摘要
用 SEM,AES 和 XRD 研究了 Au/Zn/AuSb 多层金属结构与 p-GaP 在525℃合金化4min 后,它们所形成的金属一半导体层的基本特性。当 GaP 的 p 型层空穴浓度是5×1.0^(18)cm^(-3)时,测量出它的比接触电阻是4×10^(-4)Ω·cm^(-2)。它比 AuZn 合金所形成的比接触电阻降低了一个数量级,从而形成了良好的金属-半导体欧姆接触。
The basic properties p-GaP into Au/Zn/AuSb muhiple layer struc- ture at 525℃ for 4 minutes of metal-simiconductor contact layers formeduc by alloying are studied by SEM,AES and XRD.The specific contact resis- tance of 4×10^(-4)Ω·cm^(-2) is measured only at the concentration of p=5×10^(18) cm^(-3).As it is of the order of one lower than that of Au/Zn alloy,good con- tacts are obtained.
出处
《半导体光电》
CAS
CSCD
北大核心
1993年第1期75-80,共6页
Semiconductor Optoelectronics
关键词
冶金相
欧姆接触
Au/Zn/AuSb
Specific Contact Resistance
Profile Distribution
Surface Morphology
Metallurgical Phase
