电子束曝光中能量沉积过程及沉积能分布规律

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摘要电子束曝光(Electron beam lithography,简称为EBL)是研制亚微米线宽VLSI的重要手段。入射电子束在胶和衬底中散射并沉积能量,获得能量的胶分子的分子量发生变化。然后依分子量大小作选择去除得到胶图案。胶中某点分子量变化的量值取决于该点上的沉积能密度。因此入射束的散射和能沉过程及沉积能的分布是影响曝光分辨率的关键因素。

作者宋传杰裘培勇何延才

机构地区山东工业大学电子束研究室中国科学院上海硅酸盐研究所

出处《科学通报》 1985年第19期1538-1540,共3页 Chinese Science Bulletin

关键词电子束曝光能量沉积分子量沉积能密度胶分子

分类号 TN305.7 [电子电信—物理电子学]

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