高质量介质膜的淀积

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摘要打开一块当今集成电路的封帽,一层层剥去,就会在几个不同膜层发现CVD淀积的介质材料。首先,在钝化层,有保护芯片不受潮湿、不受灰尘影响、不被划伤的氮化硅或氮氧化合物薄膜。再往下一点的芯片中,金属互连线之间,是二氧化硅和/或硼磷硅玻璃(BPSG)层。它们把金属线彼此隔离开来,并且平整化以便形成较好的台阶覆盖。

作者 Peter H.Singer 刘永光

出处《微电子学》 CAS CSCD 1991年第1期75-77,共3页 Microelectronics

关键词集成电路介质膜 CVD淀积

分类号 TN405.986 [电子电信—微电子学与固体电子学]

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微电子学

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