掺氧多晶硅膜的研究和在高压平面器件中的应用
-
1王云珍,黄碧琳.掺氧多晶硅薄膜中氢的行为初探[J].薄膜科学与技术,1993,6(1):23-27.
-
2徐静平,余岳辉,彭昭廉,惠东.多晶硅膜的PECVD和LPCVD原位掺杂研究[J].华中理工大学学报,1995,23(A01):199-204. 被引量：1
-
3J.C.Sturm,J.F.Gibbons,石广元.在再结晶多晶硅膜中制造合并3-D纵向双极-MOS器件[J].微电子学与计算机,1990,7(2):14-16.
-
4夏立生.利用国产设备的多晶硅膜等离子体腐蚀技术[J].微电子学,1990,20(2):52-56.
-
5彭昭廉,黄秋芝,喻建英.掺硼多晶硅的制备及其电阻率[J].半导体技术,1992,8(2):61-63. 被引量：1
-
6徐静平,余岳辉.多晶硅膜及其薄发射极退火特性的研究[J].微电子学,1994,24(2):61-65.
-
7黄碧琳,王云珍.用掺氧无定型硅减小平面半导体器件的表面电场[J].上海半导体,1991(3):46-52.
-
8潘尧令,王云珍.LPCVD掺氧多晶硅薄膜淀积及其特性[J].半导体技术,1990,6(4):51-55.
-
9程开富.LPCVD多晶硅膜的制备和在硅化铂肖特基势垒红外电荷耦合器件(PtSi-SBIRCCD)中的应用[J].半导体技术,1990,6(2):23-28.
-
10徐静平,余岳辉,彭绍廉,陈涛.多晶硅膜改善薄发射区晶闸管开通特性机理分析[J].华中理工大学学报,1992,20(4):7-14.
;
