期刊文献⁺

任意字段

题名或关键词

题名

关键词

文摘

作者

第一作者

机构

刊名

分类号

参考文献

作者简介

基金资助

栏目信息

1THz真空微电子微带放大器的前景

Prospects for a 1THz Vacuum Microelectronic Microstrip Amplifier

下载PDF

导出

摘要分析了采用真空微电子技术的微带放大器,该放大器可能在频率高达1THz下输出功率1～50W。说明了实际设计的限制因素,包括栅控场发射微带中的损耗、所要求的场发射电流、空间电荷对发射电流的限制以及热损耗等。提出了两种可能的设计并讨论了进一步工作的范围。

作者 N.E.McGruer 朱帼才

出处《半导体情报》 1992年第4期53-58,共6页 Semiconductor Information

关键词放大器真空微电子微带

分类号 TN722 [电子电信—电路与系统]

引文网络
相关文献

1李毓民.真空微电子[J].电子,1990(2):77-78.
2胡汉泉.有源器件的一个新里程碑—真空微电子[J].彩色显像管,1993(3):1-4.
3庄学曾.真空微电子毫米波器件[J].红外与毫米波学报,1994,13(4):295-298. 被引量：2
4黄庆安,向涛,秦明,张会珍,陈军宁,童勤义.用键合工艺制备大面积场发射阵列[J].科学通报,1993,38(9):780-782. 被引量：3
5陈中洲.场致发射与真空微电子[J].电子质量,1995,0(4):3-8.
6陈德英.真空微电子的发展[J].电子器件,1998,21(2):94-101. 被引量：1
7刘卫东,罗恩泽.微密封真空微电子二极管[J].微电子学,1994,24(5):55-56. 被引量：1
8王保平.真空微电子学的最新进展──IVMC’94和IFES’94会议的回顾[J].电子器件,1994,17(4):61-64.
9刘卫东,罗恩泽.微密封真空微电子二极管阵列[J].电子器件,1994,17(3):69-69.
10黄庆安.真空微电子学的研究与发展[J].电子学报,1995,23(10):134-138. 被引量：5

半导体情报

1992年第4期

相关作者

内容加载中请稍等...

相关机构

内容加载中请稍等...

相关主题

内容加载中请稍等...

浏览历史

内容加载中请稍等...

;

使用帮助返回顶部