电化学C-V法研究磁性GaMnSb/GaSb单晶的载流子浓度纵向分布被引量：2

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摘要采用电化学C-V方法和Tiron电解液研究了GaMnSb/GaSb单晶载流子浓度的纵向分布,所得结果与Hall测量结果和X射线衍射分析结果一致。研究结果表明GaMnSb单晶中的Mn原子替代了GaSb中部分Ga原子的位置,并在GaSb中形成了浅受主能级。

作者张秀兰张富强宋书林陈诺夫王占国胡文瑞林兰英

机构地区中国科学院半导体研究所中国科学院力学研究所

出处《科学通报》 EI CAS CSCD 北大核心 2002年第17期1299-1301,共3页 Chinese Science Bulletin

基金本工作为科学技术部攀登预研(批准号:PAN95-YU-34) 国家重大基础研究计划(批准号:G20000683 G20000365) 国家自然科学基金(批准号:60176001)资助项目.

关键词电化学C-V法 GaMnSb/GaSb单晶载流子浓度纵向分布磁性半导体稀磁半导体闪锌矿结构

分类号 TN304 [电子电信—物理电子学]

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2002年第17期

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