摘要
在半导体生产中常用化学气相沉积(CVD)方法制备纯硅.所用的硅化合物原料中,四甲基硅是很重要的一种.与其它种类相比,它不象硅甲烷那样易爆,又不象卤代硅烷那样有腐蚀性,化学性质是比较稳定的.另一方面,它的分子结构Si(CH_3)_4与一般有机金属化合物类似,具有一定代表性.因此研究这个分子的离解和电离过程,以及光物理与光化学性质,在应用和学术方面都是有价值的。
MPI spectrum of Si(CH_3)_4 has been measured in the wavelength range of 410370nm. Most of the peaks with strong background were assigned to (2+1) ionization of Si atoms initiated from their ground state 3~3P_J and the first singlet state 3~1D_2.TOF mass spectra showed that Si^+,C_2^+ were the major products at lower laser energy,whereas more ions Si(CH_3)_n^+ (n=1--4), even silicon carbide ion C_3Si^+, appeared athigher energy.
出处
《物理化学学报》
SCIE
CAS
CSCD
北大核心
1992年第4期536-539,共4页
Acta Physico-Chimica Sinica
基金
国家自然科学基金
关键词
多光子过程
质谱
四甲基硅
Multiphoton
Mass detection
Tetramethylsilane
