摘要
该文定量研究了热电子和空穴注入对薄栅氧化层击穿的影响,讨论了不同应力条件下的阈值电压变化,首次提出了薄栅氧化层的经时击穿是由热电子和空穴共同作用的结果,并对上述实验现象进行了详细的理论分析,提出了薄栅氧化层经时击穿分两步。首先注入的热电子在薄栅氧化层中产生陷阱中心,然后空穴陷入陷阱导致薄栅氧击穿。
Therolesofhotelec-tronsandholesindielectricbreakdownofthethingateoxidehavebeenquantita-tivelyinvestigatedinthispaper.Thechangesofthresholdvoltagehavebeendiscussedunderdifferentstresscondi-tions.Thispaperisthefirstreportthatpointsoutthecooperationofhotelec-tronsandholesisessentialforthetimedependentdielectricbreakdowninthingateoxide.Adetailedtheoryanalysisismadeandatwo-stepmodelsofthingateoxideispresented.Thefirststepisin-jectedhotelectronscreatetrapcentersinthingateoxide,andthesecondstepisthingateoxide,breakdowninducedbyholetrapping.
出处
《电子科技》
2002年第17期36-40,共5页
Electronic Science and Technology
