期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

热处理对环境半导体材料β-FeSi_2形成的影响 被引量：2

The Effect of Annealing Temperature on the Formation of Environmental Semiconductor Material β-FeSi_2
在线阅读 下载PDF
导出
摘要 作者对采用非质量分离离子束注入沉积法(IBD)在Si(100)上制备的β-FeSi2薄膜进行了研究,通过X射线衍射(XRD)和扫描电镜(SEM)以及原子力显微镜(AFM)分析表明:当退火温度在600℃和700℃附近时有利于β-FeSi2的形成。 β-FeSi2 thin films on Si （100） by Non-mass-separated ion beam deposition（IBD） method were investigated. X-ray Diffraction and SEM and AFM analysis shows： The best β-FeSi2 thin films were obtained when the annealing temperature close to 6000C or 7000C.
作者 罗胜耘 谢泉 张晋敏 肖清泉 金石声 朱林山 闫万珺 陈坤 罗娇莲 Koji Yamada Kiyoshi Miyake
机构地区 贵州大学计算机科学与工程学院光电子信息功能材料实验室 日本Saitama大学机能材料工学科
出处 《贵州大学学报（自然科学版）》 2006年第1期81-85,共5页 Journal of Guizhou University:Natural Sciences
基金 湖南省教育厅青年基金(03B006) 湖南省自然科学基金(04JJ3030) 国家人事部留学归国人员择优资助项目(200403) 贵州省教育厅重点基金(05JJ002) 贵州大学人才引进基金资助项目(04RCJJ001)
关键词 环境半导体材料 Β-FESI2 IBD 退火温度 Environmental semiconductor material β-FeSi2 Annealing temperature IBD
分类号 O472.2 [理学—半导体物理]
  • 相关文献

参考文献12

  • 1ü.Dagkaldiran,et al..Microchanneling Investigation of β-FeSi2-Structures[J].J.Appl.Phys.,89(2)(2001).
  • 2H.Lange.Electronic structure and interband optical properties of β-FeSi2[J].Thin Solid Films 381(2001),172-173
  • 3D Leong,M Harry,KJ Reeson,KP Homewood.A Silicon/Iron-Disilicide Light-Emitting Diode Operating at a Wavelength Of 1.5 μm[J].Nature,387(6634)(1997),686-688
  • 4Silicides Fundamentals and Applications,proceedings[J].of the 16th course of the international school of solid state physics,Erice,Italy,5-6 June 1999.
  • 5陈向东,王连卫,林贤,林成鲁,邹世昌.退火条件对β—FeSi_2形成的影响[J].Journal of Semiconductors,1995,16(10):794-797. 被引量：4
  • 6K.Yamada,Z.Honda,K.Miyake,T.Okazaki,Y.Sakisaka,Q.Xie.ISEF-11th Int.Symp.on Electromagnetic Fields in Elctrical Eng.Maribor[J].Slovenia Sept.18-20,2003.
  • 7K.Yamada,Z.Honda,K.Miyake,Q.Xie.The 8th IUMRS Int[J].Conf.on Advanced Materials Oct.8-13,2003,Yokohama,Japan.
  • 8beta-Fe Silicide的巨磁阻测量[J],日刊工业新闻,2003年5月20日.
  • 9Kiyoshi Miyake,Yukio Ishikawa,Mutsuo Yamashita,Minoru Isshiki.High Purity RF-sputter type Metal Ion Source for Non-mass-separated Ion Beam Deposition 0-7803-6462-7/00 2000 IEEE
  • 10Kiyoshi Miyake,Kenya Ohashi:Microstructure of high-purity Fe films deposited by the non-mass-separeted ion beam deposition method[J].Materials Chemistry and Physics 54(1998),321-324.

共引文献3

同被引文献48

  • 1耿刚强,李宁,林杰,程军胜,刘胜林.机械合金化制备纳米晶铁合金[J].长安大学学报（自然科学版）,2005,25(3):84-88. 被引量：4
  • 2郑锋,黄璞,冯大军,邱翠榕,阮祥波.两种高能球磨机制备Fe-Si合金磁粉的对比[J].武钢技术,2006,44(2):21-24. 被引量：2
  • 3贾建刚,马勤,吕晋军,周琦,季根顺,郭铁明.机械活化/热压Fe_3Si有序金属间化合物的制备[J].兰州理工大学学报,2007,33(1):14-16. 被引量：12
  • 4赵媛,沈强,王传彬,张联盟.Fe-Si机械合金化过程的研究[J].粉末冶金技术,2006,24(6):407-411. 被引量：5
  • 5S. Das Sarma, J. Fabian, X. Hu, I. Zutic.Spin electronics and spin computation[J]. Solid State Commun. 2001, 119: 207.
  • 6S.H.Liou, S.S.Malhotra, and J.X.Shen. Magnetic properties of epitaxial singal crystal uhrathin Fe3Si films on GaAs(001)[J]. J.Appl.Phys., 1993, 15: 6766.
  • 7y.l.Hsu, Y.J.Lee, et al. Structural and magnetic properties of epitaxia! Fe3Si/GaAs heterostructures [J]. Journal of Crystal Growth, 2007, 301-302: 588-591.
  • 8Massalski.T.B, Okamoto.H, Subramanian.P.R., acprzak. L.K, (Ed.) Binary Alloy Phase Diagrams, Second Edition[M]. American-Society for Metals Park, OH, 1990 Vols: 1-2.
  • 9Maex Karen, Van Rossum.Properties of Metal Silicides [M]. London: Institution of Engineering and Technology, 1995, 24.
  • 10Westbrook J. H.,Fleischer R. L. Intermetallic Compounds[M]. England: John Wiley & Sons, 2000, 221.

引证文献2

二级引证文献2

贵州大学学报（自然科学版）
2006年 第1期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部