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宽禁带半导体辐照损伤理论研究方法与挑战

Radiation Damage Theory Studies in Wide Bandgap Semiconductors:Methods and Challenges
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摘要 日益增长的全球能源需求要求电力电子器件能够提高电力系统的能源传输效率。与硅基器件相比,宽禁带功率半导体器件具有更高的工作温度和工作电压,同时具备响应速度快、功率损耗低等显著优势[1],现已广泛应用于轨道交通、电动汽车、光伏和消费电子等领域。随着空间科学技术的不断发展,宽禁带半导体在地外空间极端环境中的应用也受到了广泛关注。
作者 周芷璇 刘太巧 赵骏磊 张召富 ZHOU Zhixuan;LIU Taiqiao;ZHAO Junlei;ZHANG Zhaofu(The Institute of Technological Sciences,Wuhan University,Wuhan 430072,Hubei,China;Department of Electronic and Electrical Engineering,Southern University of Science and Technology,Shenzhen 518055,Guangdong,China)
出处 《武汉大学学报(理学版)》 北大核心 2025年第2期143-145,共3页 Journal of Wuhan University:Natural Science Edition
基金 武汉大学珞珈本科生创新研究基金项目 武汉大学大学生创新创业训练计划项目。
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