期刊文献+
任意字段
题名或关键词
题名
关键词
文摘
作者
第一作者
机构
刊名
分类号
参考文献
作者简介
基金资助
栏目信息

Cl_2/Ar/BCl_3感应耦合等离子体GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N的非选择性刻蚀 被引量：6

原文传递
导出
摘要 利用Cl_2/Ar/BCl_3感应耦合等离子体(ICP)刻蚀技术对GaN与Al_(0.28)Ga_(0.72)N材料之间的非选择性刻蚀和刻蚀以后GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N异质结的表面物理特性进行了研究。实验表明,优化等离子体中BCl_3的含量(20％～60％),提高ICP功率和直流偏压,降低反应室压强有利于获得非选择性刻蚀.而GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N异质结刻蚀后的表面形貌与等离子体中的化学组分、反应室压强有密切的关系。在Cl_2/Ar(4:1)中加入20％BCl_3可以在较高的刻蚀速率条件下获得GaN和Al_(0.28)Ga_(0.72)N之间的非选择性刻蚀,并将GaN/Al_(0.28)Ga_(0.720N异质结刻蚀后的表面均方根粗糙度由10.622 nm降低至0.495 nm,优于未刻蚀的GaN/Al_(0.28)Ga_(0.72)N异质结的表面,AES分析表明,在刻蚀过程中从AlGaN的表面有效除去氧对获得非选择性刻蚀和光滑的刻蚀表面是至关重要的。
作者 韩彦军 薛松 吴桐 吴震 郭文平 罗毅 郝智彪 孙长征
机构地区 清华大学电子工程系集成光电子学国家重点联合实验室
出处 《中国科学（E辑）》 CSCD 北大核心 2004年第3期345-352,共8页 Science in China(Series E)
基金 国家重点基础研究发展规划(批准号:TG2000036601) 国家高技术研究发展计划(批准号:2001AA312190 2002AA31119Z) 国家自然科学基金(批准号:69896260-01)
关键词 ALGAN ICP C12/Ar/BCl3 非选择性刻蚀 感应耦合等离子体 半导体材料 III-V族氮化物
分类号 TN305 [电子电信—物理电子学]
  • 相关文献

参考文献27

  • 1Nakamura S, Pearton S, Fasol G. The Blue Laser Diode: the Complete Story. Second edition. Berlin. New York: Springer, 2000.
  • 2Shul R J, McCllelan G B, Casalnuovo S A, et al. Inductively coupled plasma etching of GaN. Appl Phys Lett, 1996, 69(8): 1119-1121.
  • 3Rong B, Cheung R, Gao W, et al. Effects of reactive ion etching on the electrical characteristics of ClaN. J Vac Sci Technol, 2000, B18(6): 3467-3470.
  • 4Lester S D, Ludowise M J, Killeen K P, et al. High-efficiency InGaN MQW blue and green LEDs. J Cryst Growth, 1998, 189/190:786-789.
  • 5Smith S A, Wolden C A, Bremser M D, et al. High rate and selective etching of GaN, A1GaN, and AlN using an inductively coupled plasma. Appl Phys Lett, 1997, 71(25): 3631-3633.
  • 6Khan F A, Zhou L, Ping A T, et al. Inductively coupled plasma reactive ion etching of AlxGa1-xN for application in laser facet formation. J Vac Sci Technol, 1999, B17(6): 2750-2753.
  • 7Kim H S, Lee D H, Lee J W, et al. Effects of plasma conditions on the etch properties of AlGaN. Vacuum.2000, 56:45-49.
  • 8Luo Y. Han Y J, Wu T, et al. Inductively coupled plasma etching of GaN-based materials. First Asia-Pacific Workshoo on Widegap Semiconductors (APWS-2003) Proceedings. Awaji Hyogo, Japan, 2003. 210-213.
  • 9Han Y J, Xue S, Guo W P, et al. Characteristics of n-GaN after Cl2/Ar and Cl2/N2 inductively coupled plasma etching. Jpn J Appl Phys, 2003, 42(10): 6409-6412.
  • 10Buttari D, Chini A, Meneghesso G, et al. Systematic characterization of Cl2 reactive ion etching for improved ohmics in AlGaN/GaN HEMTs. IEEE Electron Device Letters, 2002, 23(2): 76-78.

二级参考文献1

共引文献4

同被引文献76

  • 1罗毅,郭文平,邵嘉平,胡卉,韩彦军,薛松,汪莱,孙长征,郝智彪.GaN基蓝光发光二极管的波长稳定性研究[J].物理学报,2004,53(8):2720-2723. 被引量：40
  • 2王向晖,柳襄怀,张峰,李昌荣,俞柳江,郑志宏,王曦,徐静芳,陈安清,蒋振斌.人工心脏瓣膜材料的抗凝血性能和使用安全性研究[J].中国科学（E辑）,2005,35(3):225-241. 被引量：2
  • 3李茹,李柯,陈杰王容.远程氩等离子体表面改性对聚氯乙烯润湿性的影响[J].西安交通大学学报,2005,39(9):1030-1034. 被引量：4
  • 4李茹,陈杰镕.远程氩等离子体提高PVC生物填料挂膜性能的机理研究[J].环境科学学报,2005,25(9):1170-1174. 被引量：8
  • 5SHAN W,FISCHER A J,HWANG S J,et al.Intrinsic excition transitions in GaN[J].J Appl Phys,1998,83(1):455-461.
  • 6KAROUTA F,JACOBS B,VREUGDEWATER P,etal.High etch rate and smooth morphology using a novelchemistry in reactive ion etching of GaN[J].Electrochemical and Solid-State Letters,1999,2(5):240-241.
  • 7WUU D S,WU H W,CHEN S T,et al.Defectreduction of laterally regrown GaN on GaN/patternedsapphire substrates[J].Journal of Crystal Growth,2009,311(10):3063-3066.
  • 8HOMG R H,WANG W K,HUANG S C,et al.Growth and characterization of 380-nm InGaN/AlGaNLEDs grown on patterned sapphire substrates[J].Journal of Crystal Growth,2007,298:219-222.
  • 9WANG H C,FENG S W,MALINAUSKAS T,et al.Carrier dynamics in InGaN/GaN multiple quantum wellsbased on different polishing processes of sapphire substrate[J].Thin Solid Films,2010,518(24):7291-7294.
  • 10KIM H S,LEE Y H,YEOM G Y,et al.Effects ofinductively coupled plasma conditions on the etch propertiesof GaN and ohmic contact formations[J].MaterialsScience and Engineering,1997,50(1/2/3):82-87.

引证文献6

二级引证文献18

中国科学（E辑）
2004年 第3期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...
;
使用帮助 返回顶部