LPCVD掺氧多晶硅薄膜淀积及其特性

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摘要本文对LPCVD掺氧多晶硅的工艺特性进行了研究,尤其是分析和讨论了在LPCVD系统中淀积温度、反应气体流量比(N_2O/SiH_4)及硅烷(SiH_4)流量对SIPOS薄膜的工艺参数及薄膜性质的影响,并对LPCVD-SIPOS的有关性质进行了讨论。

作者潘尧令王云珍

机构地区上海科技大学(分部)技术物理系华东师范大学电子科学技术系

出处《半导体技术》 CAS CSCD 北大核心 1990年第4期51-55,46,共6页 Semiconductor Technology

关键词多晶硅薄膜掺氧淀积 LPCVD

1潘尧令,王云珍,王济身.LPCVD掺氧多晶硅电学特性研究[J].电子科学学刊,1991,13(4):372-377. 被引量：1
2王云珍,黄碧琳.掺氧多晶硅薄膜中氢的行为初探[J].薄膜科学与技术,1993,6(1):23-27.
3王云珍,潘尧令.用Raman光谱研究掺氧多晶硅的微结构[J].Journal of Semiconductors,1989,10(7):534-537. 被引量：2
4黄碧琳,王云珍.用掺氧无定型硅减小平面半导体器件的表面电场[J].上海半导体,1991(3):46-52.
5潘尧令,王云珍,王济身.掺氧多晶硅(SIPOS)薄膜结晶学性质研究[J].固体电子学研究与进展,1990,10(4):364-368.
6黄锐,王旦清,王祥,陈坤基.掺氧氮化硅发光二极管的发光特性研究[J].激光与红外,2010,40(8):901-903.
7仇卫平,徐志平.掺氧多晶硅膜的研究和在高压平面器件中的应用[J].上海半导体,1992(4):8-11.
8王富咸,朱悟新,尹庆民,江德生.掺氧GaAs单晶的红外吸收研究[J].稀有金属,1993,17(2):119-122. 被引量：1
9王军,杨晓智.用掺氧多晶硅钝化技术制造高可靠高压晶体管[J].半导体情报,2001,38(2):40-42. 被引量：2
10李延辉,刘技文,赵燕平,李昌龄,李娟.基于发光机理提高掺铒硅基材料发光效率的几条途径[J].物理,2005,34(4):293-299. 被引量：1

半导体技术

1990年第4期

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