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柱形量子线中极化子的电子与LO声子之间相互作用能 被引量:14
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作者 丁朝华 肖景林 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2003年第5期501-504,共4页
采用变分法,研究了柱形量子线中在考虑电子与LO声子相互作用的情况下,极化子在基态时系统的能量以及电子 LO声子之间的相互作用能。数值计算结果表明:随着柱形量子线截面半径的减小,基态能量和电子 LO声子相互作用能的绝对值都增大。
关键词 量子线 极化子 变分法 基态能量 低维半导体材料 电子-LO声子耦合 相互作用能
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掺磷硅薄膜的微结构及光电特性研究 被引量:4
2
作者 陈永生 王生钊 +2 位作者 杨仕娥 郜小勇 卢景霄 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2006年第1期8-11,共4页
采用拉曼(Raman)散射谱、扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对掺磷硅薄膜的微结构进行了分析,并对掺杂前后薄膜的暗电导进行了测试,结果表明:掺P后导致薄膜的非晶化。与本征μc-Si:H薄膜相比,掺杂后薄膜暗电导率略有降低,同时在紫外... 采用拉曼(Raman)散射谱、扫描电子显微镜(SEM)和X射线衍射(XRD)对掺磷硅薄膜的微结构进行了分析,并对掺杂前后薄膜的暗电导进行了测试,结果表明:掺P后导致薄膜的非晶化。与本征μc-Si:H薄膜相比,掺杂后薄膜暗电导率略有降低,同时在紫外-可见光区的透光率降低,但降低的程度与具体的沉积条件有关,同时研究发现掺杂薄膜容易进行快速光热退火晶化。 展开更多
关键词 微晶硅 暗电导 晶化率 透光率
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不同衬底上沉积硅薄膜的固相晶化研究 被引量:2
3
作者 陈庆东 张宇翔 +3 位作者 郭敏 李红菊 高哲 王俊平 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2008年第3期230-234,共5页
本文用电化学腐蚀方法制备了多孔硅,并在多孔硅、石英、单晶硅片上用PECVD沉积了本征和P型硅膜,然后将硅膜分别用不同的温度和时间做固相晶化,借助Raman、SEM和XRD等手段对退火前后的硅薄膜微结构进行了分析研究。结果表明:单晶硅和多... 本文用电化学腐蚀方法制备了多孔硅,并在多孔硅、石英、单晶硅片上用PECVD沉积了本征和P型硅膜,然后将硅膜分别用不同的温度和时间做固相晶化,借助Raman、SEM和XRD等手段对退火前后的硅薄膜微结构进行了分析研究。结果表明:单晶硅和多孔硅衬底上的非晶硅薄膜比石英衬底上的更容易晶化;具有硅晶格的衬底可以明显地起到种晶的作用,在一定条件下可以生长出晶格取向一致的硅膜。 展开更多
关键词 非晶硅 退火 PECVD 多孔硅
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本征纳米硅薄膜的微结构表征 被引量:2
4
作者 刘绪伟 郜小勇 +4 位作者 赵剑涛 杨仕娥 陈永生 谷锦华 卢景霄 《真空科学与技术学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2007年第3期200-202,共3页
采用PECVD技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征纳米硅薄膜,并利用Raman光谱对其微结构作了表征。研究结果表明,硅烷浓度、衬底温度Ts对表征纳米硅薄膜微结构的晶化率和平均晶粒尺寸参数影响很大。SiH4浓度越低,越有利于晶化,对应的晶... 采用PECVD技术,在玻璃衬底上低温沉积了优质本征纳米硅薄膜,并利用Raman光谱对其微结构作了表征。研究结果表明,硅烷浓度、衬底温度Ts对表征纳米硅薄膜微结构的晶化率和平均晶粒尺寸参数影响很大。SiH4浓度越低,越有利于晶化,对应的晶化率拐点温度越低。平均晶粒尺寸、晶化率随衬底温度的升高具有相似的变化规律,谱中出现的拐点温度一致,暗示它们之间存在紧密的联系。从薄膜生长角度对该实验结果作了合理解释。 展开更多
关键词 纳米硅 晶化率 晶粒尺寸 拐点温度
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高功率半导体激光器阵列微通道热沉的温度 被引量:2
5
作者 孙梅 苏周 +1 位作者 王景芹 赵红东 《光电工程》 CAS CSCD 北大核心 2010年第1期106-109,114,共5页
微通道热沉是解决高功率半导体激光器阵列散热有效的途径,本文利用有限元方法研究半导体激光器的温度,给出了横向尺寸为200μm×60μm单个及间距100μm的3,5,9的微通道热沉中的温度,得到微通道数量影响激光器最高温度变化。结果表明... 微通道热沉是解决高功率半导体激光器阵列散热有效的途径,本文利用有限元方法研究半导体激光器的温度,给出了横向尺寸为200μm×60μm单个及间距100μm的3,5,9的微通道热沉中的温度,得到微通道数量影响激光器最高温度变化。结果表明,单个微通道构成的热沉可以把注入电流为36A稳态工作的激光器阵列冷却到342K,9个微通道可以冷却到306K。仿真了增加微通道间距的温度分布,发现为间距260μm的5个微通道热沉,可以将激光器冷却到308K。 展开更多
关键词 高功率激光器阵列 微通道 温度 有限元法 激光器
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单根磷掺杂β-Ga_(2)O_(3)微米线日盲紫外探测器性能 被引量:3
6
作者 冯秋菊 解金珠 +4 位作者 董增杰 高冲 梁硕 刘玮 梁红伟 《发光学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2021年第11期1653-1660,共8页
β-Ga_(2)O_(3)是一种新兴的超宽带隙半导体材料,由于具有4.9 eV的带隙、较高的击穿电场(8 MV/cm)及较高的热稳定性和化学稳定性等优良特性,使其成为一种很有前途的半导体材料,在高功率电子器件、气体探测器和日盲紫外(UV)光电探测器等... β-Ga_(2)O_(3)是一种新兴的超宽带隙半导体材料,由于具有4.9 eV的带隙、较高的击穿电场(8 MV/cm)及较高的热稳定性和化学稳定性等优良特性,使其成为一种很有前途的半导体材料,在高功率电子器件、气体探测器和日盲紫外(UV)光电探测器等领域有着较为广阔的应用前景。本文采用化学气相沉积法(CVD)生长出大尺寸的厘米级磷掺杂β-Ga_(2)O_(3)微米线,并对微米线的表面形貌、晶体结构和成分进行了研究,发现微米线的长度可达0.6~1 cm,直径约为40μm。基于生长出的磷掺杂β-Ga_(2)O_(3)微米线制作了单根磷掺杂微米线的日盲紫外探测器,研究表明未掺杂和磷掺杂β-Ga_(2)O_(3)微米线对254 nm紫外光都具有良好的响应,其中磷含量为2.3%微米线制作的器件,其光电探测性能最好。该磷含量微米线器件在光功率550μW/cm^(2)时,其光电流为3.1μA,暗电流为1.56 nA,光暗电流比约为2×10^(3),上升和下降时间分别为47 ms和31 ms。当光功率为100μW/cm^(2)时,器件的光响应度和外量子效率最大,分别为6.57 A/W和3213%。此外,还对器件的紫外探测机理进行了研究。 展开更多
关键词 化学气相沉积 磷掺杂 β-Ga_(2)O_(3)微米线 紫外探测器
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单根锑掺杂ZnO微米线热电发电机的制备及热电性能 被引量:1
7
作者 冯秋菊 石笑驰 +4 位作者 邢研 李芳 李彤彤 潘德柱 梁红伟 《无机化学学报》 SCIE CAS CSCD 北大核心 2018年第2期331-336,共6页
采用化学气相沉积(CVD)方法,在无催化剂的条件下,生长出了锑掺杂的超长、大尺寸ZnO微米线。测试表明微米线的平均长度可达1~2.5 cm,微米线中锑元素的含量约为3.1%(n/n)。此外,将挑选出的单根锑掺杂ZnO微米线以银浆为电极制作成热电发电... 采用化学气相沉积(CVD)方法,在无催化剂的条件下,生长出了锑掺杂的超长、大尺寸ZnO微米线。测试表明微米线的平均长度可达1~2.5 cm,微米线中锑元素的含量约为3.1%(n/n)。此外,将挑选出的单根锑掺杂ZnO微米线以银浆为电极制作成热电发电机,并研究了微米线长度和微米线直径对器件输出性能的影响。研究表明当器件两电极之间的温差为20 K且两电极间微米线的长度为1.6 cm时,器件能够输出的最大电压和最大输出功率分别约为36 m V和10.8 n W,微米线的赛贝克系数约为-1.80 m V·K-1。此外,热电器件的输出电压随着微米线长度的增加而增大,随微米线直径的增加而减小。 展开更多
关键词 化学气相沉积 锑掺杂 ZnO微米线 热电发电机
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基于Callaway模型InGaN材料导热系数的理论研究 被引量:2
8
作者 王保柱 宋江 +2 位作者 孟帆帆 王敏 范振凯 《人工晶体学报》 EI CAS CSCD 北大核心 2018年第5期929-933,941,共6页
由于InGaN材料的禁带宽度调节范围大,热稳定性好,化学性质稳定,因此在微电子、光电子和热电领域的高温区有良好的应用前景。基于Callaway导热系数模型从理论上计算了体材料和薄膜材料InGaN的导热系数,分析了温度、In组分和边界尺寸对In... 由于InGaN材料的禁带宽度调节范围大,热稳定性好,化学性质稳定,因此在微电子、光电子和热电领域的高温区有良好的应用前景。基于Callaway导热系数模型从理论上计算了体材料和薄膜材料InGaN的导热系数,分析了温度、In组分和边界尺寸对InGaN导热系数的影响。研究结果表明,温度大于100 K时,不同组分的InGaN材料导热系数随温度的上升而下降,300 K时,体材料In_(0.1)Ga_(0.9)N的热导系数为90.15 W·m^(-1)·K^(-1),比相同温度下Ga N的导热系数小一半,200 nm的In_(0.1)Ga_(0.9)N热导系数为30.68 W·m^(-1)·K^(-1)。InGaN合金的热导系数随着In组分先变小再变大,理论计算结果表明In_(0.6)Ga_(0.4)N的导热系数最小,300 K时,体材料的导热系数为14.52 W·m^(-1)·K^(-1),200 nm的薄膜材料导热系数为4.02 W·m^(-1)·K^(-1),理论计算结果与文献报道的实验结果是合理一致的。 展开更多
关键词 Callaway模型 INGAN 导热系数
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几何尺寸及缺陷对石墨炔纳米带热输运特性的影响 被引量:2
9
作者 刘远超 蒋旭浩 +3 位作者 邵钶 徐一帆 钟建斌 李耑 《化工学报》 EI CSCD 北大核心 2023年第6期2708-2716,共9页
基于分子动力学模拟方法,对石墨炔纳米带(GYNR)的热输运特性进行了深入研究,重点探讨了几何尺寸、缺陷类型及缺陷的位置(水平方向和垂直方向、苯环与乙炔链)和排列方式等对声子热输运的影响规律,揭示并分析了其声子热输运调控机理。研... 基于分子动力学模拟方法,对石墨炔纳米带(GYNR)的热输运特性进行了深入研究,重点探讨了几何尺寸、缺陷类型及缺陷的位置(水平方向和垂直方向、苯环与乙炔链)和排列方式等对声子热输运的影响规律,揭示并分析了其声子热输运调控机理。研究结果表明,理想GYNR的热导率仅为18.22 W/(m·K),且相比于石墨烯,GYNR随尺寸增大热导率仅升至21.37 W/(m·K),对几何尺寸依赖较小;对于缺陷类型,空位缺陷的存在相比于氮掺杂对热导率抑制更强,可低至9.19 W/(m·K);对于缺陷位置,位于苯环上或靠近纳米带边界时相比于炔链热导率更低;多个缺陷若以平行分布相比于三角形结构分布可获得更低的热导率,低于8.00 W/(m·K)。研究结果可以为石墨炔材料在纳米器件的热电领域开发、应用及调控等方面提供理论支持和参考。 展开更多
关键词 石墨炔纳米带 纳米材料 热传导 几何尺寸 缺陷 分子模拟
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石墨烯热学性能及表征技术 被引量:3
10
作者 白树林 赵云红 《力学与实践》 北大核心 2014年第5期688-688,共1页
2004年石墨烯的发现立刻引起了全球科技界的高度关注,掀起了从碳纳米管问世以来对于碳族材料的又一个研究高潮,人们迅速开展了针对石墨烯的制备、性能表征、甚至应用的研究工作.从石墨烯问世到目前,主要研究工集中在石墨烯电学性能的研... 2004年石墨烯的发现立刻引起了全球科技界的高度关注,掀起了从碳纳米管问世以来对于碳族材料的又一个研究高潮,人们迅速开展了针对石墨烯的制备、性能表征、甚至应用的研究工作.从石墨烯问世到目前,主要研究工集中在石墨烯电学性能的研究,特别是集中在用石墨烯制备超级电容器方面.相比之下,人们对于石墨烯热学性能的研究还比较少.然而。 展开更多
关键词 石墨烯 热学性能 电学性能 超级电容器 表征技术 热界面材料 研究工作 热膨胀系数 数值模拟 理论研究
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MOCVD反应管中石墨基座高温控制技术研究 被引量:3
11
作者 蒲勇 彭学新 《南昌大学学报(工科版)》 CAS 2003年第2期55-58,共4页
本文研究了使用电阻丝加热的MOCVD反应管中加热器的控制技术,报道了具有通用性的自动限流控制电路工作原理及其调试方法.本技术主要适用于高电阻温度系数加热元件的控制及保护,已成功地应用于MOCVD反应管中高温控制,加热器的使用寿命得... 本文研究了使用电阻丝加热的MOCVD反应管中加热器的控制技术,报道了具有通用性的自动限流控制电路工作原理及其调试方法.本技术主要适用于高电阻温度系数加热元件的控制及保护,已成功地应用于MOCVD反应管中高温控制,加热器的使用寿命得到了显著提高. 展开更多
关键词 电阻温度系数 加热器 自动限流
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Effective thermal and electrical conductivity of graphite nanoplatelet composites 被引量:1
12
作者 周晓锋 张小松 周建成 《Journal of Southeast University(English Edition)》 EI CAS 2013年第2期158-161,共4页
The relationship between the thermal/electrical conductivity enhancement in graphite nanoplatelets (GNPs) composites and the properties of filling graphite nanoplatelets is studied. The effective thermal and electri... The relationship between the thermal/electrical conductivity enhancement in graphite nanoplatelets (GNPs) composites and the properties of filling graphite nanoplatelets is studied. The effective thermal and electrical conductivity enhancements of GNP-oil nanofluids and GNP-polyimide composites are measured. By taking into account the particle shape, the volume fraction, the thermal conductivity of filling particles and the base fluids, the thermal and electrical conductivity enhancements of GNP nanofluids are theoretically predicted by the generalized effective medium theory. Both the nonlinear dependence of effective thermal conductivity on the GNP volume fraction in nanofhiids and the very low percolation threshold for GNP-polyimide composites are well predicted. The theoretical predications are found to be in reasonably good agreement with the experimental data. The generalized effective medium theory can be used for predicting the thermal and electrical properties of GNP composites and it is still available for most of the thermal/electrical modifications in two-phase composites. 展开更多
关键词 graphite nanoplatelet nanofluids THERMALCONDUCTIVITY electrical conductivity percolation threshold
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空位缺陷对单晶硅薄膜热导率影响的分子动力学模拟研究 被引量:2
13
作者 张兴丽 孙兆伟 《材料导报》 EI CAS CSCD 北大核心 2011年第12期1-3,共3页
采用非平衡分子动力学(NEMD)方法及Tersoff势能函数模拟了微尺度下空位结构缺陷对单晶硅薄膜热导率的影响。结果表明,硅薄膜的热导率随空位浓度的增加而明显减小。当温度为300-700K时,随着温度的升高,空位浓度对热导率的影响以及... 采用非平衡分子动力学(NEMD)方法及Tersoff势能函数模拟了微尺度下空位结构缺陷对单晶硅薄膜热导率的影响。结果表明,硅薄膜的热导率随空位浓度的增加而明显减小。当温度为300-700K时,随着温度的升高,空位浓度对热导率的影响以及同一空位浓度下温度对热导率的影响都逐渐减弱。 展开更多
关键词 空位 硅薄膜 分子动力学 热导率
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热处理对环境半导体材料β-FeSi_2形成的影响 被引量:2
14
作者 罗胜耘 谢泉 +8 位作者 张晋敏 肖清泉 金石声 朱林山 闫万珺 陈坤 罗娇莲 Koji Yamada Kiyoshi Miyake 《贵州大学学报(自然科学版)》 2006年第1期81-85,共5页
作者对采用非质量分离离子束注入沉积法(IBD)在Si(100)上制备的β-FeSi2薄膜进行了研究,通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)分析表明:当退火温度在600℃和700℃附近时有利于β-FeSi2的形成。
关键词 环境半导体材料 Β-FESI2 IBD 退火温度
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半导体制冷及其在物理实验中的应用 被引量:8
15
作者 郑乔 刘虎 《物理实验》 2008年第2期30-32,共3页
半导体制冷是通过空穴和电子在运动中直接传递热量的固体致冷方式.本文通过半导体致冷型恒温量热器和半导体热电特性实验为例,说明在物理实验中应用半导体制冷技术的设计思路及优势.
关键词 半导体制冷 珀尔帖效应 量热器
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Effects of carbonaceous conductive fillers on electrical and thermal properties of asphalt-matrix conductive composites
16
作者 周晓锋 张小松 周建成 《Journal of Southeast University(English Edition)》 EI CAS 2013年第1期88-91,共4页
The relationship between thermal/electrical conductivity enhancement in asphalt-matrix mixtures and the properties of filling conductive particles is studied. The thermal properties with filling the carbon fiber, grap... The relationship between thermal/electrical conductivity enhancement in asphalt-matrix mixtures and the properties of filling conductive particles is studied. The thermal properties with filling the carbon fiber, graphite conductive particles in asphalt-matrix mixtures are investigated. Based on the generalized effective medium theory ( EMT ), the effective thermal and electrical conductivity of carbon fiber/asphalt and graphite/asphalt composites are theoretically elucidated. The theoretical results are found to be in reasonably well agreement with the experimental data. Moreover, the theoretical and experimental results show that the large-aspect-ratio shape of particles can help to achieve a large enhancement of effective conductivity, and the use of disk-like high conductivity particles can limit the additive contents for preserving the volumetric properties and mechanical properties of asphalt composites. The generalized effective medium theory model can be used for predicting the thermal and electrical properties of asphaltmatrix composites, which is still available for most of the thermal/electrical modifications in two-phase composites. 展开更多
关键词 carbonaceous conductive fillers asphalt-matrix composites thermal conductivity electrical conductivity
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对基于GaN晶体管自加热效应的研究(英文)
17
作者 曾令艳 毕迎鑫 张先休 《科学技术与工程》 北大核心 2013年第26期7725-7730,共6页
采用有限元分析方法(FEM)求解泊松方程,连续性方程,以及热传导方程对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的自加热效应进行了数值模拟研究。着重比较了晶体管在SiC、Si及蓝宝石衬底上的沟道温度和漏电流。同时讨论了在外延层和衬底接触处的热... 采用有限元分析方法(FEM)求解泊松方程,连续性方程,以及热传导方程对AlGaN/GaN高电子迁移率晶体管的自加热效应进行了数值模拟研究。着重比较了晶体管在SiC、Si及蓝宝石衬底上的沟道温度和漏电流。同时讨论了在外延层和衬底接触处的热边界电阻对晶体管电行为的影响。数值模拟表明,由于SiC的热导比较大,晶体管在其衬底上有较大的漏电流和较低的沟道温度,热边界电阻对其电行为有比较大的影响。相反,由于蓝宝石的热导比较小,晶体管在其衬底上有较低的漏电流和较高的沟道温度,显现出了比较大的自加热效应,热边界电阻对其电行为的影响可以忽略。 展开更多
关键词 AlGaN/GaN晶体管 自加热效应 偏微分方程 有限元方法
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硅基半导体热滞现象的研究
18
作者 孙志刚 何雄 +2 位作者 谢晴兴 李月仇 庞雨雨 《华南理工大学学报(自然科学版)》 EI CAS CSCD 北大核心 2017年第1期48-52,共5页
采用四线法研究Ag/Si O2/p-Si∶B/Si O2/Ag器件在不同温度下的电输运性能(V-I特性),在低温V-I特性曲线中观察到了明显的热滞现象.为了消除热滞现象带来的实验误差,文中提出了采用增强系统热传导以及延长连续两次测量的间隔时间的方法,... 采用四线法研究Ag/Si O2/p-Si∶B/Si O2/Ag器件在不同温度下的电输运性能(V-I特性),在低温V-I特性曲线中观察到了明显的热滞现象.为了消除热滞现象带来的实验误差,文中提出了采用增强系统热传导以及延长连续两次测量的间隔时间的方法,并通过延长连续两次测量时间间隔的方式消除了热滞对器件电输运性能的影响.结果表明,在进行半导体基材料的电性能及磁阻效应的研究时,必须考虑热效应可能带来的影响,否则将导致错误的实验结果. 展开更多
关键词 热滞 电性能 硅基半导体
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Fe-28Mn-6Si-5Cr SMA 应力诱发马氏体逆转变的热循环研究(英文)
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作者 夏瑞东 徐力 刘冠威 《首都师范大学学报(自然科学版)》 1997年第S1期33+29-32,共5页
研究了预应变量3%的Fe28Mn6Si5CrSMA形状恢复量及应力诱发ε马氏体随温度的变化,结果表明部分应力诱发ε马氏体在450℃回火后不能恢复。
关键词 FeMnSiSMA ε马氏体 相变
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