摘要
本文首次用正电子湮没寿命谱学法研究 DKDP 单晶生长缺陷形成的机理,说明了正电子湮没技术是检测离子型晶体缺陷的有力手段。
The formation mechanism of microdefects growing in DKDPcrystal by using of the positron annihilation life spectroscopy has been resear-ched,demonstrating that the positron annihilation is a effective method fordetermining defects of the ion-type crystal.
出处
《人工晶体学报》
EI
CAS
CSCD
1992年第1期77-83,共7页
Journal of Synthetic Crystals
关键词
DKDP晶体
正电子湮没
缺陷
非线性
DKDP crystal
positron annihilation
ion-type crystal
defect
nonlinear optical crystal
