-的掺杂量对光生导带电子的衰减过程有明显的影响。光生电子寿命是I-、Br-形成的浅施主... 本文采用微波吸收法,测量了ZnS:Mn,Cu:I,Br粉末材料受到超短激光脉冲激发后,其光生电子和浅束缚电子的衰减过程。发现制备过程中Mn2+、Cu+、I-、Br-的掺杂量对光生导带电子的衰减过程有明显的影响。光生电子寿命是I-、Br-形成的浅施主能级和Cu+受主能级、Mn2+发光中心共同作用的结果。本文还测量了材料的热释光曲线,Cu+受主能级、Mn2+发光中心会影响热释光强度,证实I-、Br-形成电子陷阱对光生电子和浅陷阱中的电子寿命有延长作用,而Mn2+发光中心会起到缩短寿命的作用。 展开更多
关键词 发光 ZnS晶体 能级 中心 光电子衰减 浅电子陷阱 导带 受主 施主 制备过程
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SAPMAC法生长大尺寸蓝宝石单晶工艺研究 被引量:3
19
作者 姚泰 左洪波 +4 位作者 孟松鹤 韩杰才 张明福 李常青 许承海 《哈尔滨工业大学学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第5期794-796,共3页
采用冷心放肩微量提拉法(SAPMAC法)在真空条件下,选择〈1010〉方向的籽晶成功生长了尺寸为φ220×200mm的大尺寸蓝宝石晶体,生长时结晶区温度梯度为0.5—1.0℃/mm,生长速度为0.1-2mm/h.对生成晶体的透射率进行了检测,... 采用冷心放肩微量提拉法(SAPMAC法)在真空条件下,选择〈1010〉方向的籽晶成功生长了尺寸为φ220×200mm的大尺寸蓝宝石晶体,生长时结晶区温度梯度为0.5—1.0℃/mm,生长速度为0.1-2mm/h.对生成晶体的透射率进行了检测,测试结果表明在2500—4000cm^-1范围内,1mm厚度蓝宝石晶片的透过率达85%以上. 展开更多
关键词 冷心放肩微量提拉法 蓝宝石单晶 透过率
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In:Fe:LiNbO_3晶体波导基片光折变性能的研究 被引量:3
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作者 郭亚军 徐悟生 +1 位作者 张建 徐玉恒 《硅酸盐学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2004年第4期476-480,共5页
采用Czochralski技术生长了掺In摩尔分数分别为1%,2%和3%的In∶Fe∶LiNbO3晶体。测试In∶Fe∶LiNbO3晶体的红外光谱发现:3%In∶Fe∶LiNbO3晶体的OH-吸收峰由Fe∶LiNbO3晶体的3484cm-1位移到3507cm-1。首次以全息法研究了In∶Fe∶LiNbO3... 采用Czochralski技术生长了掺In摩尔分数分别为1%,2%和3%的In∶Fe∶LiNbO3晶体。测试In∶Fe∶LiNbO3晶体的红外光谱发现:3%In∶Fe∶LiNbO3晶体的OH-吸收峰由Fe∶LiNbO3晶体的3484cm-1位移到3507cm-1。首次以全息法研究了In∶Fe∶LiNbO3晶体波导基片光折变灵敏度。研究表明:晶体波导基片的光折变灵敏度大小顺序为Fe∶LiNbO3>1%In∶Fe∶LiNbO3>2%In∶Fe∶LiNbO3>3%In∶Fe∶LiNbO3。采用锂空位模型讨论了3%In∶Fe∶LiNbO3晶体OH-吸收峰位移的机理。讨论了In∶Fe∶LiNbO3晶体波导基片光折变灵敏度减弱和抗光折变能力增强的机理。 展开更多
关键词 双掺铟和铁铌酸锂 光折变 波导基片 引上法晶体生长
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