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VLSI技术中的金属化工艺

Metallization Technologies in VLSI

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摘要本文分析了纯铝作为集成电路互联线和引出线的一些缺点,指出了在VLSI 中引入多层金属化的必要和必然性.较详细地介绍了理想的接触和互连材料——难熔金属硅化物,及其各种形成方法.

作者沈天慧

机构地区上海交通大学

出处《微电子学与计算机》 CSCD 北大核心 1991年第10期35-38,共4页 Microelectronics & Computer

关键词 VLSI 难熔金属金属化 VLSI Technology Refractory Metal Metallizaotion

分类号 TN405 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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微电子学与计算机

1991年第10期

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