半绝缘砷化镓单晶的整锭热退火被引量：1

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摘要本文报道了整锭热退火对IEC-SI-GaAs单晶特性的影响.研究发现,在950℃温度和5小时条件下,对SI-GaAs单晶整锭热退火后,单晶的电阻率、迁移率、霍尔浓度、位错密度和电子陷阱El2浓度的分布均匀性有所改善,并且El2浓度和迁移率平均值经热退火后有所提高.

作者谢自力陈宏毅陈小兵

机构地区南京电子器件研究所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1993年第4期54-56,共3页 Semiconductor Technology

关键词半绝缘砷化镓整锭热退火均匀性

参考文献3

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半导体技术

1993年第4期

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