掺硼多晶硅的制备及其电阻率被引量：1

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摘要本文介绍采用APCVD方法制备了掺硼厚多晶硅膜,研究了影响掺硼多晶层的因素及其电阻率的分布,得到一组电阻率或淀积速率与温度、流量以及随位置参量x变化的关系曲线。

作者彭昭廉黄秋芝喻建英

机构地区华中理工大学固电系

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1992年第2期61-63,共3页 Semiconductor Technology

关键词硅膜掺硼多晶硅膜制造电阻率

引证文献1

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半导体技术

1992年第2期

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