半绝缘GaAs单晶的热稳定性研究

下载PDF

导出

摘要报道了对ＬＥＣ法生长的ＳＩ－ＧａＡｓ单晶热稳定性检测结果，在８００℃以上温度条件下退火，发现ＧａＡｓ单晶的热稳定性不但与处理的条件有关，还与单晶中杂质Ｃ的含量有关。

作者谢自力夏德谦陈宏毅朱志明朱顺才陈小兵

机构地区南京电子器件研究所

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1994年第6期49-51,共3页 Semiconductor Technology

关键词半绝缘砷化镓单晶热稳定性检测

参考文献3

1陈维德,金高龙,崔玉德,许振嘉.多晶硅/CoSi_2/Si结构热稳定性研究[J].Journal of Semiconductors,1991,12(11):700-704.
2曹福年,杨锡权,刘巽琅,吴让元,惠峰,何宏家.Sl-GaAs单晶的热稳定性研究[J].固体电子学研究与进展,1991,11(3):241-244.
3谢自力.LEC法生长SI—GaAs单晶时C的沾污和降低[J].半导体杂志,1993,18(1):8-13.
4徐玉忠,杨连生.LEC法生长2时{100}低位错GaAs单晶[J].半导体杂志,1990,15(2):9-11.
5周长尊,陈阳,Peter Kung1.布拉格光纤光栅热稳定性研究[J].光学学报,2003,23(4):434-437. 被引量：10
6崔玉成.LEC法生长砷化铟单晶[J].稀有金属,1996,20(3):239-240. 被引量：2
7莫培根,范向群,周炎德,吴巨.改进的低压LEC法生长半绝缘GaAs单晶[J].固体电子学研究与进展,1990,10(1):94-100.
8卢红亮,徐敏,丁士进,任杰,张卫.原子层淀积Al_2O_3薄膜的热稳定性研究[J].无机材料学报,2006,21(5):1217-1222. 被引量：16
9王庆相,范志康,梁淑华.W-Ti纳米晶薄膜扩散阻挡层的热稳定性研究[J].中国科学：技术科学,2010,40(3):298-305. 被引量：1
10陈肖燕,赵刚.小型热传导冷却(Nd,Ce)∶YAG激光器热稳定性研究[J].激光技术,2001,25(1):63-66. 被引量：4

半导体技术

1994年第6期

内容加载中请稍等...