p型GaSb单晶研制被引量：4

下载PDF

导出

摘要 GaSb单晶是制备光电器件的重要衬底材料。GaSb价带自旋轨道的分裂可以得到使空穴离化系数增大的能级,明显改善了波长大于1.3μm的APD的信噪比。其它如AlGaSb APD、GaAlAsSb LED与LD、AlSb/GaSb超晶格、高度电子器件InAs/GaSb超晶格、低阈值HET、FET、HBT等器件也采用GaSb为衬底。此外。

作者邓志杰郑安生武希康屠海令

机构地区北京有色金属研究总院

出处《稀有金属》 EI CAS CSCD 北大核心 1992年第3期215-217,共3页 Chinese Journal of Rare Metals

关键词 P型 GASB 单晶

分类号 TN304.23 [电子电信—物理电子学]

引文网络
相关文献

参考文献1

1贺楚光,麦振洪,崔树范.Taupin-Takagi方程的变换关系及其物理含意[J].物理学报,1990,39(5):778-781. 被引量：1

同被引文献13

1汪鼎国.用水平布里兹曼法生长GaSb单晶[J].稀有金属,1995,19(1):75-78. 被引量：2
2程雨,刘京明,苏杰,刘彤,杨凤云,董志远,赵有文.GaSb晶片表面残留杂质分析[J].半导体光电,2016,37(1):55-58. 被引量：4
3练小正,李璐杰,张志鹏,张颖武,程红娟,徐永宽.大尺寸高质量GaSb单晶研究[J].人工晶体学报,2016,45(4):901-905. 被引量：1
4杨俊,段满龙,卢伟,刘刚,高永亮,董志远,王俊,杨凤云,王凤华,刘京明,谢辉,王应利,卢超,赵有文.低位错密度4 inchGaSb(100)单晶生长及高质量衬底制备[J].人工晶体学报,2017,46(5):820-824. 被引量：3
5边子夫,李晖,徐世海,刘卫丹,陈阳,高飞,朱磊.GaSb单晶片CMP工艺的研究[J].微纳电子技术,2017,54(11):797-800. 被引量：6
6安宁,刘国军,李占国,魏志鹏,马晓辉.硫钝化可提高GaSb表面光学性质[J].长春理工大学学报（自然科学版）,2015,38(1):107-111. 被引量：1
7余海生,蒋玉兰,胡建,廖丽英.水平法生长GaSb单晶的研究[J].固体电子学研究与进展,1991,11(2):144-147. 被引量：1
8杨成奥,张一,尚金铭,陈益航,王天放,佟海保,任正伟,张宇,徐应强,牛智川.2~4μm中红外锑化物半导体激光器研究进展(特邀)[J].红外与激光工程,2020,49(12):155-163. 被引量：4
9常发冉,蒋志,王国伟,李勇,崔素宁,蒋洞微,徐应强,牛智川.锑化物超晶格长波红外焦平面探测器研究进展[J].中国科学：物理学、力学、天文学,2021,51(2):28-45. 被引量：4
10尚林涛,王静,邢伟荣,刘铭,申晨,周朋,赵建忠.Ⅱ类超晶格红外探测器技术国内外进展[J].激光与红外,2021,51(6):683-694. 被引量：6

引证文献4

1邓志杰,郑安生,武希康,屠海令.水平磁场中 GaSb 单晶的生长[J].稀有金属,1993,17(6):467-469. 被引量：1
2汪鼎国.水平舟生长GaSb单晶的研制[J].四川有色金属,1994(2):17-20.
3汪鼎国.用水平布里兹曼法生长GaSb单晶[J].稀有金属,1995,19(1):75-78. 被引量：2
4刘京明,杨俊,赵有文,杨成奥,蒋洞微,牛智川.GaSb单晶研究进展[J].人工晶体学报,2024,53(1):1-11. 被引量：5

二级引证文献8

1郑安生,邓志杰,武希康,屠海令,钱佑华.MLEC　GaSb单晶的光致发光谱[J].稀有金属,1995,19(2):158-160.
2苏宇欢.GaSb体单晶的研究现状与展望[J].热固性树脂,1999,14(4):111-113. 被引量：1
3刘京明,杨俊,赵有文,杨成奥,蒋洞微,牛智川.GaSb单晶研究进展[J].人工晶体学报,2024,53(1):1-11. 被引量：5
4李阳,曹昆,介万奇.热处理GaSb衬底对近距离升华法制备CdZnTe外延膜的影响[J].人工晶体学报,2024,53(10):1705-1711.
5胡德鹏,王红真,路云峰,贺训军.锑化物半导体材料及其分子束外延生长研究进展[J].半导体技术,2025,50(3):229-240. 被引量：2
6杨文文,卢伟,谢辉,刘刚,吕鑫雨,摆易寒,李晨慧,潘教青,赵有文,沈桂英.低位错6英寸锑化镓单晶生长与性能研究[J].人工晶体学报,2025,54(5):784-792.
7郑圣源,李毅,葛梅,邓洪海,朱友华.用于长波红外探测器的超透镜设计[J].光学学报,2025,45(10):296-303.
8谢景龙,林羽喆,张克冬,郑婉华,芦红.二类超晶格的分子束外延生长与中红外带间级联激光器应用(特邀)[J].中国激光,2025,52(16):311-318.

1义仡.GaSb单晶的无泡沫熔融CZ生长[J].电子材料快报,1995(9):7-8. 被引量：1
2余海生,蒋玉兰.水平法生长GaSb单晶的研究[J].科技通讯（上海）,1991,5(1):21-24.
3郑安生,邓志杰,武希康,屠海令,钱佑华.MLEC　GaSb单晶的光致发光谱[J].稀有金属,1995,19(2):158-160.
4汪鼎国.用水平布里兹曼法生长GaSb单晶[J].稀有金属,1995,19(1):75-78. 被引量：2
5汪鼎国.水平舟生长GaSb单晶的研制[J].四川有色金属,1994(2):17-20.
6苏宇欢.GaSb单晶中Te的偏析和溶质层中相关扩散系数[J].电子材料快报,1999(7):17-18.
7黎建明,屠海令,郑安生,罗志强.重掺碲(100)GaSb单晶的研制[J].稀有金属,2000,24(5):335-337.
8余海生,蒋玉兰,胡建,廖丽英.水平法生长GaSb单晶的研究[J].固体电子学研究与进展,1991,11(2):144-147. 被引量：1
9于凯,李璐杰,程红娟,张颖武.LEC-GaSb单晶生长技术研究[J].压电与声光,2016,38(5):787-790. 被引量：1
10黎建明,屠海令,郑安生,邓志杰,罗志强.掺锌(100)GaSb单晶的生长[J].稀有金属,2001,25(5):321-324. 被引量：3

稀有金属

1992年第3期

浏览历史

内容加载中请稍等...

p型GaSb单晶研制被引量：4

参考文献1

同被引文献13

引证文献4

二级引证文献8

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史

p型GaSb单晶研制 被引量：4

参考文献1

同被引文献13

引证文献4

二级引证文献8

相关作者

相关机构

相关主题

浏览历史

p型GaSb单晶研制被引量：4